ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
คำหลัก [ n channel high power mosfet ] การจับคู่ 57 ผลิตภัณฑ์.
REACH โมสเฟตพลังงานกระแสไฟฟ้าสูง สถานที่ N Channel Metal Oxide Semiconductor
| ประเภท: | เอ็น |
|---|---|
| ชื่อสินค้า: | มอสเฟตกำลังสูง |
| ความถี่: | ความถี่สูง |
High Frequency High Voltage MOSFET The Ultimate Choice for Switching Power Supply
| Application: | Solar Inverter, High-voltage DC/DC Converter, Motor Driver, UPS Power Supply, Switching Power Supply, Charging Pile, Etc. |
|---|---|
| Power: | High Power |
| Frequency: | High Frequency |
High Frequency High Current MOSFET Advanced Technology for Power Control Systems
| Type: | N |
|---|---|
| Frequency: | High Frequency |
| Product name: | High Power MOSFET |
VIDEO
ทรานซิสเตอร์พลังงาน Sic 1200V อุตสาหกรรม ความดันสูงคงที่ N Channel Mosfet
| ข้อดี: | ขึ้นอยู่กับสายการผลิตมาตรฐานการทหารแห่งชาติ กระบวนการมีเสถียรภาพและคุณภาพเชื่อถือได้ |
|---|---|
| การใช้งาน: | เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์, เครื่องแปลงไฟ DC/DC ไฟฟ้าแรงสูง, ตัวขับมอเตอร์, เครื่องจ่ายไ |
| พลัง: | พลังงานสูง |
ทรานซิสเตอร์ความดันสูงที่ใช้ได้หลายประการ N Channel Power Mosfet
| ความต้านทาน: | ความต้านทานต่ำ |
|---|---|
| คะแนนแรงดันไฟฟ้า: | ไฟฟ้าแรงสูง/ไฟฟ้าแรงสูงพิเศษ |
| การกระจายความร้อน: | กระจายความร้อนได้ดี |
โมสเฟตพลังงานความดันสูงที่มั่นคง, ทรานซิสเตอร์ระบายความร้อน N Channel Mosfet
| การรั่วไหล: | การรั่วไหลต่ำสามารถเข้าถึงน้อยกว่า 1 µ A |
|---|---|
| ชื่อสินค้า: | มอสเฟตแรงดันสูง |
| ความต้านทาน: | ความต้านทานต่ำ |
อินเวอร์เตอร์ โฟลเตจสูง Fet, พลังงานไฟฟ้า N Channel Mosfet ทรานซิสเตอร์
| แอปพลิเคชัน Ultra-HV MOSFET: | มิเตอร์อัจฉริยะ, พาวเวอร์ซัพพลายของตู้, พาวเวอร์ซัพพลายสวิตชิ่งอุตสาหกรรม, ระบบไฟฟ้ากำลัง ฯลฯ |
|---|---|
| ประเภท: | เอ็น |
| การกระจายความร้อน: | กระจายความร้อนได้ดี |
หนาวกันความแรงสูง Sic Mosfet ทรานซิสเตอร์ Fet N Channel หลายประการ
| แอปพลิเคชัน FRD HV MOSFET แบบฝัง: | ซีรีย์มอเตอร์, อินเวอร์เตอร์, การใช้งานวงจรฮาล์ฟบริดจ์/ฟูลบริดจ์ ฯลฯ |
|---|---|
| การกระจายความร้อน: | กระจายความร้อนได้ดี |
| เทคโนโลยี: | มอสเฟต |
กระบวนการหลายชั้นอุตสาหกรรม Super Junction MOSFET
| ความต้านทานภายใน: | ความต้านทานภายในขนาดเล็กเป็นพิเศษ |
|---|---|
| การใช้งาน: | ไดร์เวอร์ LED, วงจร PFC, แหล่งจ่ายไฟแบบสวิตชิ่ง, UPS ของระบบจ่ายไฟต่อเนื่อง, อุปกรณ์พลังงานพลังงานให |
| ข้อดี: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. มันทำโดยกระบวนการ Epitaxy หลายชั้น Compa |
การเก็บพลังงาน MOSFET ความดันต่ํา ใช้งาน N Channel ความสามารถ EAS สูง
| ความสามารถของ EAS: | ความสามารถ EAS สูง |
|---|---|
| ข้อดีของกระบวนการร่องลึก: | RSP ที่เล็กกว่า ทั้งซีรีส์และการกำหนดค่าแบบขนานสามารถรวมและใช้งานได้อย่างอิสระ |
| กระบวนการโครงสร้าง: | ร่องลึก/SGT |