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조명 안정성 높은 전력 MOSFET 다각화 고속 전환
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x제품 상세 정보
| 장점 | 국가 군사 표준 생산 라인을 기반으로 프로세스가 안정적이고 품질이 신뢰할 수 있습니다. | 장치 타입 | MOSFET |
|---|---|---|---|
| 적용 | 태양광 인버터, 고전압 DC/DC 컨버터, 모터 드라이버, UPS 전원 공급 장치, 스위칭 전원 공급 장치, 충전 파일 등 | 힘 | 고전력 |
| 저항 | 낮은 저항 | 효율성 | 고효율 |
| 제품 이름 | 고전력 MOSFET | 주파수 | 고주파 |
| 강조하다 | 조명 고전력 MOSFET,안정적인 고전력 MOSFET,멀티스케인 고속 전력 모스페트 |
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| No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
| 2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
| 3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
| 4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
| 5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
| 6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
| 1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
| 2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
| 3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
| 4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
| 5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
| 6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
| 7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
| 8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
| 1 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | |
| 2 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | |
| 3 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | |
| 4 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | |
| 5 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | |
| 6 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | |
| 7 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 |
제품 설명
고주파 MOSFET
제품 설명:
고전력 MOSFET는 높은 주파수에서 작동하고 높은 효율을 제공하는 고전력 N 채널 MOSFET입니다. 국가 군사 표준 생산 라인을 기반으로합니다.안정적인 공정과 신뢰할 수 있는 품질그것은 높은 전류 및 높은 전압 응용 프로그램에 적합합니다. 전원 공급 장치, DC-DC 변환기, 모터 드라이브, 조명 및 기타 높은 전력 요구 사항.첨단 기술로 설계되었습니다., 낮은 저항, 견고한 디자인, 낮은 게이트 충전, 빠른 스위치 속도. 또한 뛰어난 열 성능을 가지고, 높은 전류와 높은 전력 응용 프로그램에 적합합니다.전류 및 전압 등급의 폭이 넓습니다., 그것은 다양한 응용 프로그램에 적합합니다.
고전력 MOSFET는 낮은 게이트 드라이브 전력, 높은 전류 능력, 낮은 전원 저항 및 높은 전압을 처리하는 능력과 같은 많은 장점을 제공합니다.그것은 훌륭한 전력 밀도와 효율을 가지고 있습니다, 고전력 애플리케이션에 대한 이상적인 선택으로. 그것은 또한 높은 온도와 높은 주파수에서 아무런 문제없이 작동 할 수 있도록, 우수한 열 성능을 제공합니다.견고한 디자인으로, 고전류와 고전압 애플리케이션을 문제없이 처리 할 수 있습니다.
고전력 MOSFET는 높은 전력과 높은 효율성을 필요로 하는 사람들에게 완벽한 선택입니다.그것은 높은 전류와 높은 전압 응용 프로그램에 대한 이상적인 선택입니다그것은 국가 군사 표준 생산 라인을 기반으로 안정적인 프로세스와 신뢰할 수있는 품질을 가지고 있으며, 높은 전력 및 높은 효율성 요구 사항에 대한 최고의 선택입니다.
기술 매개 변수:
| 제품 이름 | 고전력 MOSFET |
|---|---|
| 빈도 | 높은 주파수 |
| 종류 | N |
| 힘 | 높은 힘 |
| 장치 유형 | MOSFET |
| 장점 | 국가 군사 표준 생산 라인을 기반으로, 프로세스는 안정적이고 품질은 신뢰할 수 있습니다 |
| 효율성 | 높은 효율성 |
| 저항력 | 저항 이 낮다 |
| 적용 | 태양광 인버터, 고전압 DC/DC 변환기, 모터 드라이버, UPS 전원 공급 장치, 스위치 전원 공급 장치, 충전 스파일 등 |
응용 프로그램:
REASUNOS 고전력 MOSFET: 최고의 고전압 FET
REASUNOS 고전력 MOSFET는 고전압과 높은 전력을 필요로 하는 응용 프로그램에 이상적인 장치입니다.이 장치는 최고 품질의 재료로 만들어졌으며 최대 신뢰성을 위해 군사 표준 생산 라인에서 생산됩니다.이 장치의 가격은 선택 된 제품에 따라 결정되며 GB+Master Carton에서 제공됩니다. 주문된 총량에 따라 2~30일 이내에 배달됩니다.그리고 100% T/T Advance (EXW) 형태로 지불을 받아. 월 5KK까지 생산할 수 있는 능력으로, REASUNOS 고전력 MOSFET는 어떤 까다로운 응용 프로그램에 완벽한 선택입니다.
