Tất cả sản phẩm
Kewords [ converter high power mosfet ] trận đấu 96 các sản phẩm.
Multi-scene Low Voltage MOSFET P Channel cho quá trình lưu trữ năng lượng SGT
| Tên sản phẩm: | MOSFET điện áp thấp |
|---|---|
| hiệu quả: | Hiệu quả cao và đáng tin cậy |
| Ứng dụng quá trình đào rãnh: | Sạc không dây, Sạc nhanh, Trình điều khiển động cơ, Bộ chuyển đổi DC/DC, Công tắc tần số cao, Chỉnh |
Sạc nhanh MOSFET điện áp thấp N kênh đa năng cho tài xế xe máy
| Sự tiêu thụ năng lượng: | Mất điện thấp |
|---|---|
| Khả năng EAS: | Khả năng EAS cao |
| Quá trình kết cấu: | Rãnh/SGT |
RSP nhỏ MOSFET điện áp thấp Multi Scene N Channel Low Threshold
| Khả năng EAS: | Khả năng EAS cao |
|---|---|
| Quy trình SGT Ưu điểm: | Tối ưu hóa FOM đột phá, bao phủ nhiều ứng dụng hơn. |
| Quy trình SGT Ứng dụng: | Trình điều khiển động cơ, Trạm gốc 5G, Bộ lưu trữ năng lượng, Công tắc tần số cao, Chỉnh lưu đồng bộ |
Kim loại thực tế điện áp cao Sic Mosfet, N loại Silicon Carbide bán dẫn
| Thuận lợi: | Dựa trên dây chuyền sản xuất tiêu chuẩn quân sự quốc gia, quy trình ổn định và chất lượng đáng tin c |
|---|---|
| Sức mạnh: | Năng lượng cao |
| Loại: | N |
SBD đa năng Mosfet, bề mặt bền Mount Schottky Barrier Rectifier
| Đặc trưng: | Dòng phục hồi ngược cực thấp, khả năng chống dòng điện tăng mạnh |
|---|---|
| Tính thường xuyên: | Tân sô cao |
| Vật liệu: | cacbua silic |
Kháng nhiệt Silicon Carbide SBD Mosfet Multiscene cho lái xe máy
| hiệu quả: | Hiệu quả cao |
|---|---|
| Vật liệu: | cacbua silic |
| Sức mạnh: | Năng lượng cao |
N kênh điện áp thấp MOSFET ổn định cao EAS cho DC DC chuyển đổi
| Sự tiêu thụ năng lượng: | Mất điện thấp |
|---|---|
| Quá trình đào rãnh Ưu điểm: | RSP nhỏ hơn, cả cấu hình nối tiếp và song song có thể được kết hợp và sử dụng tự do. |
| Tên sản phẩm: | MOSFET điện áp thấp |
MOSFET Silicon Carbide đa chức năng điện áp cao cho máy chuyển đổi
| hiệu quả: | Hiệu quả cao |
|---|---|
| Tính thường xuyên: | Tân sô cao |
| Sức chống cự: | Mức kháng cự thấp |
Hiệu suất cao, mất điện thấp, điện áp thấp, MOSFET Trench / SGT
| Power consumption: | Low Power Loss |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
MOSFET điện áp thấp quá trình rãnh trình trình điều khiển động cơ hiệu quả cao cho trạm cơ sở 5G
| Structure process: | Trench/SGT |
|---|---|
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
| Product name: | Low Voltage MOSFET |