Langlebiger industrieller Hochstrom-IGBT, isolierter Tortransistor zur Energiespeicherung

Herkunftsort Guangdong, KN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Verpackung Informationen Staub-, Wasser- und antistatische Rohrverpackungen, in Kartons
Lieferzeit 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge)
Zahlungsbedingungen 100% T/T im Voraus (EXW)
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 5KK/Monat

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Produktdetails
Produktbezeichnung IGBT mit hoher Leistung Spezifische Stromdichte 400 A/cm2
Anwendungs-Frequenz 60KHz Schaltverzögerung Schnellere Schaltgeschwindigkeit
Vorteile Schmaler Messendesign, optimiertere Schleusenkombinationsdesign, höhere Zuverlässigkeitsdesign und s Einheitentyp IGBT
Anwendung OBC, Ladestelle, Schweißmaschine, Schaltanlage, Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeicher usw. Macht Hohe Leistung
Hervorheben

Dauerhafte Hochstrom-IGBT

,

Industrielle Hochstrom-IGBT

,

Transistor mit isoliertem Tor für die Speicherung von Energie

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No. Part No. Type Specifications and models Package application
1 RSG50N65HW B 650V 50A TO-247-3 portable energy storage、UPS、power supply
2 RSG75N65HW B 650V 75A TO-247-3 portable energy storage、UPS、power supply
3 RSG75N65UW B 650V 75A (High frequency) TO-247-3 High frequency power supply、Charging pile
4 RSG40N120W B 1200V 40A TO-247-3 UPS、Air-conditioning compressor、PTC
5 RSG40N120HW B 1200V 40A(Middle frequency) TO-247-3 UPS、motor driven
6 RSG75N120UWP B 1200V 75A(High frequency) TO-247-3 High frequency power supply、Charging pile、photovoltaic、welder
7 RSG120N120HWP B 1200V 120A(Middle frequency) TO-247-3 energy storage system、photovoltaic、UPS
8 RSG120N120HZP B 1200V 120A(Middle frequency) TO-247-4 energy storage system、UPS
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Produkt-Beschreibung

IGBT-Gerät mit hoher Zuverlässigkeit für industrielle Anwendungen

Beschreibung des Produkts:

High Power IGBT ist ein Hochleistungs-Gate-Bipolartransistor, der eine ideale Wahl für Anwendungen mit hoher Stromdichte und schnellerer Schaltgeschwindigkeit ist.Es hat eine Stromdichte von 400 A/cm2 und eine Schaltgeschwindigkeit von 60 KHzDer Hochleistungs-Bipolartransistor wird häufig in OBC, Ladestationen, Schweißmaschinen, Schaltnetzen, Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeicher und anderen Anwendungen eingesetzt.Mit seiner überlegenen Leistung, High Power IGBT ist eine ideale Wahl für Anwendungen, die hohe Leistung und hohe Frequenz erfordern.

 

Technische Parameter:

Parameter Wert
Macht Hohe Macht
Anwendung OBC, Ladestelle, Schweißmaschine, Schaltanlage, Photovoltaik-Wechselrichter, Energiespeicher usw.
Produktbezeichnung IGBT mit hoher Leistung
Vorteile Schmaler Messendesign, optimiertere Schleusenkombinationsdesign, höhere Zuverlässigkeitsdesign und strenge Bezugnahme auf die Fahrzeugspezifikationsanforderungen.
Gerätetypen IGBT
Häufigkeit der Anwendung 60 kHz
Schaltgeschwindigkeit Schnellere Schaltgeschwindigkeit
Stromdichte 400 A/cm2
 

Anwendungen:

REASUNOS High Power IGBT ist ein Hochleistungs-Bipolartransistor, der für eine hervorragende Schaltgeschwindigkeit und Stromdichte ausgelegt ist.CN und ist perfekt für Anwendungen wie OBC, Ladesäulen, Schweißmaschinen, Schaltnetzteile, Photovoltaik-Wechselrichter und Energiespeicher.in einer Kartonbox in Kartons gepackt und mit einer Lieferzeit von 2-30 TagenDer Preis des Produktes wird bei Kauf bestätigt und die Zahlung erfolgt mit 100% T/T im Voraus (EXW).Die Versorgungsfähigkeit von REASUNOS High Power IGBT beträgt 5KK/Monat und die Stromdichte beträgt 400A/cm2.

 

Unterstützung und Dienstleistungen:

Technische Unterstützung und Wartung von Hochleistungs-IGBT

Wir bieten umfassende technische Unterstützung und Service für High Power IGBT.

Unser Team von erfahrenen technischen Support-Ingenieuren steht Ihnen jederzeit zur Verfügung, um Fragen zu beantworten.und BetriebWir können auch bei der Auswahl und Gestaltung von Produkten helfen.

Wir bieten Ihnen den höchsten Kundenservice und technischen Support.Wir bieten rechtzeitige Antwort und Lösung für alle AnfragenWir bieten auch laufende Wartungs- und Reparaturleistungen an.

Unsere technischen Support- und Service-Teams sind bestrebt, sicherzustellen, dass unsere Kunden das Beste aus ihren High Power IGBT-Produkten herausholen.Wir sind bestrebt, den höchsten Kundenservice und Support zu bieten..

 

Verpackung und Versand:

Verpackung und Versand von Hochleistungs-IGBT

Die Hochleistungs-IGBT wird nach folgendem Verfahren verpackt und versandt:

  • Die IGBT wird in einen statischen Beutel gelegt, um sie vor elektrostatischer Entladung zu schützen.
  • Die Tasche wird für zusätzliche Dämpfung in einen Blasenhülle gelegt.
  • Der Bubble-Wrap-Sleeve wird in eine Schachtel gelegt, die mit Schaum gefüllt ist, um sicherzustellen, dass das IGBT während des Transports nicht beschädigt wird.
  • Die Box ist mit den Produktinformationen und der Versandadresse versehen.
  • Die Kiste ist gut versiegelt und über einen zuverlässigen Kurier versandt.
 

Häufige Fragen:

IGBT-Fragen und Antworten mit hoher Leistung

F1: Wie heißt der Markenname des Hochleistungs-IGBT?

A1: Der Markenname des Hochleistungs-IGBT ist REASUNOS.

F2: Wo ist der Ursprungsort von Hochleistungs-IGBT?

A2: Der Ursprungsort von Hochleistungs-IGBT ist Guangdong, China.

F3: Wie hoch ist der Preis für Hochleistungs-IGBT?

A3: Der Preis für Hochleistungs-IGBT wird je nach Produkt bestätigt.

F4: Was sind die Verpackungsdetails von Hochleistungs-IGBT?

A4: Die Verpackungsdetails von Hochleistungs-IGBT ist eine staubdichte, wasserdichte und antistatische Rohrverpackung, die in Kartons in einem Karton verpackt ist.

F5: Was ist die Lieferzeit von Hochleistungs-IGBT?

A5: Die Lieferzeit von Hochleistungs-IGBT beträgt 2-30 Tage (abhängig von der Gesamtmenge).