جميع المنتجات
اتصل شخص : Anita Yin
رقم الهاتف : +86 13712219843
ال WhatsApp : +8613712219843

سطح جبل الطاقة العالية MOSFET متعدد المشاهد الجهد العالي الدائم

  • Surface Mount High Power MOSFET Multiscene Durable High Voltage
مكان المنشأ قوانغدونغ ، CN
اسم العلامة التجارية REASUNOS
الأسعار Confirm price based on product
تفاصيل التغليف GB + Master كارتون
وقت التسليم 2-30 يومًا (يعتمد على الكمية الإجمالية)
شروط الدفع 100% T/T مقدمًا (EXW)
القدرة على العرض 5 مليون/شهر

اتصل بي للحصول على عينات مجانية وكوبونات.

ال WhatsApp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

سكايب: sales10@aixton.com

إذا كان لديك أي قلق ، فنحن نقدم مساعدة عبر الإنترنت على مدار 24 ساعة.

x
تفاصيل المنتج
مقاومة انخفاض المقاومة النوع ن
مزايا استناداً إلى خط الإنتاج القياسي العسكري الوطني، فإن العملية مستقرة والجودة موثوقة القوة قوة عالية
نوع الجهاز موسفيت الكفاءة كفاءة عالية
التطبيق العاكس الشمسي، محول DC / DC عالي الجهد، محرك المحرك، مصدر طاقة UPS، تحويل مصدر الطاقة، كومة الشحن، إ تكرار تردد عالي
إبراز

سطح جبل MOSFET عالية الطاقة,MOSFET ذات الطاقة العالية,موزفيت الطاقة عالية الجهد

,

High Power MOSFET Multiscene

,

Durable High Voltage Power Mosfet
يمكنك تحديد المنتجات التي تحتاجها والتواصل معنا في لوحة الرسائل.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
1 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500
2 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000
3 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500
4 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000
5 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000
6 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500
7 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000
اترك رسالة
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
منتوج وصف

MOSFET عالية الجهد عملية مستقرة جودة موثوقة طاقة عالية

وصف المنتج:

الـMOSFET عالية الطاقةهو نوع متقدم من ترانزستور تأثير المجال الأكسيد المعدني شبه الموصل (MOSFET) الذي تم تصميمه لتلبية أعلى متطلبات الأداء لمجموعة واسعة من التطبيقات ، بما في ذلك المحولات الشمسية ،محولات التيار المباشر/المباشر عالية الجهد، سائقي السيارات، مصادر الطاقة UPS، تغيير مصادر الطاقة، أكوام الشحن، وأكثر من ذلك.يحتوي على MOSFET الطاقة من النوع N عالية الكفاءة التي تستند إلى خط الإنتاج القياسي العسكري الوطني، مما يضمن عملية مستقرة وجودة موثوقة. ويوفر أداءً محسّنًا وكفاءة عالية ، مما يجعله خيارًا مثاليًا لتطبيقات الطاقة العالية.

هذا الموسفيت يقدم التيار العالي و القدرة الكهربائية العالية، مما يجعله مناسبًا لمجموعة واسعة من التطبيقات.في حين أن شحنة البوابة المنخفضة والقدرة المنخفضة للبوابة المصدر تقلل من خسائر التبديلوعلاوة على ذلك، فهي متوفرة في مجموعة متنوعة من الحزم، مما يسهل دمجها في التصاميم القائمة.

الـMOSFET عالية الطاقةهو خيار ممتاز للعديد من التطبيقات بسبب كفاءته العالية وموثوقيتها. إنه خيار رائع لأولئك الذين يبحثون عن طاقة عالية ،MOSFET عالي التيار الذي يتم إنتاجه باستخدام خط الإنتاج القياسي العسكري الوطنيلضمان جودة أعلى وأداء أعلى.

