PFC回路のためのアンチEMIスーパージャンクション MOSFET 安定型超高速スイッチング

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x装置タイプ | 力の分離した装置 | 製品名 | 極度の接続点MOSFET/SJ MOSTET |
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内部抵抗 | 超小さい内部抵抗 | 適用する | 連続的な電源システムのLEDの運転者、PFC回路、転換の電源、UPS、新しいエネルギー電力設備、等 |
パッケージ | 超小型パッケージ | EMIの差益 | 大きいEMIの差益 |
キャパシタンス | 超低い接続点キャパシタンス | 利点 | それは多層エピタクシー プロセスによってなされる。堀プロセスと比較されて、それに優秀な反EMIおよび反サージ機能がある |
ハイライト | 抗EMIスーパージャンクションMOSFET,スーパージャンクション MOSFET 安定,PFC回路超高速切換モスフェット |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
9 | RSF60R099W | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO247-3 | 600 | |
10 | RSF60R070W | N | 45 | 600 | 61 | 70 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSF60R041W | N | 70 | 600 | 35 | 41 | TO247-3 | 600 | |
12 | RSF60R070F | N | 48 | 600 | 58 | 68 | TO-220F | 1000 | |
13 | RSF60R026W | N | 100 | 600 | 20 | 26 | TO247-3 | 600 | |
14 | RSU4N65D | N | 4 | 650 | 880 | 1000 | TO-252 | 2500 | |
15 | RSU7N65D | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-252 | 2500 | |
16 | RSU7N65F | N | 7 | 650 | 560 | 650 | TO-220F | 1000 | |
17 | RS65R600D | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-252 | 2500 | |
18 | RS65R600F | N | 7.3 | 650 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
19 | RSE65R550D | N | 7.6 | 650 | 480 | 550 | TO-252 | 2500 | |
20 | RSU12N65F | N | 12 | 650 | 380 | 420 | TO-220F | 1000 | |
21 | RS65R380D | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-252 | 2500 | |
22 | RS65R380F | N | 11 | 650 | 340 | 380 | TO-220F | 1000 | |
23 | RS65R280D | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-252 | 2500 | |
24 | RS65R280F | N | 15 | 650 | 240 | 280 | TO-220F | 1000 | |
25 | RSE65R210F | N | 16.8 | 650 | 185 | 210 | TO-220F | 1000 | |
26 | RS65R190F | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220F | 1000 | |
27 | RS65R190S | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-263 | 800 | |
28 | RS65R190T | N | 20 | 650 | 160 | 190 | TO-220 | 1000 | |
29 | RSF65R190T | N | 20 | 650 | 170 | 190 | TO-220 | 1000 | |
30 | RSE65R180F | N | 22 | 650 | 150 | 180 | TO-220F | 1000 | |
31 | RSE65R165F | N | 20.4 | 650 | 145 | 165 | TO-220F | 1000 | |
32 | RSF65R130F | N | 26 | 650 | 115 | 130 | TO-220F | 1000 | |
33 | RSE70R600F | N | 7.3 | 700 | 520 | 600 | TO-220F | 1000 | |
34 | RSE70R420F | N | 11 | 700 | 365 | 420 | TO-220F | 1000 | |
35 | RSE70R360F | N | 12 | 700 | 315 | 360 | TO-220F | 1000 | |
36 | RSE80R850D | N | 7 | 800 | 740 | 850 | TO-252 | 2500 | |
37 | RS80R500F | N | 9 | 800 | 420 | 500 | TO-220F | 1000 | |
38 | RSE80R380F | N | 13 | 800 | 330 | 380 | TO-220F | 1000 | |
39 | RSE80R250F | N | 18 | 800 | 220 | 250 | TO-220F | 1000 |
製品説明:
スーパージャンクションMOSFETは,LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,および新エネルギー電源機器のための電源分離装置です.多層エピタキシープロセスで作られていますトレンチプロセスと比較して優れたAnti EMIとAnti Surge Capabilitiesを持っています. それは超低ジャンクション容量と超小パッケージを持っています. したがって,これはSJ MOSFETにとって理想的な選択ですスーパーMOSFETとスーパージャンクションパワーMOSFETアプリケーション.
技術パラメータ:
パラメータ | 詳細 |
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製品名 | 超交差点MOSFET/SJ MOSTET |
タイプ | N型 |
適用する | LEDドライバ,PFC回路,スイッチング電源,UPSの連続電源システム,新しいエネルギー電源機器,など |
装置の種類 | 電源を分離する装置 |
パッケージ | 超小型パッケージ |
容量 | 超低回路容量 |
内面 の 抵抗 | 極小な内抵抗 |
EMI マージン | 高いEMI手数料 |
利点 | 多層エピタキシープロセスによって作られています. トレンチプロセスと比較して,それは優れた反EMIと反急増能力を有しています. |
応用:
REASUNOSスーパージャンクションMOSFETは,中国の広東で製造されたSiスーパージャンクションパワーMOSFETである.内部抵抗が非常に小さいし,ジャンクション容量は非常に低い.LEDドライバーに適していますPFC回路,スイッチング電源,連続電源システムのUPS,そして新しいエネルギー電源機器.その価格は製品によって確認され,そのパッケージは防塵,防水,防静的管状の包装納期は2~30日 (総量によって異なります) で,支払い条件は100%T/T先払いです.REASUNOSは,超小型パッケージタイプNのスーパージャンクションMOSFETのために月5KKを提供することができます.
サポートとサービス
スーパー・ジャンクション MOSFETは 顧客に技術サポートとサービスを提供しています
スーパージャンクション MOSFET に関するご質問や懸念に答えることができます.電話,メール,ライブチャットを通じてサポートを提供しています.
設置やトラブルシューティングの技術支援も提供しています. 専門家は,あなたの場所まで行き,あなたが抱える問題を解決するのに役立ちます.
スーパージャンクション MOSFET の技術サポートとサービスに関する詳細については,ご連絡ください.
梱包と輸送:
スーパージャンクション MOSFET 梱包と輸送
- 梱包:すべてのスーパージャンクション MOSFET は,ESD 安全な水分耐性袋に梱包されています.
- 配送: すべてのスーパージャンクション MOSFET は,信頼できる,完全に保険された宅配サービスで配送されます.
FAQ:
- Q:スーパージャンクションMOSFETとは?
- A: その通りスーパージャンクションMOSFETは,新しい構造を使用する垂直MOSFETの一種で,導電性能を向上させ,オン抵抗を減らすことができます.
- Q: スーパージャンクション MOSFETのブランド名は何ですか?
- A: その通りスーパージャンクションMOSFETのブランド名は REASUNOSです
- Q:スーパージャンクションMOSFETはどこで作られていますか?
- A: その通りスーパージャンクションMOSFETは中国広東で製造されています
- Q:スーパージャンクションMOSFETの価格は?
- A: その通りスーパージャンクション MOSFETの価格は製品自体に基づいており,製品を確認した後で確認できます.
- Q: スーパージャンクション MOSFETのパッケージの詳細は?
- A: その通りスーパー・ジャンクション MOSFETは,防塵,防水,抗静的管状のパッケージで梱包され,紙箱に詰められています.
- Q: スーパージャンクション MOSFETの配送時間はどのくらいですか?
- A: その通りスーパージャンクション MOSFETの配送時間は,総量に応じて 2~30 日です.