ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ : Anita Yin
หมายเลขโทรศัพท์ : +86 13712219843
วอทส์แอพพ์ : 8613712219843

การติดตั้งพื้นผิว ความถี่สูงการสลับ Mosfet Multiscene มาตรฐานทหาร

  • Surface Mount High Frequency Switching Mosfet Multiscene Military Standard
  • Surface Mount High Frequency Switching Mosfet Multiscene Military Standard
สถานที่กำเนิด กวางตุ้ง CN
ชื่อแบรนด์ REASUNOS
ราคา Confirm price based on product
รายละเอียดการบรรจุ GB + กล่องมาสเตอร์
เวลาการส่งมอบ 2-30 วัน (ขึ้นอยู่กับปริมาณรวม)
เงื่อนไขการชำระเงิน 100% T/T ล่วงหน้า (EXW)
สามารถในการผลิต 5KK/เดือน

ติดต่อฉันเพื่อรับตัวอย่างและคูปองฟรี

วอทส์แอพพ์:0086 18588475571

วีแชท: 0086 18588475571

สไกป์: sales10@aixton.com

หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง

x
รายละเอียดสินค้า
การใช้งาน เครื่องแปลงกระแสไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์, เครื่องแปลงไฟ DC/DC ไฟฟ้าแรงสูง, ตัวขับมอเตอร์, เครื่องจ่ายไ ความถี่ ความถี่สูง
ประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพสูง ความต้านทาน ความต้านทานต่ำ
ข้อดี ขึ้นอยู่กับสายการผลิตมาตรฐานการทหารแห่งชาติ กระบวนการมีเสถียรภาพและคุณภาพเชื่อถือได้ ชื่อสินค้า มอสเฟตกำลังสูง
พลัง พลังงานสูง ประเภทอุปกรณ์ มอสเฟต
เน้น

การปรับเปลี่ยนความถี่สูงบนพื้นผิว

,

สลับความถี่สูง โมสเฟต มัลติสเซน

,

โมสเฟตทหาร สําหรับการสลับความถี่สูง
คุณสามารถเลือกผลิตภัณฑ์ที่คุณต้องการและสื่อสารกับเราได้ในกระดานข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
1 RSE60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
2 RSE60R190S N 17.6 600 165 190 TO-263 800
3 RSE60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
4 RSF60R150F N 22 600 130 150 TO-220F 1000
5 RSF60R190F N 17.6 600 165 190 TO-220F 1000
6 RS60R130F N 30 600 110 130 TO-220F 1000
7 RS60R130W N 30 600 110 130 TO247-3 600
8 RSF60R099F N 31 600 86 99 TO-220F 1000
1 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500
2 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000
3 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500
4 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000
5 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000
6 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500
7 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000
ฝากข้อความ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
รายละเอียดสินค้า

คําอธิบายสินค้า:

MOSFET ความแรงสูง

MOSFET ประสิทธิภาพสูง เป็นชนิดของ N-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) ที่ให้การทํางานแบบความดันสูงและความต้านทานต่ําความสามารถความดันสูงและการระบายพลังงานสูง. มันถูกสร้างขึ้นบนสายการผลิตมาตรฐานทางทหาร, ให้บริการกระบวนการและคุณภาพที่มั่นคงและน่าเชื่อถือ. การใช้งานของมันประกอบด้วยอินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์, เครื่องแปลงไฟฟ้าแรงดันสูง DC / DC,เครื่องไฟฟ้า UPS, การสลับเครื่องพลังงาน, การชาร์จไฟฟ้า และอื่นๆ

มอสเฟตพลังงานสูง มีความต้านทานต่ํา เพื่อให้การทํางานมีประสิทธิภาพ และสูญเสียพลังงานน้อยที่สุดรับประกันผลงานที่มั่นคงและน่าเชื่อถือนอกจากนี้ ความถี่สูง ความแรงดันสูง และความสามารถในการใช้พลังงานสูง ทําให้มันเป็นตัวเลือกที่ดีที่สุดสําหรับการใช้งานต่างๆ เช่น เครื่องขับขี่มอเตอร์ เครื่องเปลี่ยนพลังงานแสงอาทิตย์ แหล่งไฟฟ้า และอื่น ๆ อีกมากมาย

MOSFET พลังงานสูงเป็นตัวเลือกที่เหมาะสมสําหรับการใช้งานที่หลากหลาย เนื่องจากความต้านทานต่ํา, การทํางานความถี่สูง, ความสามารถความแรงดันสูงและการสูญเสียพลังงานสูงสายการผลิตของเครื่องจักรทหารให้คุณภาพสูงและการทํางานที่น่าเชื่อถือไม่ว่าคุณกําลังมองหาอุปกรณ์สําหรับเครื่องเปลี่ยนพลังงานแสงอาทิตย์ เครื่องแปลงแรงดันสูง DC/DC เครื่องขับมอเตอร์ เครื่องไฟฟ้า UPS เครื่องไฟฟ้าสลับ เครื่องไฟฟ้าชาร์จ และอื่นๆMOSFET พลังงานสูงเป็นทางเลือกที่ดีที่สุด.

