실용적인 60KHz 고주파 IGBT, 다기능 게이트 양극 트랜지스터

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x교환 속도 | 더 빠른 전환 속도 | 응용기기 주파수 | 60KHz |
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힘 | 고전력 | 장치 타입 | IGBT |
적용 | OBC, 충전파일, 용접기, 스위칭 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 에너지 저장 장치 등 | 장점 | 좁은 메사 설계, 더욱 최적화된 그루브 조합 설계, 더욱 높은 신뢰성 설계 및 차량 사양 요구 사항에 대한 엄격한 참조. |
제품 이름 | 고전력 IGBT | 전류 밀도 | 400A/c㎡ |
강조하다 | 실용적인 고주파 IGBT,60KHz 고주파 IGBT,다기능 게이트 양극 트랜지스터 |
No. | Part No. | Type | Specifications and models | Package | application | |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSG50N65HW | B | 650V 50A | TO-247-3 | portable energy storage、UPS、power supply | |
2 | RSG75N65HW | B | 650V 75A | TO-247-3 | portable energy storage、UPS、power supply | |
3 | RSG75N65UW | B | 650V 75A (High frequency) | TO-247-3 | High frequency power supply、Charging pile | |
4 | RSG40N120W | B | 1200V 40A | TO-247-3 | UPS、Air-conditioning compressor、PTC | |
5 | RSG40N120HW | B | 1200V 40A(Middle frequency) | TO-247-3 | UPS、motor driven | |
6 | RSG75N120UWP | B | 1200V 75A(High frequency) | TO-247-3 | High frequency power supply、Charging pile、photovoltaic、welder | |
7 | RSG120N120HWP | B | 1200V 120A(Middle frequency) | TO-247-3 | energy storage system、photovoltaic、UPS | |
8 | RSG120N120HZP | B | 1200V 120A(Middle frequency) | TO-247-4 | energy storage system、UPS |
산업용 고전력 IGBT 장치
제품 설명:
고전력 격리 게이트 양극 트랜지스터 (High Power Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) 는 고전력 출력을 제공하기 위해 특별히 설계된 전력 반도체 장치의 일종이다.그것은 높은 전압과 높은 전류 밀도를 필요로 응용 프로그램에 이상적입니다그것은 더 빠른 전환 속도, 400A / cm2의 전류 밀도, 좁은 메사 디자인, 더 최적화된 굴곡 조합 디자인, 더 높은 신뢰성 디자인과 같은 다양한 장점을 갖추고 있습니다.그리고 차량 사양 요구 사항에 대한 엄격한 참조이것은 IGBT를 고전력 애플리케이션에 이상적인 선택으로 만듭니다.
기술 매개 변수:
제품 이름 | 고전력 IGBT |
장치 유형 | IGBT |
적용 | OBC, 충전 스파일, 용접 기계, 스위치 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 에너지 저장, 등 |
사용 빈도 | 60KHz |
힘 | 높은 힘 |
전류 밀도 | 400A/cm2 |
전환 속도 | 더 빠른 전환 속도 |
장점 | 좁은 메사 디자인, 더 최적화된 굴곡 조합 디자인, 더 높은 신뢰성 디자인, 그리고 차량 사양 요구 사항에 대한 엄격한 참조. |
응용 프로그램:
중국 광둥에서 REASUNOS에 의해 제조 된 고전력 IGBT는 400A / cm2의 전류 밀도를 가진 신뢰할 수있는 장치입니다. 빠른 전환 속도를 가지고 있으며 OBC, 충전 스틸,용접기, 스위칭 전원 공급, 태양광 인버터, 에너지 저장. 그것은 좁은 메사 디자인, 더 최적화된 굴곡 조합 디자인, 더 높은 신뢰성 디자인,그리고 차량 사양 요구 사항에 대한 엄격한 참조이 제품의 가격은 양에 따라 달라지며, 진흙, 물, 반 정적 튜버형 포장재로 포장되어 있으며, 카드박스 안에 배치되어 있습니다.배달 시간은 보통 2~30일입니다.전체 양에 따라 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW) 입니다. 최대 공급 용량은 5KK/개월입니다.
지원 및 서비스:
우리는 우리의 고객이 그들의 투자에서 최대 가치를 얻을 수 있도록 하 고 파워 IGBT 제품에 대한 기술 지원 및 서비스 옵션의 범위를 제공합니다.
- 제품 선택 및 디자인 지원
- 애플리케이션 엔지니어링 지원
- 시험 및 자격 서비스
- 제품 신뢰성 및 라이프 사이클 관리
- 현장 기술 지원 및 서비스
- 온라인 기술 지원 및 서비스
경험 많은 엔지니어의 우리 팀은 고전력 IGBT 제품에 대한 포괄적인 기술 지원 및 서비스를 제공 할 수 있습니다.
포장 및 운송:
고전력 IGBT 포장 및 운송:
고전력 IGBT 제품은 특수 반 정적 포장 재료에 포장되어 두 층으로 배송됩니다. 첫 번째 층은 항 정적 가방과 같은 보호 외부 포장지입니다.카드박스두 번째 층은 항 정적 봉지, 폼 등과 같은 보호용 내부 포장재입니다.내부 포장지는 외부 포장지에 단단히 고정되어 운송 중에 외부 힘으로부터 제품을 보호해야합니다.패키지는 제품 이름과 모델 번호를 명확하게 표시해야합니다.
FAQ:
- Q: 고전력 IGBT의 브랜드 이름은 무엇입니까?
- A:하이 파워 IGBT의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
- Q: 고전력 IGBT는 어디서 생산되는가?
- A:고전력 IGBT는 중국의 광둥성에서 제조됩니다.
- Q: 고전력 IGBT의 가격은 얼마인가요?
- A:고전력 IGBT의 비용은 제품에 따라 결정되어야 합니다.
- Q: 고전력 IGBT는 어떤 종류의 패키지를 가지고 있습니까?
- A:하이 파워 IGBT는 먼지, 방수, 반 정적 튜버형 포장으로 제공됩니다.
- Q: 높은 전력 IGBT의 배송 시간은 얼마나 되나요?
- A:고전력 IGBT의 배송 시간은 전체 양에 따라 2~30일 사이가 될 수 있습니다.
- Q: 고전력 IGBT에 대한 지불 기간은 무엇입니까?
- A:고전력 IGBT의 지불 기간은 100% T/T Advance (EXW) 입니다.
- Q: 고전력 IGBT의 공급 능력은 무엇입니까?
- A:고전력 IGBT의 공급 능력은 5KK/개월입니다.