 

المعلمات التقنية:

الممتلكات القيمة
القوة قوة عالية
المزايا بناءً على خط الإنتاج القياسي العسكري الوطني، العملية مستقرة والجودة موثوقة
النوع ن
المقاومة قلة المقاومة
اسم المنتج MOSFET عالية الطاقة
التكرار التردد العالي
نوع الجهاز MOSFET
الكفاءة كفاءة عالية
التطبيق عاكس الطاقة الشمسية، محول التيار المستمر / المتردد عالي الجهد، سائق المحرك، مصدر الطاقة UPS، مصدر الطاقة التبديلي، كومة الشحن، الخ
 

التطبيقات:

الاسباب MOSFET عالية الطاقة

MOSFET عالي الطاقة REASUNOS هو نوع من الأجهزة من MOSFET ذات المقاومة المنخفضة والطاقة العالية. يتم تصنيعه في قوانغدونغ ، الصين ، ويستند إلى خط الإنتاج القياسي العسكري الوطني.هذا يضمن أن العملية مستقرة والجودة موثوق بهاتردد هذا الجهاز مرتفع

يتم تأكيد سعر هذا المنتج على أساس المنتج. تفاصيل التعبئة والتغليف هي GB + Master Carton. وقت التسليم هو 2-30 يومًا والذي يعتمد على الكمية الكلية.مطلوب 100٪ T / T مقدما ((EXW) لشروط الدفعالقدرة على توفير هذا المنتج هي 5K / الشهر.

ميزات REASUNOS High Power MOSFET تشمل انخفاض المقاومة، والقوة العالية، والتردد العالي،والجودة الموثوق بها بسبب خط الإنتاج القياسي العسكري الوطني الذي يقوم عليه.

 

الدعم والخدمات:

الدعم التقني وخدمة MOSFET عالية الطاقة

لأي أسئلة تتعلق بـ High Power MOSFET ، نحن نقدم الدعم التقني والخدمات لعملائنا.

  • نحن نقدم الدعم العملاء 24/7 والدعم التقني عن طريق الهاتف، والبريد الإلكتروني، والحياة الدردشة.
  • نحن نقدم معلومات شاملة عن المنتجات وأسئلة شائعة لمساعدة العملاء على اختيار أفضل منتج لتطبيقهم.
  • نحن نقدم خدمة استشارات فنية مجانية لمساعدة العملاء على فهم المنتج وميزاته.
  • نحن نقدم الدعم الفني في الموقع وخدمات الإصلاح.
  • نحن نقدم مجموعة واسعة من دورات التدريب لمساعدة العملاء على فهم المنتج بشكل أفضل.
  • نحن نقدم تحديثات البرمجيات والبرمجيات الثابتة لضمان أن المنتج هو حتى الآن.
 

التعبئة والشحن:

التعبئة والشحن لموسفيت عالية الطاقة:

يتم تعبئة MOSFETs ذات الطاقة العالية في عبوات واقية من التفريغ الكهربائي (ESD) ، ويتم شحنها في صندوق آمن مع غلاف فقاعة.يتم وضع علامة على جميع العبوات مع اسم المنتج ورقم تعريف فريدمما يسمح بتعقب سهل.

 

الأسئلة الشائعة:

س1: ما هو اسم العلامة التجارية لهذا MOSFET عالي الطاقة؟
الجواب: اسم العلامة التجارية لهذا الـ High Power MOSFET هو REASUNOS.
السؤال 2: أين يتم إنتاج هذا MOSFET ذو الطاقة العالية؟
ج2: هذا الـ MOSFET ذو الطاقة العالية يتم إنتاجه في قوانغدونغ، الصين.
س3: ما هو سعر هذا MOSFET ذو الطاقة العالية؟
ج3: يتم تأكيد سعر هذا MOSFET عالي الطاقة بناءً على المنتج.
السؤال 4: كيف يتم تعبئة هذا MOSFET ذو الطاقة العالية؟
A4: يتم تعبئة هذا MOSFET ذو الطاقة العالية مع GB + Master Carton.
س5: ما هو وقت التسليم من هذا MOSFET عالية الطاقة؟
ج5: وقت التسليم من هذا MOSFET عالية الطاقة هو 2-30 يوما، اعتمادا على الكمية الكلية.
بطاقة:

مستدامة عالية الطاقة N القناة Mosfet,محول MOSFET عالية الطاقة,قناة N MOSFET عالية الطاقة

سطح جبل MOSFET عالية الطاقة,MOSFET ذات الطاقة العالية,موزفيت الطاقة عالية الجهد

N Channel High Power MOSFET