Промышленный SiC карбид Мосфета переключающая частота прочный теплостойкий

Место происхождения Гуандун, CN
Фирменное наименование REASUNOS
Количество мин заказа 600
Цена Confirm price based on product
Упаковывая детали Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка
Время доставки 2-30 дней (зависит от общего количества)
Условия оплаты 100% T/T заранее ((EXW)
Поставка способности 5кк/месяц

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.

WhatsApp:0086 18588475571

Вичат: 0086 18588475571

Скайп: sales10@aixton.com

Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.

x
Подробная информация о продукте
эффективность Высокая эффективность Материал Силиконовый карбид
Тип прибора MOSFET Сопротивление Низкое сопротивление
Сила Наивысшая мощность Тип N
Наименование продукта МОП-транзистор из карбида кремния Применение Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока в постоянный, драйвер двигателя,
Выделить

Промышленный сикарбид мосфета

,

Си Карбид Мосфет Прочный

,

Термостойкая частота переключения Sic Mosfet

Вы можете отметить нужные вам продукты и связаться с нами на доске объявлений.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
Оставьте сообщение
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
Характер продукции

Устройство высокочастотного карбида кремния MOSFET для промышленных применений

Описание продукта:

Silicon Carbide (SiC) Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are advanced power semiconductors which provide high power and high frequency capabilities for a variety of applications, включая солнечные инверторы, высоковольтные преобразователи постоянного тока/ постоянного тока, драйверы двигателей, источники питания UPS, переключающие источники питания и зарядные батареи.низкие потери при переключении, низкий заряд шлюза, низкое сопротивление в режиме включения и превосходные тепловые и частотные характеристики по сравнению с традиционными MOSFET на основе кремния.

SiC MOSFET изготавливаются на основе национальной военной стандартной производственной линии, обеспечивающей стабильность процесса и надежное качество.Эти силовые полупроводники способны выдерживать высокие напряжения, обеспечивая одновременно отличную производительность и надежностьКроме того, SiC MOSFET предлагают улучшенную тепловую производительность и более высокую частоту работы по сравнению с обычными кремниевыми устройствами.

SiC MOSFET способны работать при высоких частотах и высоких температурах, что делает их подходящими для широкого спектра приложений.поскольку они предлагают превосходную энергоэффективность, низкие потери переключения, и низкое сопротивление на состоянии.SiC MOSFET способны выдерживать высокое напряжение и являются очень надежными из-за их производственного процесса на основе национального военного стандарта.

 

Технические параметры:

Недвижимость Описание
Наименование продукта Силиконокарбидный МОСФЕТ
Преимущества Основываясь на национальной военной производственной линии, процесс стабилен и качество надежно
Тип N
Применение Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока / постоянного тока, драйвер мотора, источник питания UPS, переключатель питания, зарядная куча и т.д.
Сила Высокая власть
Сопротивление Низкое сопротивление
Эффективность Высокая эффективность
Тип устройства MOSFET (транзистор с эффектом поля металлического оксида-полупроводника)
Частота Высокая частота
Материал Силиконовый карбид
 

Применение:

Кремниевый карбид MOSFET от REASUNOS - это полупроводниковый транзистор с полевым эффектом оксида металла на основе карбида кремния, обладающий высокой мощностью, низким сопротивлением и широким спектром применений.Этот Силиконовый Карбидный Транзистор Полевого Эффекта предлагает идеальное сочетание высокой эффективности, высокая частота переключения и низкое сопротивление для различных приложений, таких как солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, драйвер двигателя, источник питания УПС, источник питания переключения,зарядная куча и другие приложенияМинимальное количество заказов 600, цена определяется в зависимости от продукта, он упакован в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку.который помещается в картонную коробку в картонных пачках. Время доставки обычно составляет 2-30 дней в зависимости от общего количества. Условия оплаты составляют 100% T / T заранее (EXW). Этот Кремниевый карбид MOSFET имеет возможность поставки 5KK / месяц.

 

Поддержка и услуги:

Продукты MOSFET из карбида кремния поставляются с полным набором технической поддержки и услуг, включая:

  • Техническая помощь
  • Помощь в выборе продукта
  • Испытания и квалификация компонентов
  • Поддержка проектирования и применения
  • Обновления программного обеспечения
  • Обновления прошивки
  • Проповедничество
  • Обучение
  • Устранение неполадок
  • Услуги RMA/Return
 

Упаковка и перевозка:

Силиконовый карбид MOSFET упаковывается в ESD-безопасный пакет и отправляется в антистатической коробке. Коробка маркируется с необходимой информацией о продукте, такой как название продукта, номер заказа,и дата покупкиВ коробке также указано предупреждение о том, что с продуктом следует обращаться с осторожностью.

 

Часто задаваемые вопросы

Вопрос 1: Что такое REASUNOS КАРБИД КРЕЗИОН МОСФЕТ?

A1: REASUNOS Silicon Carbide MOSFET - это транзистор, который использует карбид кремния в качестве полупроводникового материала.Он используется в силовой электронике и автомобильных приложениях из-за его высокой частоты переключения, низкое сопротивление, и отличные тепловые характеристики.

Q2: Каково минимальное количество заказа для REASUNOS Silicon Carbide MOSFET?

Ответ 2: Минимальное количество заказа на REASUNOS Silicon Carbide MOSFET составляет 600.

Вопрос 3: Какова цена на КАРБИД КРЕЗИОНОВОЙ МОСФЕТ?

A3: Цена на REASUNOS Silicon Carbide MOSFET варьируется в зависимости от продукта. Пожалуйста, свяжитесь с нами для предложения.

Q4: Каково время доставки REASUNOS Silicon Carbide MOSFET?

A4: Срок доставки REASUNOS Silicon Carbide MOSFET составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.

Q5: Каковы условия оплаты REASUNOS Silicon Carbide MOSFET?

A5: Условия оплаты REASUNOS Silicon Carbide MOSFET составляют 100% T/T заранее (EXW).