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N Tipo 1200V Sic Potenza Mosfet, Transistor a effetto campo di silicio ossido metallico
| Nome del prodotto: | MOSFET al carburo di silicio |
|---|---|
| efficienza: | Alta efficienza |
| Resistenza: | Bassa resistenza |
MOSFET ad alta potenza con maggiore durata e resistenza termica per applicazioni con configurazione di tipo N
| Applicazione: | Invertitore solare, convertitore CC/CC ad alta tensione, driver del motore, alimentatore UPS, alimen |
|---|---|
| Tipo: | N |
| Tipo di dispositivo: | MOSFET |
MOSFET ad alta efficienza di tipo N ad alta potenza con produzione standard militare per un robusto trasferimento di energia
| Energia: | Alta potenza |
|---|---|
| Tipo di dispositivo: | MOSFET |
| Vantaggi: | Basato sulla linea di produzione dello standard militare nazionale, il processo è stabile e la quali |
Dissipazione del calore MOSFET ad alta tensione resistente per contatori intelligenti
| Applicazione del Mosfet di alta tensione: | Driver del LED, adattatori, alimentazione elettrica di commutazione industriale, invertitori ecc |
|---|---|
| Perdita: | La perdita bassa può raggiungere meno di 1 µ A |
| dissipazione di calore: | Grande dissipazione di calore |
Low Voltage MOSFET Trench Process High Efficiency Motor Driver per la stazione base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| EAS capability: | High EAS Capability |
| SGT process Application: | Motor Driver, 5G Base Station, Energy Storage, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
Low Voltage MOSFET Trench Process High Efficiency Motor Driver per la stazione base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Power consumption: | Low Power Loss |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Low Voltage MOSFET Trench Process High Efficiency Motor Driver per la stazione base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
MOSFET a super giunzione industriale N-canale processo a più strati
| Resistenza interna: | Resistenza interna ultra piccola |
|---|---|
| Applicazione: | Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime |
| Vantaggi: | È fatto tramite il processo a più strati di epitassia. Rispetto al processo della fossa, ha anti EMI |
MOSFET multiuso a super giunzione di tipo N per la commutazione dell'alimentazione
| Applicazione: | Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime |
|---|---|
| Vantaggi: | È fatto tramite il processo a più strati di epitassia. Rispetto al processo della fossa, ha anti EMI |
| Margine di EMI: | Grande EMI Margin |
MOSFET a bassa tensione industriale multifunzionale per stazioni base 5G
| Consumo di energia: | Perdita di potere basso |
|---|---|
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
| Resistenza: | RDS basso (SOPRA) |


