인버터 고전압 Fet, 전원 공급 N 채널 모스페트 트랜지스터

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

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제품 상세 정보
Ultra-HV MOSFET 애플리케이션 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 전력 시스템 등 종류
방열 뛰어난 열 방출 기술 MOSFET
제품 이름 고전압 MOSFET 장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다.
전압 정격 고전압/초고압 저항 낮은 온 저항
강조하다

인버터 고전압 Fet

,

N 채널 고전압 Fet

,

전원 공급 N 채널 모스페트 트랜지스터

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

제품 설명:

고전압 MOSFET는 고전압 애플리케이션을 위해 설계된 전력 MOSFET의 일종이다. 그것은 내장된 FRD 고전압 MOSFET 기술,초고전압 MOSFET 애플리케이션, 낮은 누출 및 변수 도핑 기술. 내장 된 FRD HV MOSFET 기술은 모터 시리즈, 인버터, 반 브릿지 / 풀 브릿지 회로 응용 프로그램, LED 드라이버, 어댑터,산업용 스위치 전원 공급 장치, 및 인버터 등. 또한, 초고압 MOSFET 응용 프로그램은 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업 스위치 전원 공급 장치 및 전기 전력 시스템 등에 적용됩니다.또한, 낮은 누출은 1μA 이하에 도달 할 수 있으며 새로운 변동 변동 도핑 기술과 특수 전력 MOS 구조로 인해 고온에서 우수한 특성을 제공합니다. 따라서,그것은 다양한 고전압 애플리케이션에 대한 이상적인 선택입니다.

 

기술 매개 변수:

기술 MOSFET
저항력 낮은 전원 저항
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
전압 등급 고전압/극대고전압
HV 모스페트 적용 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
열 분산 큰 열 분산
종류 N
 

응용 프로그램:

REASUNOS 고전압 MOSFET는 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업 스위치 전원 공급 장치, 전기 전력 시스템,LED 드라이버, 어댑터 및 인버터. 그것은 REASUNOS의 새로운 변동 변동 도핑 기술과 높은 온도에서 우수한 특성을 제공하는 특별한 전력 MOS 구조로 만들어졌습니다.

HV MOSFET의 가격은 제품에 따라 결정되며, 먼지, 물, 반 정적 튜버형 포장으로 포장되어, 카튼 상자에 넣을 수 있습니다.배달 시간은 일반적으로 전체 양에 따라 2 ~ 30 일입니다.지불 조건은 100% T/T 사전 (EXW) 이며 REASUNOS는 5KK / 월의 공급 능력을 가지고 있습니다.

임베디드 FRD HV MOSFET는 REASUNOS의 첨단 기술을 채택하고 고전압 애플리케이션에서 우수한 성능을 갖추고 있습니다. 신뢰할 수있는 작동, 높은 효율성 및 높은 신뢰성을 제공합니다.고전압 애플리케이션에 대한 훌륭한 선택. HV MOSFET는 또한 설치 및 유지 보수가 쉽고 긴 서비스 수명을 가지고 있습니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스

우리는 최고 고객 만족을 보장하기 위해 고전압 MOSFET에 대한 포괄적 인 지원과 서비스를 제공합니다. 고도로 훈련 된 전문가의 팀이 기술 지원을 제공 할 수 있습니다.문제 해결 및 수리 서비스.

우리는 고객의 요구를 충족시키기 위해 다양한 서비스를 제공합니다.

  • 설계 및 구성 지원
  • 설치 및 문제 해결 서비스
  • 제품 안전 및 규제 준수 시험
  • 보증 서비스 및 수리
  • 제품 업그레이드 및 향상
  • 소프트웨어 및 펌웨어 업데이트

저희 팀은 우수한 고객 서비스를 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 그리고 우리는 고전압 MOSFET에 대해 여러분이 가질 수 있는 모든 질문에 답할 수 있습니다.필요한 모든 도움에 대해 저희에게 연락하는 것을 주저하지 마십시오..

 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET 포장 및 운송:

  • 고전압 MOSFET 제품은 일반적으로 거품 포장에 포장되어 상자에 배치됩니다.
  • 물품 은 DHL, FedEx, UPS 와 같은 평판 좋은 택배 서비스 를 통해 배송 됩니다.
  • 추적 번호는 고객들에게 제공됩니다.
  • 배송시간은 목적지에 따라 달라집니다.
 

FAQ:

Q: 이 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
A: 이 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
Q: 이 제품은 어디서 왔나요?
A: 이 제품은 중국 광둥에서 왔습니다.
Q: 이 제품의 가격은 얼마입니까?
A: 이 제품의 가격은 제품에 따라 확인됩니다.
Q: 이 제품의 포장지는 무엇입니까?
A: 이 제품 은 먼지, 물, 반 정적 인 튜브 형태의 포장 으로 포장 되어 있으며, 카드본 상자 안 에 포장 되어 있습니다.
Q: 이 제품의 배송 시간은 얼마입니까?
A: 이 제품의 배송 시간은 전체 양에 따라 2~30일입니다.
Q: 이 상품의 지불 조건은 무엇입니까?
A: 이 상품의 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW) 입니다.
Q: 이 제품의 공급 능력은 무엇입니까?
A: 이 제품의 공급 능력은 5KK/개월입니다.