Monture de surface MOSFET haute puissance multiscène haute tension durable

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xRésistance | Faible résistance | Le type | N |
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Avantages | Basé sur la chaîne de production de normes militaires nationales, le processus est stable et la qual | Le pouvoir | Puissance élevée |
Type de dispositif | Transistor MOSFET | l'efficacité | Rendement élevé |
Application du projet | Onduleur solaire, convertisseur DC/DC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentatio | Fréquence | À haute fréquence |
Mettre en évidence | Monture de surface MOSFET à haute puissance,Multiscène MOSFET haute puissance,Mosfet de puissance haute tension durable |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
1 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | |
2 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | |
3 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | |
4 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | |
5 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | |
7 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 |
MOSFET haute tension Processus stable Qualité fiable Haute puissance
Description du produit:
LeMOSFET à haute puissanceest un type avancé de transistor à effet de champ à semi-conducteurs d'oxyde de métal (MOSFET) conçu pour répondre aux besoins les plus élevés en matière de performances dans un large éventail d'applications, y compris les onduleurs solaires,les convertisseurs à haute tension CC/DC, les conducteurs de moteur, les alimentations UPS, les alimentations de commutation, les piles de charge, et plus encore.Il est équipé d'un MOSFET de type N à haute efficacité basé sur la ligne de production standard militaire nationaleIl offre des performances améliorées et un rendement élevé, ce qui en fait un choix idéal pour les applications à haute puissance.
Ce MOSFET offre un courant élevé et une capacité de puissance élevée, ce qui le rend adapté à un large éventail d'applications.alors que sa faible charge de porte et sa faible capacité de porte-source réduisent les pertes de commutationEn outre, il est disponible dans une variété de packages, ce qui facilite l'intégration dans les conceptions existantes.
LeMOSFET à haute puissanceest un excellent choix pour de nombreuses applications en raison de sa haute efficacité et fiabilité.MOSFET à courant élevé qui est produit à l'aide de la ligne de production de la norme militaire nationale, assurant une qualité et des performances supérieures.
Paramètres techniques:
Les biens immobiliers | Valeur |
---|---|
Le pouvoir | Le pouvoir suprême |
Les avantages | Basé sur la ligne de production militaire nationale, le processus est stable et la qualité est fiable |
Le type | N |
Résistance | Faible résistance |
Nom du produit | MOSFET à haute puissance |
Fréquence | Fréquence élevée |
Type de dispositif | MOSFET |
Efficacité | Haute efficacité |
Application du projet | Invertisseur solaire, convertisseur CC/CC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentation commutée, pile de charge, etc. |
Applications:
REASUNOS High Power MOSFET est un type de dispositif de MOSFET à faible résistance et à haute puissance. Il est fabriqué au Guangdong, en Chine, et est basé sur la ligne de production standard militaire nationale.Cela garantit que le processus est stable et que la qualité est fiableLa fréquence de cet appareil est élevée.
Le prix de ce produit est confirmé en fonction du produit. Ses détails d'emballage sont GB + Master Carton. Le délai de livraison est de 2 à 30 jours qui dépend de la quantité totale.100% T/T à l'avance ((EXW) est requis pour les conditions de paiementLa capacité d'approvisionnement de ce produit est de 5K/mois.
Les avantages de REASUNOS High Power MOSFET comprennent sa faible résistance, sa puissance élevée, sa fréquence élevée,et sa qualité fiable grâce à la ligne de production militaire nationale standard sur laquelle il est basé.
Assistance et services:
Pour toute question liée au MOSFET à haute puissance, nous fournissons un soutien technique et des services à nos clients.
- Nous fournissons un support client 24/7 et un support technique par téléphone, e-mail et chat en direct.
- Nous fournissons des informations complètes sur les produits et des FAQ pour aider les clients à choisir le meilleur produit pour leur application.
- Nous offrons un service de consultation technique gratuit pour aider les clients à comprendre le produit et ses caractéristiques.
- Nous fournissons un soutien technique et des services de réparation sur place.
- Nous offrons une large gamme de cours de formation pour aider les clients à mieux comprendre le produit.
- Nous fournissons des mises à jour logicielles et du firmware pour assurer la mise à jour du produit.
Emballage et expédition
Emballage et expédition du MOSFET à haute puissance:
Les MOSFET à haute puissance sont emballés dans un emballage protecteur contre les décharges électrostatiques (ESD) et expédiés dans une boîte sécurisée avec enveloppe à bulles.Tous les emballages sont étiquetés avec le nom du produit et un numéro d'identification unique, ce qui permet un suivi facile.