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Schlüsselwörter [ motor driver sic power semiconductor ] Spiel 54 produits.
1200 V Siliziumkarbid SBD Schottky Barriere Diode Überspannung
| Einheitentyp: | Energie-getrennte Geräte |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
Praktische Siliziumkarbid SBD Barriere Schottky Diode Wärmefestlage 650V
| Material: | Siliziumkarbid |
|---|---|
| Einheitentyp: | Energie-getrennte Geräte |
| Wärmebeständigkeit: | Widerstand der hohen Temperatur |
Multipurpose SBD Mosfet, langlebiger Oberflächen-Mount Schottky Barrier Rectifier
| Eigenschaften: | Extrem geringer Rückwärtsstrom, starke Überspannungsschutzleistung |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Material: | Siliziumkarbid |
Oberflächenberg Siliziumkarbid SBD 650V Hochfrequenz für Luft- und Raumfahrt
| Einheitentyp: | Energie-getrennte Geräte |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Leistungsfähigkeit |
| Produktbezeichnung: | Silikonkarbid SBD/Sic SBD |