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トレンチSGT低電圧MOSFET 実用的な低電圧抵抗 30V 40V
| SGTのプロセス適用: | モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 |
|---|---|
| SGTのプロセス利点: | より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 |
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |
Nチャネル低電圧MOSFET DCDCコンバーターのための安定高EAS
| 電力消費量: | 低い電力の損失 |
|---|---|
| トレンチプロセスの利点: | より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 |
| 製品名: | 低電圧MOSFET |
小型RSP低電圧MOSFET多シーンNチャンネル低しきい値
| EAS機能: | 高い EAS 機能 |
|---|---|
| SGTのプロセス利点: | より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 |
| SGTのプロセス適用: | モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 |
実用的な低電力モスフェットトランジスタ 20V 60V 無線充電用
| トレンチプロセスの利点: | より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 |
|---|---|
| SGTのプロセス利点: | より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 |
| EAS機能: | 高い EAS 機能 |
モータードライバー 低ゲート電圧 モスフェット 多場面低 VGS Nチャネル モスフェット
| トレンチプロセスの利点: | より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 |
|---|---|
| 抵抗: | 低いRDS （） |
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |
多機能低電圧FET 耐久性低電源Nチャネルモスフェット
| 抵抗: | 低いRDS （） |
|---|---|
| トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |
| 構造プロセス: | トレンチ/SGT |