همه محصولات
کلید واژه ها [ n channel high power mosfet ] همخوانی داشتن 70 محصولات.
فلز عملی ولتاژ بالا Sic Mosfet، N نوع سیلیکون کربید نیمه هادی
| مزایای: | بر اساس خط تولید استاندارد نظامی ملی، فرآیند پایدار و کیفیت قابل اعتماد است |
|---|---|
| قدرت: | قدرت بالا |
| نوع: | ن |
VIDEO
متغیر ثابت ترانزیستور کربید سیلیکون، منبع برق UPS SiC FETs
| قدرت: | قدرت بالا |
|---|---|
| مقاومت: | مقاومت کم |
| درخواست: | اینورتر خورشیدی، مبدل DC/DC ولتاژ بالا، درایور موتور، منبع تغذیه UPS، منبع تغذیه سوئیچینگ، شمع شارژ |
ضد افزایش سوپر جنکشن موس، نیمه هادی اکسید فلزی کانال عملی
| درخواست: | درایور LED، مدار PFC، منبع تغذیه سوئیچینگ، یو پی اس سیستم منبع تغذیه پیوسته، تجهیزات انرژی جدید و غی |
|---|---|
| نوع: | ن |
| ظرفیت: | ظرفیت اتصال فوق العاده کم |
FET چند منظوره ولتاژ پایین، دوام کم قدرت N کانال Mosfet
| مقاومت: | Rds پایین (روشن) |
|---|---|
| کاربرد فرآیند ترانشه: | شارژ بی سیم، شارژ سریع، درایور موتور، مبدل DC/DC، سوئیچ فرکانس بالا، یکسوسازی همزمان. |
| فرآیند ساختار: | سنگر/SGT |
کانال MOSFET P چند منظره ای ولتاژ پایین برای ذخیره انرژی
| نام محصول: | ماسفت ولتاژ پایین |
|---|---|
| کارایی: | راندمان بالا و قابل اعتماد |
| کاربرد فرآیند ترانشه: | شارژ بی سیم، شارژ سریع، درایور موتور، مبدل DC/DC، سوئیچ فرکانس بالا، یکسوسازی همزمان. |
شارژ سریع ولتاژ پایین MOSFET N کانال چند منظوره برای راننده موتور
| مصرف برق: | تلفات برق کم |
|---|---|
| قابلیت EAS: | قابلیت EAS بالا |
| فرآیند ساختار: | سنگر/SGT |
موزيک هاي صنايعي پايدار و چند وظيفه
| نام محصول: | Super Junction MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| درخواست: | درایور LED، مدار PFC، منبع تغذیه سوئیچینگ، یو پی اس سیستم منبع تغذیه پیوسته، تجهیزات انرژی جدید و غی |
| مزایای: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. این توسط فرآیند اپیتاکسی چند لایه ساخته شده است |
مستقر 20 ولت قدرت پایین کانال P موسفت، ترانزیستور عملی ولتاژ پایین و جریان بالا
| کارایی: | راندمان بالا و قابل اعتماد |
|---|---|
| مصرف برق: | تلفات برق کم |
| برنامه فرآیند SGT: | درایور موتور، ایستگاه پایه 5G، ذخیره انرژی، سوئیچ فرکانس بالا، اصلاح همزمان. |
راننده موتور ولتاژ پایین دروازه موسفیت، چند منظره پایین VGS N کانال موسفیت
| مزایای فرآیند ترانشه: | RSP کوچکتر، هر دو سری و تنظیمات موازی را می توان آزادانه ترکیب و استفاده کرد. |
|---|---|
| مقاومت: | Rds پایین (روشن) |
| کاربرد فرآیند ترانشه: | شارژ بی سیم، شارژ سریع، درایور موتور، مبدل DC/DC، سوئیچ فرکانس بالا، یکسوسازی همزمان. |
RSP کوچک ولتاژ پایین MOSFET چند صحنه N کانال آستانه پایین
| قابلیت EAS: | قابلیت EAS بالا |
|---|---|
| مزایای فرآیند SGT: | پیشرفت بهینه سازی FOM، پوشش برنامه های بیشتر. |
| برنامه فرآیند SGT: | درایور موتور، ایستگاه پایه 5G، ذخیره انرژی، سوئیچ فرکانس بالا، اصلاح همزمان. |