Преобразователь Кремниевого карбида MOSFET прочный многофункциональный низкий сопротивление
Место происхождения | Гуандун, CN |
---|---|
Фирменное наименование | REASUNOS |
Количество мин заказа | 600 |
Цена | Confirm price based on product |
Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
Поставка способности | 5кк/месяц |

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xСопротивление | Низкое сопротивление | Тип прибора | MOSFET |
---|---|---|---|
Преимущества | Основанный на производственной линии национального военного стандарта, процесс стабилен, а качество | Тип | N |
Сила | Наивысшая мощность | Материал | Силиконовый карбид |
Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока в постоянный, драйвер двигателя, | эффективность | Высокая эффективность |
Выделить | Преобразователь КАРБИДА КРИСЛИОНА MOSFET,Силиконовый карбид MOSFET прочный,Многофункциональные Сик-мосфеты |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Устройство MOSFET из карбида кремния с низким уровнем сопротивления для приложений и т. д.
Описание продукта:
Силиконовый карбидный МОСФЕТ - это передовой транзистор с полевым эффектом металлического оксида-полупроводника (MOSFET) на основе карбида кремния, который известен как один из самых надежных полупроводниковых материалов.Этот тип MOSFET предлагает низкое сопротивление и высокую эффективностьОн производится на основе национальной военной стандартной производственной линии, обеспечивая стабильность процесса и надежность качества.
Этот MOSFET основан на материале карбида кремния, который является соединенным полупроводником.что делает его отличным выбором для широкого спектра примененийОн также обладает отличной теплопроводностью, что позволяет использовать его в высокомощных приложениях.
Силиконовый карбидный MOSFET имеет высокую надежность и предлагает низкое сопротивление, высокую эффективность и высокую теплопроводность.обеспечение стабильности процесса и надежности качестваЭто делает его идеальным выбором для многих приложений.
Технические параметры:
Параметр | Описание |
---|---|
Сила | Высокая власть |
Материал | Силиконовый карбид |
Тип | N |
Тип устройства | MOSFET |
Эффективность | Высокая эффективность |
Частота | Высокая частота |
Сопротивление | Низкое сопротивление |
Преимущества | На основе национальной военной стандартной производственной линии, процесс стабилен и качество надежно |
Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, драйвер двигателя, подача электроэнергии UPS, переключатель питания, зарядная куча и т.д. |
Наименование продукта | Силиконокарбидный МОСФЕТ |
Применение:
Транзистор с полевым эффектом металлического оксида кремниевого карбида REASUNOS (SiC MOSFET) изготовлен из материала карбида кремния, предназначенного для обеспечения высокой эффективности и производительности.Он производится в Гуандун.Он упакован в пылестой, водонепроницаемой и антистатической трубчатой упаковке, помещенной в картонную коробку в картонные коробки.Время доставки от 2 до 30 дней, в зависимости от общего количества. Для условий оплаты требуется 100% T/T вперед (EXW). Способность поставки составляет до 5KK/месяц. Тип устройства - MOSFET,и он подходит для высокоэффективных приложений, таких как солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока / постоянного тока, драйвер мотора, питание UPS, переключающее питание, зарядную кучу и т. д.
Поддержка и услуги:
Техническая поддержка и обслуживание MOSFET из карбида кремния
Мы предоставляем нашим клиентам всеобъемлющую техническую поддержку и обслуживание для нашего продукта MOSFET из карбида кремния.Наша команда экспертов готова помочь вам ответить на любые вопросы и предоставить рекомендации по правильному использованию продуктаМы также предлагаем ряд услуг, которые включают:
- Техническая консультация и поддержка
- Установка продукта и устранение неполадок
- Модернизация и ремонт
- Техническое обслуживание на месте
- Техническая подготовка
Для получения дополнительной информации о наших продуктах и услугах MOSFET из карбида кремния, пожалуйста, посетите наш веб-сайт или свяжитесь с нами напрямую.
Упаковка и перевозка:
Силиконовый карбидный MOSFET упаковывается и отправляется в герметичные картонные коробки с антистатическими мешками внутри.и адрес назначенияДля обеспечения того, чтобы продукт не был поврежден во время транспортировки, используются температурные, влажные и устойчивые к ударам упаковочные материалы.Затем коробки кладут на поддоны и упаковывают для отправки..
Часто задаваемые вопросы
- Вопрос: Как называется бренд MOSFET из карбида кремния?
- Ответ: торговое наименование КАРБИДОвого КРЕДИМНОГО МОСФЕТА - REASUNOS.
- Вопрос: Где производится КАРБИД КРЕМЕНТ?
- О: Кремниевой карбидный МОСФЕТ производится в Гуандун, Китай.
- Вопрос: каково минимальное количество заказа?
- О: Минимальное количество заказов - 600.
- Вопрос: Какова упаковка для КАРБИДОГО КАРБИДА MOSFET?
- Ответ: Опаковка для КАРБИДОвого КАРБИДА MOSFET является пылестойкой, водонепроницаемой и антистатической трубчатой упаковкой, помещенной внутри картонной коробки в картонные коробки.
- Вопрос: Каково время доставки для КАРБИДОВОГО КАРБИДОВОГО МОСФЕТА?
- Ответ: Срок доставки MOSFET из карбида кремния составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.