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N Tipo 1200V Sic Potenza Mosfet, Transistor a effetto campo di silicio ossido metallico
| Luogo di origine | Guangdong, CN |
|---|---|
| Marca | REASUNOS |
| Quantità di ordine minimo | 600 |
| Prezzo | Confirm price based on product |
| Imballaggi particolari | Imballaggio tubolare antirughe, antirughe e antistatiche, collocato in una scatola di cartone in car |
| Tempi di consegna | 2-30 giorni (a seconda della quantità totale) |
| Termini di pagamento | 100% T/T in anticipo (EXW) |
| Capacità di alimentazione | 5KK/mese |
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xDettagli
| Nome del prodotto | MOSFET al carburo di silicio | efficienza | Alta efficienza |
|---|---|---|---|
| Resistenza | Bassa resistenza | Materiale | Carburo di silicio |
| Tipo | N | Frequenza | Ad alta frequenza |
| Potenza | Alto potere | Vantaggi | Basato sulla linea di produzione dello standard militare nazionale, il processo è stabile e la quali |
| Evidenziare | N tipo Sic Potenza Mosfet,1200V Sic Potenza Mosfet,Transistor a effetto campo di silicio di ossido metallico |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
| 8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
| 9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
| 10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
| 11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
| 12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
| 13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
| 14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
| 15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
| 16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
| 17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
| 18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
| 19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Descrizione di prodotto
Descrizione del prodotto:
Il transistor ad effetto campo a metallo-ossido di silicio (SiC MOSFET) è un dispositivo ad alta potenza, bassa resistenza e alta frequenza con eccellenti prestazioni di commutazione.È ampiamente utilizzato in inverter solare, convertitore DC/DC ad alta tensione, driver del motore, alimentatore UPS, alimentatore di commutazione e pila di ricarica.Questo dispositivo utilizza la più avanzata tecnologia del carburo di silicio per ridurre notevolmente la perdita di conduzioneLa sua bassa resistenza di accensione e l'elevata frequenza di accensione lo rendono la scelta ideale per applicazioni ad alta potenza e ad alta frequenza.SiC MOSFET offre alle imprese e ai consumatori la massima efficienza energetica, affidabilità e lunga durata.
Il MOSFET SiC presenta una struttura tridimensionale unica, fornendo una tolleranza ad alta tensione fino a 1200V, una velocità di commutazione rapida e un ampio intervallo di temperatura di funzionamento.Questo lo rende la scelta perfetta per una vasta gamma di applicazioni, dall'automotive all'industria, dall'elettronica di consumo alle energie rinnovabili.Ciò garantisce alle imprese e ai consumatori i costi operativi più bassi possibili e i più alti livelli di affidabilità.
SiC MOSFET è la scelta ideale per una vasta gamma di applicazioni, dall'automotive all'industria, dall'elettronica di consumo alle energie rinnovabili.e ad alta frequenza, SiC MOSFET offre alle imprese e ai consumatori la massima efficienza energetica, affidabilità e lunga durata.
Parametri tecnici:
| Parametri | Valori |
|---|---|
| Frequenza | Alta frequenza |
| Applicazione | Invertitore solare, convertitore DC/DC ad alta tensione, driver motore, alimentatore UPS, alimentatore di commutazione, pila di ricarica, ecc. |
| Efficienza | Alta efficienza |
| Potenza | Potere elevato |
| Vantaggi | Sulla base della linea di produzione standard militare nazionale, il processo è stabile e la qualità è affidabile |
| Resistenza | Basso livello di resistenza |
| Tipo di dispositivo | MOSFET |
| Materiale | Carburo di silicio |
| Tipo | N |
| Nome del prodotto | MOSFET a carburo di silicio |
| Parole chiave | Transistor a effetto campo del carburo di silicio ossido metallico semiconduttore, SiC MOSFET, SiC Field Effect Transistor |
Applicazioni:
I transistor a effetto campo a metallo-ossido-semiconduttore a carburo di silicio (MOSFET) sono perfetti per applicazioni ad alta efficienza e alta potenza.con una tensione di potenza superiore a 50 WCon la loro elevata potenza e elevata efficienza, sono ideali per inverter solari, motori,e altre applicazioni ad alta efficienzaIl loro tipo MOSFET è N, che è in grado di gestire più potenza e fornire una maggiore efficienza.contenenti, in peso, 0,25% o più, ma non più di 0,25% di acido acido. La loro quantità minima di ordine è di 600, e la loro capacità di fornitura è di 5KK / mese. Il loro tempo di consegna è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale. Termini di pagamento sono 100% T / T in anticipo ((EXW),e il prezzo deve essere confermato in base al prodotto.
Supporto e servizi:
MOSFET in carburo di silicio fornisce supporto tecnico e servizi per garantire una transizione e un funzionamento senza intoppi del prodotto.istruzioni per l'applicazione del prodottoIl servizio include, a titolo esemplificativo, il supporto online e telefonico, il supporto per la garanzia e i servizi di manutenzione e riparazione.
Imballaggio e trasporto:
Imballaggio e spedizione del MOSFET al carburo di silicio:
- Il prodotto è confezionato in un contenitore a prova di umidità e di statica.
- Il prodotto viene poi avvolto in un cuscino di schiuma protettivo.
- Il prodotto viene quindi inserito in una scatola di trasporto isolata con sufficiente materiale ammortizzante.
- Il prodotto viene quindi spedito da un corriere assicurato, come FedEx o UPS.
FAQ:
Domande e risposte
Q1: Qual è il marchio di Silicon Carbide MOSFET?
R1: Il marchio è REASUNOS.
D2: Da dove proviene il prodotto?
A2: Il prodotto proviene dal Guangdong, in Cina.
Q3: Qual è la quantità minima d'ordine?
R3: Il numero minimo di ordini è 600.
Q4: Qual è il prezzo del prodotto?
R4: Il prezzo del prodotto sarà confermato in base al prodotto.
Q5: Qual è l'imballaggio del prodotto?
A5: Il prodotto è confezionato in un imballaggio tubulare antirughe, impermeabile e antistatico, inserito in una scatola di cartone in cartone.
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