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Schlüsselwörter [ converter high power mosfet ] Spiel 96 produits.
100A Hochleistungs-Halbleiter für starken Überspannungstrom
| Antisurge-Strom: | Stärkung der Leistungsfähigkeit des Überspannungstroms |
|---|---|
| Anwendung: | Solarumrichter, Hochspannungs-DC/DC-Umrichter, Motorantrieb, UPS, Schaltanlage, Umrichter, UPS, Moto |
| RDS (an): | Niedriges RDS (AN) |
Anti-Surge-Strom Hochleistungs-Halbleiter Starke Fähigkeit für Solar-Inverter
| Produktbezeichnung: | Halbleiter mit hoher Leistung |
|---|---|
| RDS (an): | Niedriges RDS (AN) |
| Vorteile: | Der nationale Militärstandard Chinas mit stabilem Prozess und zuverlässiger Qualität |
National Military Standard Hochleistungs-Halbleiter mit stabilem Prozess
| Macht: | Hohe Macht |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Produktbezeichnung: | Halbleiter mit hoher Leistung |
UPS-Hochleistungs-Halbleiter mit hohem Temperaturwiderstand
| Antisurge-Strom: | Stärkung der Leistungsfähigkeit des Überspannungstroms |
|---|---|
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
| Sperrverzögerungsstrom: | Extrem geringer Rückwärtsstrom |
Effiziente Halbleiter mit hoher Leistung
| RDS (an): | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Anwendung: | Solarumrichter, Hochspannungs-DC/DC-Umrichter, Motorantrieb, UPS, Schaltanlage, Umrichter, UPS, Moto |
| Häufigkeit: | Hochfrequenz |
Konverter Niederspannungs-MOSFET Mehrzweck für drahtlose Ladung
| Prozess strukturieren: | Graben/SGT |
|---|---|
| SGT-Prozessanwendung: | Lokführer, 5G Basisstation, Energie-Speicher, Hochfrequenzschalter, synchrone Korrektur. |
| Anwendung im Grabenverfahren: | Kabelloses Laden, Schnellladen, Motortreiber, DC/DC-Wandler, Hochfrequenzschalter, Synchrongleichric |
Konverter Siliziumkarbid MOSFET Langlebiger Multifunktion mit geringem Widerstand
| Widerstand: | Geringer Widerstand |
|---|---|
| Einheitentyp: | MOSFET |
| Vorteile: | Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu |
Dauerhafte Schütze Niederspannung Leistung MOSFET, SGT Ultra Niederspannung Schwellen MOSFET
| SGT-Prozessvorteile: | Optimierung des Durchbruch-FOM, mehr Anwendung umfassend. |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| Stromverbrauch: | Leistungsabfall der geringen Energie |
60V 150V Niederspannung Hochstrom Mosfet Dauerhafte Multifunktion
| Widerstand: | Niedriges RDS (AN) |
|---|---|
| Effizienz: | Hohe Effizienz und Zuverlässigkeit |
| EAS-Fähigkeit: | Hohe EAS-Fähigkeit |
Multiscene Siliziumkarbid-Leistung Mosfet 650V für Solarumrichter
| Material: | Siliziumkarbid |
|---|---|
| Einheitentyp: | MOSFET |
| Macht: | Hohe Leistung |