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कीवर्ड [ mosfet ] मेल खाते हैं 184 उत्पादों.
एन प्रकार 1200V Sic पावर मोस्फेट, धातु ऑक्साइड सिलिकॉन क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर
| उत्पाद का नाम: | सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET |
|---|---|
| दक्षता: | उच्च दक्षता |
| प्रतिरोध: | प्रतिरोध पर कम |
एन-प्रकार विन्यास अनुप्रयोगों के लिए बढ़ी हुई स्थायित्व और थर्मल प्रतिरोध के साथ उच्च शक्ति MOSFET
| आवेदन: | सोलर इन्वर्टर, हाई-वोल्टेज डीसी/डीसी कनवर्टर, मोटर ड्राइवर, यूपीएस बिजली आपूर्ति, स्विचिंग बिजली आपू |
|---|---|
| प्रकार: | एन |
| युक्ति प्रकार: | MOSFET |
उच्च दक्षता एन-प्रकार उच्च शक्ति MOSFET सैन्य मानक उत्पादन के साथ मजबूत ऊर्जा हस्तांतरण के लिए
| शक्ति: | उच्च शक्ति |
|---|---|
| युक्ति प्रकार: | MOSFET |
| लाभ: | राष्ट्रीय सैन्य मानक उत्पादन लाइन के आधार पर, प्रक्रिया स्थिर है और गुणवत्ता विश्वसनीय है |
ऊष्मा अपव्यय उच्च वोल्टेज MOSFET स्मार्ट मीटर के लिए टिकाऊ
| एचवी मॉसफेट एप्लीकेशन: | एलईडी ड्राइवर, एडेप्टर, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, इनवर्टर आदि |
|---|---|
| रिसाव के: | कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है |
| ताप लोपन: | महान ताप अपव्यय |
5जी बेस स्टेशन के लिए निम्न वोल्टेज एमओएसएफईटी ट्रेंच प्रक्रिया उच्च दक्षता मोटर ड्राइवर
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Power consumption: | Low Power Loss |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
5जी बेस स्टेशन के लिए निम्न वोल्टेज एमओएसएफईटी ट्रेंच प्रक्रिया उच्च दक्षता मोटर ड्राइवर
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
औद्योगिक सुपर जंक्शन एमओएसएफईटी एन चैनल मल्टी लेयर प्रक्रिया
| आंतरिक प्रतिरोध: | अति लघु आंतरिक प्रतिरोध |
|---|---|
| आवेदन: | एलईडी ड्राइवर, पीएफसी सर्किट, स्विचिंग बिजली की आपूर्ति, सतत बिजली आपूर्ति प्रणाली का यूपीएस, नई ऊर् |
| लाभ: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. यह मल्टी-लेयर एपिटैक्सी प्रक्रिया द्वारा बनाया |
एन प्रकार सुपर जंक्शन MOSFET बहुउद्देश्यीय बिजली की आपूर्ति स्विच करने के लिए
| आवेदन: | एलईडी ड्राइवर, पीएफसी सर्किट, स्विचिंग बिजली की आपूर्ति, सतत बिजली आपूर्ति प्रणाली का यूपीएस, नई ऊर् |
|---|---|
| लाभ: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. यह मल्टी-लेयर एपिटैक्सी प्रक्रिया द्वारा बनाया |
| ईएमआई मार्जिन: | बड़ा ईएमआई मार्जिन |
औद्योगिक निम्न वोल्टेज एमओएसएफईटी 5जी बेस स्टेशन के लिए बहुक्रियाशील
| बिजली की खपत: | कम बिजली हानि |
|---|---|
| ईएएस क्षमता: | उच्च ईएएस क्षमता |
| प्रतिरोध: | कम आरडीएस(चालू) |
ऊर्जा भंडारण कम वोल्टेज एमओएसएफईटी व्यावहारिक एन चैनल उच्च ईएएस क्षमता
| ईएएस क्षमता: | उच्च ईएएस क्षमता |
|---|---|
| ट्रेंच प्रक्रिया के लाभ: | छोटे आरएसपी, श्रृंखला और समानांतर दोनों विन्यासों को स्वतंत्र रूप से संयोजित और उपयोग किया जा सकता ह |
| संरचना प्रक्रिया: | ट्रेंच/एसजीटी |