ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
คำหลัก [ n channel high power mosfet ] การจับคู่ 70 ผลิตภัณฑ์.
อินเวอร์เตอร์ โฟลเตจสูง Fet, พลังงานไฟฟ้า N Channel Mosfet ทรานซิสเตอร์
| แอปพลิเคชัน Ultra-HV MOSFET: | มิเตอร์อัจฉริยะ, พาวเวอร์ซัพพลายของตู้, พาวเวอร์ซัพพลายสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, ระบบไฟฟ้ากำลัง ฯลฯ |
|---|---|
| ประเภท: | เอ็น |
| การกระจายความร้อน: | กระจายความร้อนได้ดี |
กระบวนการหลายชั้นอุตสาหกรรม Super Junction MOSFET
| ความต้านทานภายใน: | ความต้านทานภายในขนาดเล็กเป็นพิเศษ |
|---|---|
| การใช้งาน: | ไดร์เวอร์ LED, วงจร PFC, แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง, UPS ของระบบจ่ายไฟต่อเนื่อง, อุปกรณ์พลังงานพลังงานให |
| ข้อดี: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. มันทำโดยกระบวนการ Epitaxy หลายชั้น Compa |
การเก็บพลังงาน MOSFET ความดันต่ํา ใช้งาน N Channel ความสามารถ EAS สูง
| ความสามารถของ EAS: | ความสามารถ EAS สูง |
|---|---|
| ข้อดีของกระบวนการร่องลึก: | RSP ที่เล็กกว่า ทั้งซีรีส์และการกำหนดค่าแบบขนานสามารถรวมและใช้งานได้อย่างอิสระ |
| กระบวนการโครงสร้าง: | ร่องลึก/SGT |
MOSFET ความดันต่ําที่ใช้ได้หลายประการ N Channel Low Rds
| กระบวนการโครงสร้าง: | ร่องลึก/SGT |
|---|---|
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้ |
| ข้อดีของกระบวนการ SGT: | การเพิ่มประสิทธิภาพ FOM ที่ก้าวล้ำ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น |
MOSFET N-Channel ประสิทธิภาพสูงที่มีการผลิตมาตรฐานทางทหาร สําหรับการใช้งานในเครื่องเปลี่ยนแสงอาทิตย์
| พลัง: | กำลังสูง |
|---|---|
| ความถี่: | ความถี่สูง |
| ความต้านทาน: | ความต้านทานต่ำ |
อินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์ ทรานซิสเตอร์ความดันสูง สําหรับสภาพแวดล้อมอุณหภูมิสูง
| ทนต่ออุณหภูมิ: | ทนต่ออุณหภูมิสูง |
|---|---|
| ป้องกันกระแสไฟกระชาก: | ความสามารถในการป้องกันไฟกระชากในปัจจุบัน |
| พลัง: | พลังงานสูง |
300V 600V ความดันสูง N Channel Mosfet ทรานซิสเตอร์พลังงานความดันสูงอุตสาหกรรม
| แอปพลิเคชัน FRD HV MOSFET แบบฝัง: | ซีรีย์มอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรฮาล์ฟบริดจ์/ฟูลบริดจ์ ฯลฯ |
|---|---|
| ประเภท: | เอ็น |
| เทคโนโลยี: | มอสเฟต |
Inverter โซลาร์ ซิลิคอน คาร์ไบด์ MOSFET N ช่องสําหรับอุตสาหกรรม
| ประเภทอุปกรณ์: | มอสเฟต |
|---|---|
| ความถี่: | ความถี่สูง |
| ความต้านทาน: | ความต้านทานต่ำ |
อินเวอร์เตอร์ทนทาน ทรานซิสเตอร์ความดันสูง ช่องหลายฟังก์ชัน N โมสเฟต
| การรั่วไหล: | การรั่วไหลต่ำสามารถเข้าถึงน้อยกว่า 1 µ A |
|---|---|
| คะแนนแรงดันไฟฟ้า: | ไฟฟ้าแรงสูง/ไฟฟ้าแรงสูงพิเศษ |
| แอปพลิเคชัน Ultra-HV MOSFET: | มิเตอร์อัจฉริยะ, พาวเวอร์ซัพพลายของตู้, พาวเวอร์ซัพพลายสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, ระบบไฟฟ้ากำลัง ฯลฯ |
องค์ประกอบครึ่งประจุไฟฟ้าความถี่สูงที่ปฏิวัติ สําหรับระบบพลังงานที่เกิดใหม่
| ทนต่ออุณหภูมิ: | ทนต่ออุณหภูมิสูง |
|---|---|
| ย้อนกลับการกู้คืนปัจจุบัน: | กระแสการกู้คืนย้อนกลับต่ำมาก |
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูง |