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mots clés [ practical high power semiconductor ] rencontre 31 produits.
Pratique Super Junction Fet N Type Multi Fonction Pour les convertisseurs
| Nom du produit: | Jonction superbe MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Application du projet: | Conducteur de LED, circuit de PFC, alimentation d'énergie de changement, UPS de système d'alimentati |
| Résistance interne: | Résistance interne ultra petite |
PFC Circuit Super Junction MOSFET pratique à plusieurs scènes de type N
| Nom du produit: | Jonction superbe MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Application du projet: | Conducteur de LED, circuit de PFC, alimentation d'énergie de changement, UPS de système d'alimentati |
| Type de dispositif: | Dispositifs discrets de puissance |
Commutateur pratique Mosfet Transistor à basse tension multifonctionnel
| Application du procédé de tranchée: | Chargement sans fil, charge rapide, pilote de moteur, convertisseur DC/DC, commutateur haute fréquen |
|---|---|
| Résistance: | Le bas RDS (DESSUS) |
| Capacité EAS: | Capacité EAS élevée |
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Diode électronique de rectification de Schottky, MBRF2045CT Diode de barrière SiC de Schottky
| Fuite: | Basse fuite |
|---|---|
| Nom du produit: | Diodes de barrière de Schottky |
| Caractéristiques: | Faible tension vers l'avant Faible chute de tension, faible perte, temps de récupération inverse ext |
Réctifieur Schottky de puissance multifonctionnel pratique MBRF20100CT
| Coût: | Coût bas |
|---|---|
| Fuite: | Basse fuite |
| Caractéristiques: | Faible tension vers l'avant Faible chute de tension, faible perte, temps de récupération inverse ext |
MOSFET basse tension à haute capacité EAS pour la charge sans fil
| EAS capability: | High EAS Capability |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Moteur de conduite à haute efficacité pour la station de base 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Power consumption: | Low Power Loss |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Résistance à haute température du carbure de silicium à plusieurs scènes SBD pour le circuit PFC
| Avantages: | Basé sur la chaîne de production de normes militaires nationales, le processus est stable et la qual |
|---|---|
| Nom du produit: | Le carbure de silicium SBD/Sic SBD |
| Type de dispositif: | Dispositifs discrets de puissance |
Processus MOSFET à haute efficacité, faible perte de puissance et basse tension
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| EAS capability: | High EAS Capability |
Capacité EAS élevée basse Rds ((ON) processus de tranchée MOSFET rectification synchrone
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |