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mots clés [ n channel high power mosfet ] rencontre 57 produits.
REACH Mosfet de puissance de courant élevé, semi-conducteur d' oxyde de métal à N canaux stables
| Le type: | N |
|---|---|
| Nom du produit: | Transistor MOSFET de puissance élevée |
| Fréquence: | À haute fréquence |
High Frequency High Voltage MOSFET The Ultimate Choice for Switching Power Supply
| Application: | Solar Inverter, High-voltage DC/DC Converter, Motor Driver, UPS Power Supply, Switching Power Supply, Charging Pile, Etc. |
|---|---|
| Power: | High Power |
| Frequency: | High Frequency |
High Frequency High Current MOSFET Advanced Technology for Power Control Systems
| Type: | N |
|---|---|
| Frequency: | High Frequency |
| Product name: | High Power MOSFET |
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Transistors industriels à haute tension à haute tension à N-channel
| Avantages: | Basé sur la chaîne de production de normes militaires nationales, le processus est stable et la qual |
|---|---|
| Application du projet: | Onduleur solaire, convertisseur DC/DC haute tension, pilote de moteur, alimentation UPS, alimentatio |
| Le pouvoir: | Puissance élevée |
Transistor à haute tension pratique, multi-fonctionnel à N canaux
| Résistance: | Basse Sur-résistance |
|---|---|
| Estimation de tension: | Tension à haute tension/ultra-haute |
| dissipation thermique: | Grande dissipation thermique |
Mosfet de puissance à haute tension stable, transistor de dissipation thermique N-canal Mosfet
| Fuite: | La basse fuite peut atteindre moins de 1 µ A |
|---|---|
| Nom du produit: | Transistor MOSFET à haute tension |
| Résistance: | Basse Sur-résistance |
Invertisseur haute tension Fet, alimentation N-canal Mosfet Transistor
| Application du transistor MOSFET Ultra-HT: | Mètre intelligent, alimentation d'énergie de Cabinet, alimentation d'énergie de changement industrie |
|---|---|
| Le type: | N |
| dissipation thermique: | Grande dissipation thermique |
Transistor à haute tension à haute résistance à la chaleur.
| Application incluse de transistor MOSFET de HT de FRD: | Série de moteur, inverseur, demi pont/pleines applications de montage en pont, etc. |
|---|---|
| dissipation thermique: | Grande dissipation thermique |
| Technologie: | Transistor MOSFET |
Processus à plusieurs couches de super jonction industrielle MOSFET
| Résistance interne: | Résistance interne ultra petite |
|---|---|
| Application du projet: | Conducteur de LED, circuit de PFC, alimentation d'énergie de changement, UPS de système d'alimentati |
| Avantages: | Il est fait par procédé multicouche d'épitaxie. Comparé au processus de fossé, il a excellente anti |
Stockage de l'énergie MOSFET basse tension pratique N-canal Haute capacité EAS
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
|---|---|
| Avantages du procédé de tranchée: | Un RSP plus petit, les configurations série et parallèle peuvent être librement combinées et utilisé |
| Processus de structuration: | Tranchée/SGT |