همه محصولات
کلید واژه ها [ n channel high power mosfet ] همخوانی داشتن 57 محصولات.
REACH قدرت برق بالا موسفيت، مستقر N کانال اكسيد فلزي نيمه رسان
| نوع: | ن |
|---|---|
| نام محصول: | ماسفت با قدرت بالا |
| فرکانس: | فرکانس بالا |
High Frequency High Voltage MOSFET The Ultimate Choice for Switching Power Supply
| Application: | Solar Inverter, High-voltage DC/DC Converter, Motor Driver, UPS Power Supply, Switching Power Supply, Charging Pile, Etc. |
|---|---|
| Power: | High Power |
| Frequency: | High Frequency |
High Frequency High Current MOSFET Advanced Technology for Power Control Systems
| Type: | N |
|---|---|
| Frequency: | High Frequency |
| Product name: | High Power MOSFET |
VIDEO
ترانزیستورهای برق صنعتی 1200 ولت، ولتاژ بالا مستقر، کانال N موسفت
| مزایای: | بر اساس خط تولید استاندارد نظامی ملی، فرآیند پایدار و کیفیت قابل اعتماد است |
|---|---|
| درخواست: | اینورتر خورشیدی، مبدل DC/DC ولتاژ بالا، درایور موتور، منبع تغذیه UPS، منبع تغذیه سوئیچینگ، شمع شارژ |
| قدرت: | قدرت بالا |
ترانزیستور ولتاژ بالا عملی، چند منظوره N Channel Power Mosfet
| مقاومت: | مقاومت کم |
|---|---|
| رتبه بندی ولتاژ: | ولتاژ بالا / ولتاژ فوق العاده بالا |
| اتلاف حرارت: | اتلاف حرارت عالی |
مستقر ولتاژ بالا قدرت موسفیت، ترانزیستور تبعید گرما N کانال موسفیت
| نشتی: | نشتی کم می تواند به کمتر از 1 میکرو آمپر برسد |
|---|---|
| نام محصول: | ماسفت فشار قوی |
| مقاومت: | مقاومت کم |
اینورتر ولتاژ بالا فیت، منبع برق N کانال ترانزیستور Mosfet
| برنامه ماسفت Ultra-HV: | کنتور هوشمند، منبع تغذیه کابینت، منبع تغذیه سوئیچینگ صنعتی، سیستم برق و غیره |
|---|---|
| نوع: | ن |
| اتلاف حرارت: | اتلاف حرارت عالی |
ترانزیستور ضد گرما ولتاژ بالا سیک موسفیت چند منظوره
| برنامه جاسازی شده FRD HV MOSFET: | سری موتور، اینورتر، کاربردهای مدار نیم پل/پل کامل و غیره |
|---|---|
| اتلاف حرارت: | اتلاف حرارت عالی |
| فن آوری: | ماسفت |
فرآیند چند لایه ای کانال صنعتی MOSFET N
| مقاومت داخلی: | مقاومت داخلی فوق العاده کوچک |
|---|---|
| درخواست: | درایور LED، مدار PFC، منبع تغذیه سوئیچینگ، یو پی اس سیستم منبع تغذیه پیوسته، تجهیزات انرژی جدید و غی |
| مزایای: | It Is Made By Multi-layer Epitaxy Process. این توسط فرآیند اپیتاکسی چند لایه ساخته شده است |
ذخیره انرژی ولتاژ پایین MOSFET کانال عملی N قابلیت EAS بالا
| قابلیت EAS: | قابلیت EAS بالا |
|---|---|
| مزایای فرآیند ترانشه: | RSP کوچکتر، هر دو سری و تنظیمات موازی را می توان آزادانه ترکیب و استفاده کرد. |
| فرآیند ساختار: | سنگر/SGT |