ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Anita Yin
หมายเลขโทรศัพท์ : +86 13712219843
วอทส์แอพพ์ : 8613712219843

แอนติซอร์จ ซุปเปอร์จูนชั่น มอส ใช้งาน N Channel โมเทลโอไซด์ครึ่งประสาท

  • Anti Surge Super Junction Mos , Practical N Channel Metal Oxide Semiconductor
สถานที่กำเนิด กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์ REASUNOS
ราคา Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ บรรจุภัณฑ์แบบท่อกันฝุ่น กันน้ำ และป้องกันไฟฟ้าสถิต วางอยู่ภายในกล่องกระดาษแข็งในกล่องกระดาษแข็ง
เวลาการส่งมอบ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน 100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต 5KK/เดือน

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
การใช้งาน ไดร์เวอร์ LED, วงจร PFC, แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง, UPS ของระบบจ่ายไฟต่อเนื่อง, อุปกรณ์พลังงานพลังงานให ประเภท เอ็น
ความจุ ความจุทางแยกต่ำเป็นพิเศษ ชื่อสินค้า ซุปเปอร์จังค์ชัน MOSFET/SJ MOSTET
ข้อดี It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. มันทำโดยกระบวนการ Epitaxy หลายชั้น Compa อัตรากำไรขั้นต้นของ EMI ขอบ EMI ขนาดใหญ่
ประเภทอุปกรณ์ อุปกรณ์จ่ายไฟแบบแยกส่วน ความต้านทานภายใน ความต้านทานภายในขนาดเล็กเป็นพิเศษ
เน้น

มอส สับสนต่อการกระชับกระแส

,

ซุปเปอร์จอนกชั่น โมส น์แคนเนล

,

การใช้งานจริง N Channel Metal Oxide Semiconductor
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
9 RSF60R099W N 31 600 86 99 TO247-3 600
10 RSF60R070W N 45 600 61 70 TO247-3 600
11 RSF60R041W N 70 600 35 41 TO247-3 600
12 RSF60R070F N 48 600 58 68 TO-220F 1000
13 RSF60R026W N 100 600 20 26 TO247-3 600
14 RSU4N65D N 4 650 880 1000 TO-252 2500
15 RSU7N65D N 7 650 560 650 TO-252 2500
16 RSU7N65F N 7 650 560 650 TO-220F 1000
17 RS65R600D N 7.3 650 520 600 TO-252 2500
18 RS65R600F N 7.3 650 520 600 TO-220F 1000
19 RSE65R550D N 7.6 650 480 550 TO-252 2500
20 RSU12N65F N 12 650 380 420 TO-220F 1000
21 RS65R380D N 11 650 340 380 TO-252 2500
22 RS65R380F N 11 650 340 380 TO-220F 1000
23 RS65R280D N 15 650 240 280 TO-252 2500
24 RS65R280F N 15 650 240 280 TO-220F 1000
25 RSE65R210F N 16.8 650 185 210 TO-220F 1000
26 RS65R190F N 20 650 160 190 TO-220F 1000
27 RS65R190S N 20 650 160 190 TO-263 800
28 RS65R190T N 20 650 160 190 TO-220 1000
29 RSF65R190T N 20 650 170 190 TO-220 1000
30 RSE65R180F N 22 650 150 180 TO-220F 1000
31 RSE65R165F N 20.4 650 145 165 TO-220F 1000
32 RSF65R130F N 26 650 115 130 TO-220F 1000
33 RSE70R600F N 7.3 700 520 600 TO-220F 1000
34 RSE70R420F N 11 700 365 420 TO-220F 1000
35 RSE70R360F N 12 700 315 360 TO-220F 1000
36 RSE80R850D N 7 800 740 850 TO-252 2500
37 RS80R500F N 9 800 420 500 TO-220F 1000
38 RSE80R380F N 13 800 330 380 TO-220F 1000
39 RSE80R250F N 18 800 220 250 TO-220F 1000
ฝากข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
รายละเอียดสินค้า

อุตราเล็ก ความต้านทานภายใน Super Junction MOSFET/SJ MOSTET

คําอธิบายสินค้า:

Super Junction MOSFET หรือที่รู้จักกันในชื่อ SJ MOSFET หรือ Superjunction diode เป็นประเภทของอุปกรณ์ที่แยกพลังงานด้วยความต้านทานภายในที่เล็กมาก, อัตราการต่อรอง EMI ที่ใหญ่ และความจุของแยกที่ต่ํามากมันถูกใช้อย่างแพร่หลายในแหล่งการใช้งานที่กว้างขวาง เช่น การควบคุมมอเตอร์, การจัดการแบตเตอรี่, อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค, อัตโนมัติ, และอื่น ๆ อีกมากมาย. Super Junction MOSFETs ได้ถูกปรับปรุงเพื่อให้มีผลงานที่ดีกว่า, ประสิทธิภาพที่ดีเยี่ยม, และความน่าเชื่อถือที่ดีขึ้น.

