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키워드 [ converter high power mosfet ] 시합 96 상품.
에너지 저장 SGT 프로세스를 위한 다단계 저전압 MOSFET P 채널
| 제품 이름: | 저전압 MOSFET |
|---|---|
| 효율성: | 높은 효율성과 신뢰성 |
| 트렌치 공정 적용: | 무선 충전, 고속 충전, 모터 드라이버, DC/DC 컨버터, 고주파 스위치, 동기 정류. |
작은 RSP 저전압 MOSFET 다중 장 N 채널 낮은 문
| EAS 기능: | 높은 EAS 기능 |
|---|---|
| SGT 프로세스의 장점: | 획기적인 FOM 최적화로 더 많은 애플리케이션을 포괄합니다. |
| SGT 프로세스 적용: | 모터 드라이버, 5G 기지국, 에너지 저장, 고주파 스위치, 동기 정류. |
금속 실용적인 고전압 시크 모스페트, N형 실리콘 탄화물 반도체
| 장점: | 국가 군사 표준 생산 라인을 기반으로 프로세스가 안정적이고 품질이 신뢰할 수 있습니다. |
|---|---|
| 힘: | 고전력 |
| 종류: | 엔 |
N 채널 저전압 MOSFET DC DC 변환기에 대한 안정적인 높은 EAS
| 소비 전력: | 낮은 전력 손실 |
|---|---|
| 트렌치 공정의 장점: | 더 작은 RSP, 직렬 및 병렬 구성 모두 자유롭게 결합하고 활용할 수 있습니다. |
| 제품 이름: | 저전압 MOSFET |
고효율 저전력 손실 저전압 MOSFET 트렌치 / SGT 프로세스
| Power consumption: | Low Power Loss |
|---|---|
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
저전압 MOSFET 트렌치 프로세스 5G 베이스 스테이션을 위한 고효율 모터 드라이버
| Structure process: | Trench/SGT |
|---|---|
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
| Product name: | Low Voltage MOSFET |