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parole chiave [ mosfet ] incontro 184 prodotti.
Immagazzinamento dell'energia MOSFET a bassa tensione pratico canale N Alta capacità EAS
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
|---|---|
| Vantaggi del processo di trincea: | RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili |
| Processo di struttura: | Trincea/SGT |
MOSFET di potenza a bassa tensione di fossa durevole, MOSFET di soglia ultra bassa SGT
| Vantaggi trattati di SGT: | Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. |
|---|---|
| efficienza: | Alta efficienza e affidabilità |
| Consumo di energia: | Perdita di potere basso |
Trasistor di commutazione a bassa tensione RSP
| Vantaggi trattati di SGT: | Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. |
|---|---|
| Consumo di energia: | Perdita di potere basso |
| Applicazione del processo di trincea: | Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz |
Interruttore Mosfet pratico a bassa potenza, transistor multifunzionale a bassa tensione
| Applicazione del processo di trincea: | Ricarica wireless, ricarica rapida, driver motore, convertitore DC/DC, interruttore ad alta frequenz |
|---|---|
| Resistenza: | RDS basso (SOPRA) |
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
Transistor Mosfet a bassa potenza 20V 60V pratici per la ricarica wireless
| Vantaggi del processo di trincea: | RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili |
|---|---|
| Vantaggi trattati di SGT: | Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. |
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
Piccolo RSP MOSFET a bassa tensione multi-scena N Channel Low Threshold
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
|---|---|
| Vantaggi trattati di SGT: | Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. |
| Applicazione trattata di SGT: | Driver del motore, 5G stazione base, immagazzinamento dell'energia, commutatore ad alta frequenza, r |
Multiuso SBD Mosfet, Rettificatore di barriera di superficie resistente montato a Schottky
| Caratteristiche: | Corrente di recupero inverso estremamente bassa, forte capacità di corrente anti-surge |
|---|---|
| Frequenza: | Ad alta frequenza |
| Materiale: | Carburo di silicio |
MBR2060CT MBR20100CT SBD Mosfet, Diodo rettificatore di barriera Schottky industriale
| Tensione di andata: | VF basso |
|---|---|
| Perdita: | Perdita bassa |
| Applicazione: | Display alimentazione dello schermo, alimentazione del portatile, alimentazione di commutazione, ecc |
Carburo di silicio SBD Mosfet multiscene a prova di calore per autisti
| efficienza: | Alta efficienza |
|---|---|
| Materiale: | Carburo di silicio |
| Potenza: | Alto potere |
Invertitore Diodo di barriera SiC Schottky resistente al calore Mosfet SBD
| Resistenza al calore: | Resistenza ad alta temperatura |
|---|---|
| Vantaggi: | Basato sulla linea di produzione dello standard militare nazionale, il processo è stabile e la quali |
| Applicazione: | Circuito PFC, inverter CC/AC per la generazione di energia solare ed eolica, alimentatore UPS, motor |