Промышленный SiC карбид Мосфета переключающая частота прочный теплостойкий
Место происхождения | Гуандун, CN |
---|---|
Фирменное наименование | REASUNOS |
Количество мин заказа | 600 |
Цена | Confirm price based on product |
Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
Поставка способности | 5кк/месяц |

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xэффективность | Высокая эффективность | Материал | Силиконовый карбид |
---|---|---|---|
Тип прибора | MOSFET | Сопротивление | Низкое сопротивление |
Сила | Наивысшая мощность | Тип | N |
Наименование продукта | МОП-транзистор из карбида кремния | Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока в постоянный, драйвер двигателя, |
Выделить | Промышленный сикарбид мосфета,Си Карбид Мосфет Прочный,Термостойкая частота переключения Sic Mosfet |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Устройство высокочастотного карбида кремния MOSFET для промышленных применений
Описание продукта:
Silicon Carbide (SiC) Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are advanced power semiconductors which provide high power and high frequency capabilities for a variety of applications, включая солнечные инверторы, высоковольтные преобразователи постоянного тока/ постоянного тока, драйверы двигателей, источники питания UPS, переключающие источники питания и зарядные батареи.низкие потери при переключении, низкий заряд шлюза, низкое сопротивление в режиме включения и превосходные тепловые и частотные характеристики по сравнению с традиционными MOSFET на основе кремния.
SiC MOSFET изготавливаются на основе национальной военной стандартной производственной линии, обеспечивающей стабильность процесса и надежное качество.Эти силовые полупроводники способны выдерживать высокие напряжения, обеспечивая одновременно отличную производительность и надежностьКроме того, SiC MOSFET предлагают улучшенную тепловую производительность и более высокую частоту работы по сравнению с обычными кремниевыми устройствами.
SiC MOSFET способны работать при высоких частотах и высоких температурах, что делает их подходящими для широкого спектра приложений.поскольку они предлагают превосходную энергоэффективность, низкие потери переключения, и низкое сопротивление на состоянии.SiC MOSFET способны выдерживать высокое напряжение и являются очень надежными из-за их производственного процесса на основе национального военного стандарта.
Технические параметры:
Недвижимость | Описание |
---|---|
Наименование продукта | Силиконокарбидный МОСФЕТ |
Преимущества | Основываясь на национальной военной производственной линии, процесс стабилен и качество надежно |
Тип | N |
Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока / постоянного тока, драйвер мотора, источник питания UPS, переключатель питания, зарядная куча и т.д. |
Сила | Высокая власть |
Сопротивление | Низкое сопротивление |
Эффективность | Высокая эффективность |
Тип устройства | MOSFET (транзистор с эффектом поля металлического оксида-полупроводника) |
Частота | Высокая частота |
Материал | Силиконовый карбид |
Применение:
Кремниевый карбид MOSFET от REASUNOS - это полупроводниковый транзистор с полевым эффектом оксида металла на основе карбида кремния, обладающий высокой мощностью, низким сопротивлением и широким спектром применений.Этот Силиконовый Карбидный Транзистор Полевого Эффекта предлагает идеальное сочетание высокой эффективности, высокая частота переключения и низкое сопротивление для различных приложений, таких как солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, драйвер двигателя, источник питания УПС, источник питания переключения,зарядная куча и другие приложенияМинимальное количество заказов 600, цена определяется в зависимости от продукта, он упакован в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку.который помещается в картонную коробку в картонных пачках. Время доставки обычно составляет 2-30 дней в зависимости от общего количества. Условия оплаты составляют 100% T / T заранее (EXW). Этот Кремниевый карбид MOSFET имеет возможность поставки 5KK / месяц.
Поддержка и услуги:
Продукты MOSFET из карбида кремния поставляются с полным набором технической поддержки и услуг, включая:
- Техническая помощь
- Помощь в выборе продукта
- Испытания и квалификация компонентов
- Поддержка проектирования и применения
- Обновления программного обеспечения
- Обновления прошивки
- Проповедничество
- Обучение
- Устранение неполадок
- Услуги RMA/Return
Упаковка и перевозка:
Силиконовый карбид MOSFET упаковывается в ESD-безопасный пакет и отправляется в антистатической коробке. Коробка маркируется с необходимой информацией о продукте, такой как название продукта, номер заказа,и дата покупкиВ коробке также указано предупреждение о том, что с продуктом следует обращаться с осторожностью.
Часто задаваемые вопросы
A1: REASUNOS Silicon Carbide MOSFET - это транзистор, который использует карбид кремния в качестве полупроводникового материала.Он используется в силовой электронике и автомобильных приложениях из-за его высокой частоты переключения, низкое сопротивление, и отличные тепловые характеристики.
Ответ 2: Минимальное количество заказа на REASUNOS Silicon Carbide MOSFET составляет 600.
A3: Цена на REASUNOS Silicon Carbide MOSFET варьируется в зависимости от продукта. Пожалуйста, свяжитесь с нами для предложения.
A4: Срок доставки REASUNOS Silicon Carbide MOSFET составляет 2-30 дней, в зависимости от общего количества.
A5: Условия оплаты REASUNOS Silicon Carbide MOSFET составляют 100% T/T заранее (EXW).