Industrial Mosfet Transistor ad effetto campo ad alta potenza, ossido metallico semiconduttore

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xFrequenza | Ad alta frequenza | Vantaggi | Basato sulla linea di produzione dello standard militare nazionale, il processo è stabile e la quali |
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Nome del prodotto | MOSFET di alto potere | Tipo | N |
efficienza | Alta efficienza | Resistenza | Bassa resistenza |
Tipo di dispositivo | MOSFET | Potenza | Alto potere |
Evidenziare | Mosfet industriale ad alta potenza,Potenza elevata di Mosfet stabile,Transistor a effetto di campo di ossido metallico semiconduttore |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
1 | RSE60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
2 | RSE60R190S | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-263 | 800 | |
3 | RSE60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
4 | RSF60R150F | N | 22 | 600 | 130 | 150 | TO-220F | 1000 | |
5 | RSF60R190F | N | 17.6 | 600 | 165 | 190 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS60R130F | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO-220F | 1000 | |
7 | RS60R130W | N | 30 | 600 | 110 | 130 | TO247-3 | 600 | |
8 | RSF60R099F | N | 31 | 600 | 86 | 99 | TO-220F | 1000 | |
1 | RS2N65D | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-252 | 2500 | |
2 | RS2N65F | N | 2 | 650 | 3.8 | 4.5 | TO-220F | 1000 | |
3 | RS4N65D | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-252 | 2500 | |
4 | RS4N65MD | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-251 | 4000 | |
5 | RS4N65F | N | 4 | 650 | 2 | 2.4 | TO-220F | 1000 | |
6 | RS5N65D | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-252 | 2500 | |
7 | RS5N65F | N | 5 | 650 | 1.8 | 2.1 | TO-220F | 1000 |
Descrizione del prodotto:
Il MOSFET ad alta potenza è un tipo di MOSFET a canale N ampiamente utilizzato per applicazioni come inverter solare, convertitore DC/DC ad alta tensione, driver motore, alimentatore UPS, alimentatore di commutazione,piattaforma di ricarica, ecc. Ha i vantaggi di bassa resistenza, alta corrente, elevata efficienza e linea di produzione di livello militare.Si basa sulla linea di produzione standard militare nazionale per l'assicurazione della qualità e prestazioni affidabili.
Parametri tecnici:
Parametro | MOSFET ad alta potenza |
---|---|
Resistenza | Basso livello di resistenza |
Frequenza | Alta frequenza |
Tipo | N |
Efficienza | Alta efficienza |
Potenza | Potere elevato |
Vantaggi | Sulla base della linea di produzione standard militare nazionale, il processo è stabile e la qualità è affidabile |
Nome del prodotto | MOSFET ad alta potenza |
Tipo di dispositivo | MOSFET |
Applicazione | Invertitore solare, convertitore DC/DC ad alta tensione, driver motore, alimentatore UPS, alimentatore di commutazione, pila di ricarica, ecc. |
Applicazioni:
Il MOSFET ad alta potenza REASUNOS è un MOSFET ad alta frequenza e ad alta efficienza con bassa resistenza.elevata capacità di corrente e eccellenti caratteristiche termiche. Questo MOSFET è adatto a una varietà di applicazioni, come inverter solare, convertitore DC/DC ad alta tensione, driver motore, alimentatore UPS, alimentatore di commutazione e pila di ricarica.
Il MOSFET ad alta potenza REASUNOS è disponibile ad un prezzo competitivo ed è confezionato con cartone GB+Master.Le condizioni di pagamento sono il 100% T/T in anticipo ((EXW)La capacità di approvvigionamento è fino a 5KK/mese.
Il MOSFET ad alta potenza REASUNOS è una grande scelta per i clienti sul mercato di un MOSFET ad alta potenza e ad alta frequenza con bassa resistenza.Il prodotto offre eccellenti caratteristiche termiche e elevata capacità di corrente, che lo rende adatto a una varietà di applicazioni.
Supporto e servizi:
Offriamo l'ultimo supporto tecnico e servizio per prodotti MOSFET ad alta potenza.I nostri esperti hanno le conoscenze e l'esperienza per aiutarvi con qualsiasi domanda o problema che potreste avere riguardo ai nostri prodotti.
Forniamo assistenza tecnica completa per i nostri prodotti MOSFET ad alta potenza, compresa la risoluzione dei problemi, l'installazione, la riparazione, la manutenzione e l'ottimizzazione.Il nostro team di ingegneri e tecnici esperti è disponibile per rispondere alle vostre domande e fornire soluzioni.
I nostri servizi di supporto tecnico sono progettati per aiutarvi a ottenere il massimo dai vostri prodotti MOSFET ad alta potenza.Forniamo istruzioni passo dopo passo e guida per garantire l'uso sicuro ed efficiente dei nostri prodotti.
Ci impegniamo a fornire la massima qualità di servizio tecnico e supporto per i nostri clienti.e il nostro team è sempre disponibile per aiutarvi con qualsiasi domanda o preoccupazione.
Imballaggio e trasporto:
Imballaggio e spedizione del MOSFET ad alta potenza:
I MOSFET ad alta potenza sono in genere confezionati in contenitori di plastica nera.I contenitori vengono poi inseriti in una scatola di cartone e sigillati con nastro adesivo. La scatola è etichettata con il nome del prodotto e il numero di parte. La scatola viene quindi spedita via terra o via aerea a seconda delle esigenze del cliente.
FAQ:
Q1: Qual è il nome del marchio del MOSFET ad alta potenza?
R1: Il marchio del MOSFET ad alta potenza è REASUNOS.
D2: Dove viene prodotto il prodotto?
R2: Il MOSFET ad alta potenza è prodotto nel Guangdong, in Cina.
Q3: Qual è il prezzo del prodotto?
R3: Il prezzo del MOSFET ad alta potenza dipende dal prodotto.
Q4: Quali sono i dettagli dell'imballaggio?
A4: I dettagli di imballaggio del MOSFET ad alta potenza sono GB+Master Carton.
Q5: Qual è il tempo di consegna?
R5: Il tempo di consegna del MOSFET ad alta potenza è di 2-30 giorni, a seconda della quantità totale.
Q6: Quali sono le condizioni di pagamento?
R6: Le condizioni di pagamento per il MOSFET ad alta potenza sono il 100% T/T in anticipo ((EXW).
Q7: Qual è la capacità di approvvigionamento?
R7: La capacità di approvvigionamento del MOSFET ad alta potenza è di 5KK/mese.