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कीवर्ड [ n channel high power mosfet ] मेल खाते हैं 70 उत्पादों.
धातु व्यावहारिक उच्च वोल्टेज Sic Mosfet, एन प्रकार सिलिकॉन कार्बाइड अर्धचालक
| लाभ: | राष्ट्रीय सैन्य मानक उत्पादन लाइन के आधार पर, प्रक्रिया स्थिर है और गुणवत्ता विश्वसनीय है |
|---|---|
| शक्ति: | उच्च शक्ति |
| प्रकार: | एन |
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स्थिर कनवर्टर सिलिकॉन कार्बाइड ट्रांजिस्टर, यूपीएस बिजली की आपूर्ति SiC FETs
| शक्ति: | उच्च शक्ति |
|---|---|
| प्रतिरोध: | प्रतिरोध पर कम |
| आवेदन: | सोलर इन्वर्टर, हाई-वोल्टेज डीसी/डीसी कनवर्टर, मोटर ड्राइवर, यूपीएस बिजली आपूर्ति, स्विचिंग बिजली आपू |
एंटी सर्ज सुपर जंक्शन मोस, व्यावहारिक एन चैनल धातु ऑक्साइड अर्धचालक
| आवेदन: | एलईडी ड्राइवर, पीएफसी सर्किट, स्विचिंग बिजली की आपूर्ति, सतत बिजली आपूर्ति प्रणाली का यूपीएस, नई ऊर् |
|---|---|
| प्रकार: | एन |
| समाई: | अल्ट्रा-लो जंक्शन कैपेसिटेंस |
बहुउद्देश्यीय कम वोल्टेज FET, टिकाऊ कम शक्ति N चैनल Mosfet
| प्रतिरोध: | कम आरडीएस(चालू) |
|---|---|
| ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन: | वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस |
| संरचना प्रक्रिया: | ट्रेंच/एसजीटी |
ऊर्जा भंडारण के लिए मल्टीस्केन कम वोल्टेज एमओएसएफईटी पी चैनल एसजीटी प्रक्रिया
| उत्पाद का नाम: | कम वोल्टेज MOSFET |
|---|---|
| दक्षता: | उच्च दक्षता और विश्वसनीय |
| ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन: | वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस |
मोटर चालक के लिए फास्ट चार्जिंग लो वोल्टेज एमओएसएफईटी एन चैनल बहुउद्देश्यीय
| बिजली की खपत: | कम बिजली हानि |
|---|---|
| ईएएस क्षमता: | उच्च ईएएस क्षमता |
| संरचना प्रक्रिया: | ट्रेंच/एसजीटी |
टिकाऊ औद्योगिक सुपर जंक्शन मॉस, मल्टी फंक्शन मॉसफेट डिस्क्रेट
| उत्पाद का नाम: | सुपर जंक्शन मॉसफेट/एसजे मोस्टेट |
|---|---|
| आवेदन: | एलईडी ड्राइवर, पीएफसी सर्किट, स्विचिंग बिजली की आपूर्ति, सतत बिजली आपूर्ति प्रणाली का यूपीएस, नई ऊर् |
| लाभ: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. यह मल्टी-लेयर एपिटैक्सी प्रक्रिया द्वारा बनाया |
स्थिर 20V कम शक्ति पी चैनल मोस्फेट, व्यावहारिक कम वोल्टेज उच्च वर्तमान ट्रांजिस्टर
| दक्षता: | उच्च दक्षता और विश्वसनीय |
|---|---|
| बिजली की खपत: | कम बिजली हानि |
| एसजीटी प्रक्रिया आवेदन: | मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। |
मोटर चालक कम गेट वोल्टेज मोस्फेट, मल्टीस्केन कम वीजीएस एन चैनल मोस्फेट
| ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ: | छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह |
|---|---|
| प्रतिरोध: | कम आरडीएस(चालू) |
| ट्रेंच प्रक्रिया आवेदन: | वायरलेस चार्जिंग, फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइवर, डीसी/डीसी कनवर्टर, हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विच, सिंक्रोनस |
लघु आरएसपी कम वोल्टेज एमओएसएफईटी मल्टी सीन एन चैनल कम सीमा
| ईएएस क्षमता: | उच्च ईएएस क्षमता |
|---|---|
| एसजीटी प्रक्रिया के लाभ: | निर्णायक एफओएम अनुकूलन, अधिक एप्लिकेशन को कवर करता है। |
| एसजीटी प्रक्रिया आवेदन: | मोटर ड्राइवर, 5जी बेस स्टेशन, ऊर्जा भंडारण, उच्च आवृत्ति स्विच, सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन। |