Semua produk
kata kunci [ converter high power mosfet ] pertandingan 96 Produk.
Multiscene Low Voltage MOSFET P Channel Untuk Proses SGT Energi Penyimpanan
| Nama produk: | MOSFET Tegangan Rendah |
|---|---|
| efisiensi: | Efisiensi Tinggi Dan Andal |
| Aplikasi proses parit: | Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif |
Fast Charging Low Voltage MOSFET N Channel Multipurpose Untuk Pengemudi Motor
| Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
|---|---|
| kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
| Proses struktur: | Parit/SGT |
RSP kecil tegangan rendah MOSFET Multi Scene N Channel Low Threshold
| kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
|---|---|
| Keuntungan proses SGT: | Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. |
| Aplikasi proses SGT: | Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron. |
Metal Praktis Tegangan Tinggi Sic Mosfet, N Tipe Silicon Karbida Semikonduktor
| Keuntungan: | Berdasarkan Lini Produksi Standar Militer Nasional, Prosesnya Stabil Dan Kualitasnya Dapat Diandalka |
|---|---|
| Kekuatan: | Kekuatan tinggi |
| Jenis: | N |
Multipurpose SBD Mosfet, tahan permukaan Mount Schottky Barrier Rectifier
| Karakteristik: | Arus Pemulihan Balik Sangat Rendah, Kemampuan Arus Anti Lonjakan Yang Kuat |
|---|---|
| Frekuensi: | Frekuensi tinggi |
| Bahan: | Silikon Karbida |
Karbida Silikon SBD Mosfet Multiscene untuk Pengemudi Motor
| efisiensi: | Efisiensi tinggi |
|---|---|
| Bahan: | Silikon Karbida |
| Kekuatan: | Kekuatan tinggi |
N Channel Low Voltage MOSFET Stabil High EAS Untuk DC DC Converter
| Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
|---|---|
| Keuntungan proses parit: | RSP Lebih Kecil, Konfigurasi Seri Maupun Paralel Dapat Dikombinasikan Dan Dimanfaatkan Secara Bebas. |
| Nama produk: | MOSFET Tegangan Rendah |
Multifunctional Silicon Carbide MOSFET Tegangan Tinggi Untuk Konverter
| efisiensi: | Efisiensi tinggi |
|---|---|
| Frekuensi: | Frekuensi tinggi |
| Perlawanan: | Resistensi Rendah |
Efisiensi Tinggi Kerugian Daya Rendah Tegangan Rendah MOSFET Trench / Proses SGT
| Power consumption: | Low Power Loss |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Low Voltage MOSFET Trench Process Driver Motor Efisiensi Tinggi untuk Stasiun Basis 5G
| Structure process: | Trench/SGT |
|---|---|
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
| Product name: | Low Voltage MOSFET |