이 고성능 MOSFET는 최고 수준의 효율과 낮은 저항을 충족하도록 설계되었습니다. 다른 장치에 비해 뛰어난 성능을 제공합니다.그리고 그 신뢰성은 타의 추종을 불허합니다.따라서 태양광 발전 시스템, 자동차 및 의료 장비와 같은 높은 효율과 낮은 저항을 필요로하는 응용 프로그램에서 완벽한 선택입니다.우수한 품질과 성능을 보장받을 수 있습니다..
지원 및 서비스:
고전력 MOSFET 기술 지원 및 서비스
우리는 고전력 MOSFET 제품에 대한 포괄적인 기술 지원 및 서비스를 제공합니다. 전문가의 우리 팀은 제품 선택, 설치, 문제 해결에 도움을 제공하기 위해 24/7 사용할 수 있습니다.,그리고 더 많은 것.
우리의 기술 지원 직원은 다양한 애플리케이션에 대한 지식을 가지고 있으며 제품 사양과 기능에 대한 지침을 제공할 수 있습니다. 우리는 또한 제품 업데이트와 개선을 제공합니다.그리고 제품 고장 문제에도 도움이 됩니다..
우리는 또한 고전력 MOSFET 제품에 대한 현장 교육을 제공합니다. 전문가 팀은 제품을 최대한 활용하는 데 도움이되는 실제 지침과 지침을 제공 할 수 있습니다.
고전력 MOSFET 제품에 대한 기술 지원 및 서비스에 대한 자세한 내용은 오늘 저희에게 문의하십시오.
포장 및 운송:
고전력 MOSFET 의 포장 및 운송
고전력 MOSFET는 정적 분산 포장재에 안전하게 포장되어 제품을 보호하고 안전하게 도착하도록 적절한 완충을 갖춘 견고한 컨테이너에 배송됩니다.
컨테이너는 테이프로 밀폐되고 적절한 운송 정보와 포장지를 열거나 손상시키지 않도록 경고하는 표시가 있습니다.
이 제품은 배달을 보장하기 위해 추적 코드를 가지고 배송되며 온라인에서도 추적 할 수 있습니다.
FAQ:
Q1: REASUNOS 고전력 MOSFET는 무엇입니까?
A1: REASUNOS 고전력 MOSFET는 고전력 부하를 처리하도록 설계된 금속 산화물 반도체 현장 효과 트랜지스터 (MOSFET) 의 일종입니다.
Q2: REASUNOS 고전력 MOSFET는 어디서 만들어집니다?
A2: REASUNOS 고전력 MOSFET은 중국 광둥에서 만들어집니다.
Q3: REASUNOS 고전력 MOSFET 비용은 얼마입니까?
A3: REASUNOS 고전력 MOSFET의 가격은 제품에 따라 다릅니다. 자세한 내용은 저희에게 문의하십시오.
Q4: REASUNOS 고전력 MOSFET의 패키지는 무엇입니까?
A4: REASUNOS 고전력 MOSFET는 GB+Master Carton에 포장됩니다.
Q5: REASUNOS 고전력 MOSFET의 배송 시간은 얼마나 되나요?
A5: REASUNOS 고전력 MOSFET의 배송 시간은 총 양에 따라 2-30일입니다. 지불 조건은 100% T/T Advance (EXW) 입니다. 또한 5KK / 월의 공급 능력이 있습니다.
