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palavras-chave [ motor driver sic power semiconductor ] Combine 54 produtos.
Diodo de barreira de Schottky de carburo de silício de 1200 V
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos do poder |
|---|---|
| eficiência: | Eficiência elevada |
| Frequência: | De alta frequência |
Barreira de carburo de silício SBD prático Diodo Schottky à prova de calor 650V
| Materiais: | Carbono de silício |
|---|---|
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos do poder |
| Resistência ao calor: | Resistência de alta temperatura |
Rectificador de barreira de superfície durável montado Schottky
| Características: | Corrente de recuperação reversa extremamente baixa, forte capacidade de corrente anti-surge |
|---|---|
| Frequência: | De alta frequência |
| Materiais: | Carbono de silício |
Superfície montada em carburo de silício SBD 650V Alta frequência para aeroespacial
| Tipo de dispositivo: | Dispositivos discretos do poder |
|---|---|
| eficiência: | Eficiência elevada |
| Nome do produto: | SBD de carburo de silício/Sic SBD |