ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
คำหลัก [ converter high power mosfet ] การจับคู่ 96 ผลิตภัณฑ์.
100A แรงสูงครึ่งประสาทสําหรับแรงต่อต้านกระแสกระแส
| ป้องกันกระแสไฟกระชาก: | ความสามารถในการป้องกันไฟกระชากในปัจจุบัน |
|---|---|
| การใช้งาน: | อินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์ เครื่องแปลงไฟฟ้าแรงดันสูง DC/DC เครื่องขับมอเตอร์ UPS เครื่องเปลี่ยนไฟฟ้า เค |
| RDS (เปิด): | ถนนต่ำ(ON) |
แอนติเซอร์จอร์นต์ ไฮพาวเวอร์เซม คอนดักเตอร์ ความสามารถที่แข็งแกร่งสําหรับอินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์
| ชื่อสินค้า: | สารกึ่งตัวนำกำลังสูง |
|---|---|
| RDS (เปิด): | ถนนต่ำ(ON) |
| ข้อดี: | มาตรฐานการทหารแห่งชาติของจีนด้วยกระบวนการที่มีเสถียรภาพและคุณภาพที่เชื่อถือได้ |
UPS ไฮ เพอเวอร์ เซมคอนดักเตอร์ที่มีอุณหภูมิสูงทนทานกระบวนการที่มั่นคง
| ป้องกันกระแสไฟกระชาก: | ความสามารถในการป้องกันไฟกระชากในปัจจุบัน |
|---|---|
| ความถี่: | ความถี่สูง |
| ย้อนกลับการกู้คืนปัจจุบัน: | กระแสการกู้คืนย้อนกลับต่ำมาก |
ระดับทหารระดับชาติ หน่วยงานครึ่งประสานพลังงานสูงที่มีกระบวนการที่มั่นคง
| พลัง: | พลังงานสูง |
|---|---|
| ความถี่: | ความถี่สูง |
| ชื่อสินค้า: | สารกึ่งตัวนำกำลังสูง |
ประสิทธิภาพสูงพลังงานครึ่งตัวนํา Low Rds ON สําหรับอุตสาหกรรม
| RDS (เปิด): | ถนนต่ำ(ON) |
|---|---|
| การใช้งาน: | อินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์ เครื่องแปลงไฟฟ้าแรงดันสูง DC/DC เครื่องขับมอเตอร์ UPS เครื่องเปลี่ยนไฟฟ้า เค |
| ความถี่: | ความถี่สูง |
เครื่องแปลงความดันต่ํา MOSFET หลายประการ สําหรับการชาร์จไร้สาย
| กระบวนการโครงสร้าง: | ร่องลึก/SGT |
|---|---|
| การสมัครกระบวนการ SGT: | ตัวขับมอเตอร์, สถานีฐาน 5G, การจัดเก็บพลังงาน, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแบบซิงโครนัส |
| การประยุกต์ใช้กระบวนการร่องลึก: | การชาร์จแบบไร้สาย, การชาร์จอย่างรวดเร็ว, ไดรเวอร์มอเตอร์, ตัวแปลง DC/DC, สวิตช์ความถี่สูง, การแก้ไขแ |
เครื่องแปลงซิลิคอนคาร์ไบด MOSFET ทนทานหลายฟังก์ชัน ความต้านทานต่ํา
| ความต้านทาน: | ความต้านทานต่ำ |
|---|---|
| ประเภทอุปกรณ์: | มอสเฟต |
| ข้อดี: | ขึ้นอยู่กับสายการผลิตมาตรฐานการทหารแห่งชาติ กระบวนการมีเสถียรภาพและคุณภาพเชื่อถือได้ |
MOSFET พลังงานความดันต่ําแบบถ้ําทนทาน, MOSFET ความดันขั้นต่ําสุด SGT
| ข้อดีของกระบวนการ SGT: | การเพิ่มประสิทธิภาพ FOM ที่ก้าวล้ำ ครอบคลุมการใช้งานมากขึ้น |
|---|---|
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้ |
| การใช้พลังงาน: | การสูญเสียพลังงานต่ำ |
60V 150V โวลติจ์ต่ํา โคลนสูง โมสเฟต ทนทาน มัลติฟункชั่น
| ความต้านทาน: | ถนนต่ำ(ON) |
|---|---|
| ประสิทธิภาพ: | ประสิทธิภาพสูงและเชื่อถือได้ |
| ความสามารถของ EAS: | ความสามารถ EAS สูง |
มัลติสเซนซิลิคอนคาร์ไบด์พลังงาน Mosfet 650V สําหรับอินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์
| วัสดุ: | ซิลิกอนคาร์ไบด์ |
|---|---|
| ประเภทอุปกรณ์: | มอสเฟต |
| พลัง: | พลังงานสูง |