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多面低電圧MOSFET Pチャネル エネルギー貯蔵のためのSGTプロセス
製品名: | 低電圧MOSFET |
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効率性: | 高効率と信頼性 |
トレンチプロセスの適用: | ワイヤレス充電、急速充電、モータードライバー、DC/DCコンバーター、高周波スイッチ、同期整流。 |
小型RSP低電圧MOSFET多シーンNチャンネル低しきい値
EAS機能: | 高い EAS 機能 |
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SGTのプロセス利点: | より多くの適用をカバーする進歩FOMの最適化。 |
SGTのプロセス適用: | モーター運転者、5G基地局、エネルギー蓄積、高周波スイッチ、同期改正。 |
メタル 実践的な高電圧 シック モスフェット N型シリコンカービッド半導体
利点: | 国家軍事規格の生産ラインに基づいており、プロセスは安定しており、品質は信頼できます |
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パワー: | 高い発電 |
タイプ: | N |
Nチャネル低電圧MOSFET DCDCコンバーターのための安定高EAS
電力消費量: | 低い電力の損失 |
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トレンチプロセスの利点: | より小型のRSP、直列・並列構成を自由に組み合わせて活用できます。 |
製品名: | 低電圧MOSFET |
高効率 低電源損失 低電圧 MOSFET トレンチ / SGT プロセス
Power consumption: | Low Power Loss |
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Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
5Gベースステーションのための低電圧MOSFET トレンチプロセス高効率モータードライバー
Structure process: | Trench/SGT |
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SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Product name: | Low Voltage MOSFET |