 

ปริมาตรเทคนิค:

ปริมาตร คําอธิบาย
ประสิทธิภาพ ประสิทธิภาพสูง
การใช้งาน อินเวอร์เตอร์แสงอาทิตย์ เครื่องแปลงไฟฟ้าแบบ DC/DC ความดันสูง เครื่องขับมอเตอร์ เครื่องไฟฟ้า UPS เครื่องไฟฟ้าสลับ เครื่องชาร์จ
ความต้านทาน ความ ต่อต้าน ต่ํา
ชื่อสินค้า MOSFET ความแรงสูง
ประเภทอุปกรณ์ MOSFET
ประเภท N
ข้อดี หลักฐานของสายการผลิตมาตรฐานทหารแห่งชาติ กระบวนการคงที่และคุณภาพที่น่าเชื่อถือ
ความถี่ ความถี่สูง
พลัง อํานาจสูง
 

การใช้งาน:

REASUNOS High Power MOSFET ได้ถูกออกแบบมาเพื่อให้มีประสิทธิภาพและประสิทธิภาพสูง ด้วยความต้านทานต่ําทําให้มันเป็นตัวเลือกที่สมบูรณ์แบบ สําหรับการใช้งานพลังงานสูงหลายชนิด.คุณภาพสินค้าที่สูงสุดของมันรับประกันความน่าเชื่อถือและความมั่นคงในระยะยาว สินค้านี้มีต้นกําเนิดจากกวนดง, จีน, และมีอยู่ใน GB + Master Carton packagingราคาและเวลาการจัดส่งจะขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด.เงื่อนไขการชําระเงินคือ 100% T / T ในล่วงหน้า (EXW). ความสามารถในการจําหน่ายคือ 5KK / เดือน

 

การสนับสนุนและบริการ:

การสนับสนุนและบริการทางเทคนิค MOSFET ความแรงสูง

เรามุ่งมั่นที่จะให้ลูกค้าของเราที่มีคุณภาพสูงสุดของการสนับสนุนทางเทคนิคและบริการสําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET พลังงานสูงทีมงานของเราของผู้เชี่ยวชาญที่มุ่งมั่นพร้อมที่จะช่วยคุณในทุกด้านของการเลือกสินค้าวิศวกรที่มีประสบการณ์ของเราพร้อมที่จะช่วยกับคําถามหรือปัญหาที่คุณอาจมีและเรามุ่งมั่นที่จะให้บริการที่ดีที่สุดและทันเวลาที่สุด.

เรามุ่งมั่นอย่างเต็มที่ที่จะให้ลูกค้าของเรา มีการสนับสนุนและบริการทางเทคนิคที่ครบวงจรและน่าเชื่อถือเรามีบริการที่หลากหลาย ที่ถูกออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้าของเราบริการของเราประกอบด้วย

  • การช่วยเหลือในการเลือกสินค้า
  • การสนับสนุนด้านวิศวกรรมการใช้งาน
  • การสนับสนุนทางเทคนิคในสถานที่
  • บริการหลังการขาย
  • บริการลูกค้าที่ยืดหยุ่นและน่าเชื่อถือ
  • การช่วยเหลือทางเทคนิคในการแก้ไขปัญหา

ทีมงานของเรามุ่งมั่นที่จะให้คุณกับการสนับสนุนทางเทคนิคที่ดีที่สุดและบริการสําหรับผลิตภัณฑ์ MOSFET ความแรงสูงและประสบการณ์ด้านบริการที่ครบวงจรหากคุณมีคําถามหรือความกังวลเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์ของเรา กรุณาอย่าลังเลที่จะติดต่อเรา

 

การบรรจุและการขนส่ง

การบรรจุและการจัดส่ง MOSFET พลังงานสูง

MOSFET ที่มีพลังงานสูงถูกบรรจุและส่งไปตามวิธีต่อไปนี้:

  • MOSFETs ถูกปิดในถุงกันสแตติก เพื่อป้องกันความเสียหายจาก ESD
  • บรรจุภัณฑ์ถูกออกแบบเพื่อปกป้อง MOSFET จากความเสียหายทางกลระหว่างการขนส่ง
  • แพ็คเกจติดป้ายด้วยคําอธิบายสินค้า เลขส่วน และเลขลําดับ
  • การส่งสินค้าด้วยวิธีการส่งที่เหมาะสม เพื่อรับประกันการจัดส่งสินค้าในเวลาที่ถูกต้อง
 

FAQ:

Q1: ชื่อแบรนด์ของ High Power MOSFET คืออะไร?
A1:ชื่อแบรนด์ของ High Power MOSFET คือ REASUNOS
Q2: สถานที่กําเนิดของ MOSFET พลังงานสูงอยู่ที่ไหน?
A2:สถานที่กําเนิดของ MOSFET พลังงานสูงคือกวางดง, จีน
Q3:ราคาของ MOSFET พลังงานสูงคืออะไร?
A3:ราคาของ MOSFET พลังงานสูงจะยืนยันขึ้นอยู่กับผลิตภัณฑ์
Q4: เวลาในการจัดส่งสําหรับ MOSFET พลังงานสูงคืออะไร?
A4:ระยะเวลาในการจัดส่ง MOSFET พลังงานสูง 2-30 วัน ขึ้นอยู่กับปริมาณทั้งหมด
Q5: เงื่อนไขการชําระเงินสําหรับ MOSFET พลังงานสูงคืออะไร?
A5:เงื่อนไขการชําระเงินสําหรับ High Power MOSFET คือ 100% T/T Advance (EXW)
แท็ก:

โมสเฟตพลังงานสูง N Channel ที่ทนทาน

เครื่องแปลง MOSFET พลังงานสูง

N Channel MOSFET พลังงานสูง

แนะนำผลิตภัณฑ์