Alle Produkte
Ansprechpartner : Marco Ye
Telefonnummer : +86 18825898464
Whatsapp : +8618825898464

Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit hoher Effizienz, geringer Widerstandsleistung und militärischer Standardproduktion

  • High Power N-channel MOSFET with High Efficiency Low On Resistance and Military Standard Production
  • High Power N-channel MOSFET with High Efficiency Low On Resistance and Military Standard Production
Place of Origin Guangdong, CN
Markenname REASUNOS
Preis Confirm price based on product
Packaging Details GB+Master Carton
Delivery Time 2-30 days (Depends on Total Quantity)
Payment Terms 100% T/T in Advance(EXW)
Supply Ability 5KK/month

Treten Sie mit mir für freie Proben und Kupons in Verbindung.

Whatsapp:0086 18588475571

wechat: 0086 18588475571

Skype: sales10@aixton.com

Wenn Sie irgendein Interesse haben, leisten wir 24-stündige Online-Hilfe.

x
Produktdetails
Effizienz Hohe Effizienz Widerstand Geringer Widerstand
Vorteile Basierend auf der Produktionslinie nach nationalem Militärstandard ist der Prozess stabil und die Qu Gerätetyp MOSFET
Frequenz Hochfrequenz Anwendung Solarwechselrichter, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Motortreiber, USV-Stromversorgung, Schaltnetzteil,
Typ N Produktname MOSFET der hohen Leistung
Hervorheben

Hocheffizienter Hochleistungs-MOSFET

,

MOSFET mit niedrigem Widerstand im N-Kanal

,

Militärische Standard-Produktionsleistung MOSFET
Hinterlass eine Nachricht
Produkt-Beschreibung
Hochleistungs-MOSFET optimiert für Ladestellen
Beschreibung des Produkts

Das Hochleistungs-MOSFET ist ein hochmodernes Gerät, das auf die anspruchsvollen Anforderungen moderner elektrischer Anwendungen zugeschnitten ist.Es bietet außergewöhnliche Leistung für Solarumrichter, Hochspannungs-Gleichspannungs­/Gleichspannungs­Wandler, Motorantriebe, UPS­Stromversorgungen, Schaltnetzteile, Ladestellen und andere Strommanagementsysteme.

Dieses MOSFET, das auf einer nationalen militärischen Produktionslinie hergestellt wird, garantiert stabile Prozesse und zuverlässige Qualität.Seine hohe Effizienz reduziert den Stromverlust beim Schalten, wodurch die Wärmeerzeugung reduziert und die Leistung des Systems verbessert wird.

Mit ausgezeichneter Leitfähigkeit und schnellen Schaltmöglichkeiten verfügt dieses MOSFET über einen geringen Widerstand zur Verringerung von Leitverlusten und optimierte Gate-Ladegehalte für schnellere Schaltzeiten.Diese Eigenschaften machen es ideal zum Laden von Ladestellen und zum Wechseln von Stromversorgungen, wo eine effiziente Stromumwandlung und ein zuverlässiger Betrieb unerlässlich sind.

Wesentliche Merkmale
  • Typ:N-Kanal-MOSFET
  • Widerstand:Niedrigem Widerstand für eine effiziente Leistung
  • Leistung:Hochleistung für anspruchsvolle Anwendungen
  • Herstellung:Produktionslinie für nationale militärische Normen
  • Anwendungen:Solarumrichter, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Motorantriebe, UPS, Schaltnetzteile, Ladestellen
  • Leistung:Hochfrequenz- und Hochspannungsfähigkeit
Technische Parameter
Parameter Spezifikation
Produktbezeichnung Hochleistungs-MOSFET
Gerätetypen MOSFET
Typ N
Häufigkeit Hochfrequenz
Macht Hohe Macht
Anwendungen Solarumrichter, Gleichspannungs-/ Gleichspannungsumrichter, Motorantrieb, UPS, Schaltvorrichtung, Ladestelle
Vorteile Produktion nach militärischem Standard, stabiler Prozess, zuverlässige Qualität
Effizienz Hohe Effizienz
Widerstand Niedriger Widerstand
Anwendungen

Das REASUNOS Hochleistungs-MOSFET zeichnet sich durch:

  • Solarumrichter:Effiziente Umwandlung von Gleichspannung in Wechselstrom
  • Gleichspannungs-/Gleichspannungswandler:Regulierung der Spannung mit minimalem Leistungsverlust
  • Kraftfahrer:Genaue Steuerung für Elektrofahrzeuge und Industrieanlagen
  • UPS-SystemeZuverlässige Stromversorgung bei Ausfällen
  • Aufladestellen:Sichere und effiziente Ladung von Elektrofahrzeugen
Anpassungsmöglichkeiten

REASUNOS bietet maßgeschneiderte High Power MOSFET Lösungen mit:

  • Militärische Produktionsprozesse
  • MOSFET-Konfigurationen mit hoher Effizienz des N-Types
  • Lieferkapazität von 5 Mio. Einheiten/Monat
  • GB+Master Kartonverpackung
  • Lieferung innerhalb von 2-30 Tagen je nach Bestellmenge
  • 100% T/T im Voraus (EXW)
Unterstützung und Dienstleistungen

Unsere umfassende Unterstützung umfaßt:

  • Ausführliche Datenblätter und Antragsnotizen
  • Produktauswahl und Designempfehlungen
  • Anpassung und Zuverlässigkeitsprüfung
  • Wärmeverwaltung und Torantriebsanleitung
  • Online-Ressourcen einschließlich häufig gestellter Fragen und technischen Foren
Verpackung und Versand

Unsere MOSFETs werden sicher in antistatischen Tabellen oder Röhren verpackt, und die Großbestellungen werden in polsterten Kartons geliefert, die den internationalen Standards entsprechen.Wir bieten verschiedene Versandoptionen an, einschließlich Express Kurier., Luftfracht und Seefracht mit voller Nachverfolgung.

Häufig gestellte Fragen
F1: Von welcher Marke ist das Hochleistungs-MOSFET?
A1: Hergestellt von REASUNOS, einer vertrauenswürdigen Marke für elektronische Komponenten.
F2: Wo wird das Hochleistungs-MOSFET hergestellt?
A2: Hergestellt in Guangdong, China.
F3: Wie ist das Produkt verpackt?
A3: Für eine sichere Lieferung werden GB+Master Carton verwendet.
F4: Wie ist die Lieferzeit?
A4: 2-30 Tage je nach Bestellmenge.
F5: Wie sind die Zahlungsbedingungen?
A5: 100% T/T im Voraus (EXW).
F6: Wie hoch ist die monatliche Lieferkapazität?
A6: Bis zu 5 Millionen Einheiten pro Monat.
F7: Wie kann ich die Preise bestätigen?
A7: Wenden Sie sich an unser Vertriebsteam, um eine spezifische Preisgestaltung zu erhalten, die auf Ihren Anforderungen basiert.
Umbauten:

Langlebige Hochleistungs-N-Kanal-Mosfet

MOSFET-Konverter mit hoher Leistung

N-Kanal-Hochleistungs-MOSFET