อุปกรณ์นี้ถูกออกแบบมาเพื่อให้ความหนาแน่นของพลังงานสูงและการปรับปรุงประสิทธิภาพด้วยความต้านทานภายในที่ต่ํามากส่งผลประกอบการที่ดีกว่าด้วยขอบเขต EMI ต่ําและความจุต่อสานที่ต่ํามากมันให้ความสามารถในการปรับขนาดที่สูงขึ้นและความน่าเชื่อถือที่ดีขึ้นกับขนาดของอุปกรณ์ที่หลากหลาย

Super Junction MOSFETs ยังให้ผลประกอบการทางความร้อนที่ดีเยี่ยม ทําให้มันสามารถใช้ได้ในแอปพลิเคชั่นพลังงานสูงและการปรับขนาดที่ดีกว่า. Super Junction MOSFETs เป็นทางออกที่เหมาะสมสําหรับการใช้งานพลังงานสูง เช่น การควบคุมมอเตอร์ การจัดการแบตเตอรี่ และอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค

 

ปริมาตรเทคนิค:

ปริมาตร มูลค่า
ประเภท N
ความจุ ความจุของแยกที่ต่ํามาก
ชื่อสินค้า MOSFET/SJ MOSTET ที่เชื่อมต่อกันสูง
แพ็คเกจ แพ็คเกจขนาดเล็กมาก
ความต้านทานภายใน ความต้านทานภายในที่เล็กมาก
การใช้งาน ไดรเวอร์ LED, วงจร PFC, การสลับปัสดุพลังงาน, UPS ของระบบปัสดุพลังงานต่อเนื่อง, อุปกรณ์พลังงานพลังงานใหม่, เป็นต้น
ประเภทอุปกรณ์ อุปกรณ์ที่ระบุพลังงาน
ข้อดี มันถูกผลิตโดยกระบวนการ Epitaxy หลายชั้น เมื่อเทียบกับกระบวนการ Trench มันมีความสามารถที่ดีต่อการต่อต้าน EMI และการต่อต้านการกระจาย
เงินประกัน EMI เงิน EMI มาก
 

การใช้งาน:

REASUNOS Super Junction MOSFET เป็น MOSFET Si super junction ที่มีความต้านทานภายในที่เล็กมาก, ความจุที่ต่ํามาก, และแพคเกจที่เล็กมาก. มันถูกทําโดยกระบวนการ epitaxy หลายชั้น,และเปรียบเทียบกับกระบวนการขัง, มันมีความสามารถที่ดี anti EMI และ anti surge. มันสมบูรณ์แบบสําหรับการสลับความเร็วสูง, ความหนาแน่นของพลังงานสูง, และความน่าเชื่อถือสูงเครื่องขับเคลื่อนและสาขาควบคุมอุตสาหกรรมอื่น ๆ ด้วยการบรรจุท่อที่กันฝุ่น กันน้ําและกันสแตติกราคาของ Super Junction MOSFET ถูกยืนยันขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์. เวลาในการจัดส่ง 2-30 วันขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมดและระยะเวลาการชําระเงินเป็น 100% T / T ก่อน (EXW). ความสามารถในการจัดจําหน่ายของ Super Junction MOSFET คือ 5KK / เดือน

 

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET Super Junction

Super Junction MOSFET ให้บริการด้านการสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่หลากหลาย เพื่อช่วยลูกค้าแก้ปัญหาที่ท้าทายที่สุดทีมวิศวกรและเทคนิคที่มีประสบการณ์ของเราพร้อมที่จะให้ความช่วยเหลือในหลายวิธีรวมถึง:

  • การสนับสนุนทางเทคนิคทางโทรศัพท์, อีเมล หรือ Live Chat
  • การแก้ไขปัญหาและการวินิจฉัยอย่างละเอียด
  • การสนับสนุนและบํารุงรักษาในสถานที่
  • การปรับปรุงซอฟต์แวร์และฟอร์มแวร์
  • บริการที่ปรึกษาและออกแบบ
  • บริการรับประกันสินค้าและซ่อมแซมสินค้า

เราพยายามที่จะให้การสนับสนุนทางเทคนิคและบริการที่มีคุณภาพสูงสุด สําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET Super Junction ของเราวิศวกรและเทคนิคของเราพร้อมที่จะตอบคําถามใด ๆ ที่คุณอาจมีและให้คําปรึกษาเกี่ยวกับการดําเนินการที่ดีที่สุดสําหรับการใช้งานพิเศษของคุณติดต่อเราวันนี้เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติม

 

การบรรจุและการขนส่ง

การบรรจุและการส่งของ MOSFET Super Junction:

  • ผลิตภัณฑ์ถูกบรรจุในถุงกันสติก
  • จากนั้นผลิตภัณฑ์จะถูกวางอยู่ในกล่องพิเศษ ที่ปิดไว้อย่างมั่นคง
  • จากนั้นกล่องจะบรรจุในกระเป๋าเปลือก และวางในกล่องส่ง
  • จากนั้นกล่องจะถูกส่งผ่านผู้ขนส่งที่ประกันภัย
 

FAQ:

Q1: ชื่อแบรนด์ของ Super Junction MOSFET คืออะไร?
A1: ชื่อแบรนด์ของ Super Junction MOSFET คือ REASUNOS
Q2: สินค้ามาจากไหน?
A2: สินค้ามาจากกวางดง, จีน.
คําถามที่ 3: ราคาเท่าไหร่?
A3: กรุณาติดต่อเราเพื่อยืนยันราคาตามสินค้า
Q4: ผลิตภัณฑ์บรรจุอย่างไร?
A4: ผลิตภัณฑ์ถูกบรรจุไว้ในบรรจุท่อกันฝุ่น กันน้ํา และกันสแตติก ใส่ในกล่องกระดาษกล่อง
Q5: ใช้เวลานานแค่ไหนในการจัดส่งสินค้า?
A5: ใช้เวลา 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด) เพื่อส่งสินค้า
แท็ก:

ทรานซิสเตอร์สับเพอร์จูนชั่นของโลหะออกไซด์

MOSFET PFC วงจร Super Junction

MOSFET พลังงานไฟฟ้า Super Junction