ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
คำหลัก [ n channel high power mosfet ] การจับคู่ 70 ผลิตภัณฑ์.
โลหะ ใช้งานได้ดี โลหะสูง Sic Mosfet, N ประเภท Silicon Carbide Semiconductor
| ข้อดี: | ขึ้นอยู่กับสายการผลิตมาตรฐานการทหารแห่งชาติ กระบวนการมีเสถียรภาพและคุณภาพเชื่อถือได้ |
|---|---|
| พลัง: | พลังงานสูง |
| ประเภท: | เอ็น |
VIDEO
เครื่องแปลงที่มั่นคง ทรานซิสเตอร์ซิลิคอนคาร์ไบด์ ไฟฟ้า UPS SiC FETs
| พลัง: | พลังงานสูง |
|---|---|
| ความต้านทาน: | ความต้านทานต่ำ |
| การใช้งาน: | เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์, เครื่องแปลงไฟ DC/DC ไฟฟ้าแรงสูง, ตัวขับมอเตอร์, เครื่องจ่ายไ |
แอนติซอร์จ ซุปเปอร์จูนชั่น มอส ใช้งาน N Channel โมเทลโอไซด์ครึ่งประสาท
| การใช้งาน: | ไดร์เวอร์ LED, วงจร PFC, แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง, UPS ของระบบจ่ายไฟต่อเนื่อง, อุปกรณ์พลังงานพลังงานให |
|---|---|
| ประเภท: | เอ็น |
| ความจุ: | ความจุทางแยกต่ำเป็นพิเศษ |
FET ความดันต่ําหลากหลาย, ทนทานแรงต่ํา N ช่อง Mosfet
| ความต้านทาน: | ถนนต่ำ(ON) |
|---|---|
| การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก: | การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ |
| กระบวนการโครงสร้าง: | ร่องลึก/SGT |
Multi-scene กระแสความดันต่ํา MOSFET P สําหรับกระบวนการเก็บพลังงาน SGT
| ชื่อสินค้า: | มอสเฟตแรงดันต่ำ |
|---|---|
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้ |
| การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก: | การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ |
การชาร์จเร็ว โมสเฟตความดันต่ํา N Channel Multipurpose สําหรับคนขับรถยนต์
| การใช้พลังงาน: | การสูญเสียพลังงานต่ำ |
|---|---|
| ความสามารถของ EAS: | ความสามารถ EAS สูง |
| กระบวนการโครงสร้าง: | ร่องลึก/SGT |
อุตสาหกรรมยาวนาน Super Junction Mos, Multi Function Mosfet discrete
| ชื่อสินค้า: | ซุปเปอร์จังค์ชัน MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| การใช้งาน: | ไดร์เวอร์ LED, วงจร PFC, แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง, UPS ของระบบจ่ายไฟต่อเนื่อง, อุปกรณ์พลังงานพลังงานให |
| ข้อดี: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. มันทำโดยกระบวนการ Epitaxy หลายชั้น Compa |
โมสเฟตช่อง P ที่มีความจุต่ํา 20 วอลต์ ที่มั่นคง ทรานซิสเตอร์กระแสไฟฟ้าสูงความแรงต่ํา
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้ |
|---|---|
| การใช้พลังงาน: | การสูญเสียพลังงานต่ำ |
| การสมัครกระบวนการ SGT: | ตัวขับมอเตอร์, สถานีฐาน 5G, การจัดเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบซิงโครนัส |
มอเตอร์ไดรเวอร์ โลเวตช์ประตูต่ํา โมสเฟต มัลติสเซนต่ํา VGS N ช่องโมสเฟต
| ข้อดีของกระบวนการร่องลึก: | RSP ที่เล็กกว่า ทั้งซีรีส์และการกำหนดค่าแบบขนานสามารถรวมและใช้งานได้อย่างอิสระ |
|---|---|
| ความต้านทาน: | ถนนต่ำ(ON) |
| การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก: | การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ |
RSP ขนาดเล็ก ความดันต่ํา MOSFET Multi Scene N Channel ต่ําขั้นต่ํา
| ความสามารถของ EAS: | ความสามารถ EAS สูง |
|---|---|
| ข้อดีของกระบวนการ SGT: | การเพิ่มประสิทธิภาพ FOM ที่ก้าวล้ำ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น |
| การสมัครกระบวนการ SGT: | ตัวขับมอเตอร์, สถานีฐาน 5G, การจัดเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบซิงโครนัส |