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インバーター 高電圧FET,電源Nチャネルモスフェットトランジスタ

  • Inverter High Voltage Fet , Power Supply N Channel Mosfet Transistor
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
超HV MOSFETの塗布 スマートなメートル、キャビネットの電源、産業転換の電源、電力システム、等。 タイプ N
熱放散 大きい熱放散 テクノロジー MOSFET
製品名 高圧MOSFET 利点 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。
電圧評価 高圧/超高度の電圧 抵抗 低いオン抵抗
ハイライト

インバーター 高電圧FET

,

Nチャネル 高電圧フェット

,

電源 Nチャネル モスフェットトランジスタ
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

製品説明:

高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのために設計された電源モスフェットの一種である.その特徴は,組み込まれたFRD高電圧MOSFET技術,超高電圧MOSFETアプリケーション組み込みのFRD HV MOSFET技術は,モーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーション,LEDドライバー,アダプター,産業用スイッチング電源さらに,Ultra-HV MOSFETアプリケーションはスマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチ電源,電気電力システムなどに適用できます.さらに低漏れは1μA未満に達し,新しい横向変数ドーピング技術と特殊なパワーMOS構造により,高温で優れた特性を提供します.それは様々な高電圧アプリケーションのための理想的な選択です.

 

技術パラメータ:

テクノロジー MOSFET
抵抗力 低オン抵抗
漏れ 低漏れは1μA未満に達する
定位電圧 高電圧/超高電圧
HV モスフェット 適用 LEDドライバー,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなど
ウルトラHV MOSFET 適用 スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど
利点 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性
組み込み FRD HV MOSFET アプリケーション モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路のアプリケーションなど
熱散 熱 の 散らばる 大量
タイプ N
 

応用:

スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチ電源,電源システム,LEDドライバREASUNOSの新しい横向変数ドーピング技術と特殊なパワーMOS構造で作られ,高温での優れた性能を提供します.

HV MOSFETの価格は製品によって決まり,防塵,防水,抗静的管状の包装で梱包され,紙箱に入れます.配達時間は通常2~30日です. 総数量によって異なります.支払条件は100%T/T (EXW) であり,REASUNOSは月5KKの供給能力を有しています.

組み込み FRD HV MOSFET は,REASUNOS の先進技術を採用し,高電圧アプリケーションで優れた性能を備えています.高電圧アプリケーションに優れた選択になりますまた,HV MOSFETの設置と保守も簡単で,使用寿命も長い.

 

サポートとサービス

高電圧MOSFETの技術サポートとサービス

高電圧MOSFETには,最大限の顧客満足を保証するために,包括的なサポートとサービスを提供します. 高度な訓練を受けた専門家のチームは,技術的支援を提供するために利用可能です.トラブルシューティングと修理サービス.

顧客のニーズを満たすため,私たちは幅広いサービスを提供しています.

  • 設計・構成支援
  • 設置とトラブルシューティングサービス
  • 製品の安全性および規制の遵守に関する試験
  • 保証サービスと修理
  • 製品アップグレードと強化
  • ソフトウェアとファームウェアの更新

高電圧MOSFETに関するご質問に 答えることができます.必要な援助のために,私達に連絡することを躊躇しないでください..

 

梱包と輸送:

高電圧MOSFETの梱包と輸送:

  • 高電圧MOSFET製品は通常,泡状の包装で包装され,箱に入れます.
  • 商品は,DHL,FedEx,またはUPSなどの評判の良い宅配便で送られます.
  • 追跡番号は顧客に提供されています.
  • 運送時間は目的地によって異なります.
 

FAQ:

Q: この高電圧MOSFETのブランド名は?
A: この高電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです
Q: この製品はどこから来たのですか?
A: この製品は中国広東出身です
Q:この製品の価格は?
A: この商品の価格は 商品によって確認される価格です
Q: この製品のパッケージは?
A: この製品 は 防塵,防水,防静的 管状 の 包装 で 梱包 さ れ ており,紙箱 に 詰め られ て いる.
Q: この製品の配達時間は?
A: この商品の配達時間は,総量に応じて 2~30 日です.
Q: この商品の支払い条件は?
A: この商品の支払い条件は100%T/T Advance (EXW) です.
Q: この製品の供給能力は?
A: この製品の供給能力は 5KK/月です.
札:

安定した高電圧電源モスフェット

耐熱 高電圧 シック モスフェット

工業用超高電圧トランジスタ