Όλα τα Προϊόντα
λέξεις-κλειδιά [ practical high power semiconductor ] αγώνας 31 προϊόντα.
Πρακτικός Super Junction Fet N Type Multi Function για μετατροπείς
| Ονομασία προϊόντος: | Έξοχη σύνδεση MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Εφαρμογή: | Οδηγός οδηγήσεων, κύκλωμα PFC, μεταστρέφοντας παροχή ηλεκτρικού ρεύματος, UPS του συνεχούς συστήματο |
| Εσωτερική αντίσταση: | Εξαιρετικά μικρή εσωτερική αντίσταση |
Εφαρμογή των προδιαγραφών που καθορίζονται στο παράρτημα II της οδηγίας 2008/57/ΕΚ
| Ονομασία προϊόντος: | Έξοχη σύνδεση MOSFET/SJ MOSTET |
|---|---|
| Εφαρμογή: | Οδηγός οδηγήσεων, κύκλωμα PFC, μεταστρέφοντας παροχή ηλεκτρικού ρεύματος, UPS του συνεχούς συστήματο |
| Τύπος συσκευών: | Ιδιαίτερες συσκευές δύναμης |
Κλειστή Πρακτικός Mosfet χαμηλής ισχύος, πολυλειτουργικό χαμηλής τάσης τρανζίστορ
| Εφαρμογή διαδικασίας τάφρου: | Ασύρματη φόρτιση, γρήγορη φόρτιση, πρόγραμμα οδήγησης κινητήρα, μετατροπέας DC/DC, Διακόπτης υψηλής |
|---|---|
| Αντίσταση: | Χαμηλό RDS (ΕΠΆΝΩ) |
| Δυνατότητα EAS: | Υψηλή ικανότητα EAS |
VIDEO
Πρακτικός Ηλεκτρονικός Διοειδής Σότκι, MBRF2045CT SiC Διοειδής Σότκι
| Διαρροή: | Χαμηλή διαρροή |
|---|---|
| Ονομασία προϊόντος: | Δίοδοι εμποδίων Schottky |
| Χαρακτηριστικά: | Χαμηλή προώθηση Χαμηλή πτώση τάσης, χαμηλή απώλεια, εξαιρετικά σύντομο χρόνο ανάκτησης αντίστροφης τ |
Πολυλειτουργικός διορθωτής Schottky ισχύος πρακτικός MBRF20100CT
| Κόστος: | Χαμηλότερο κόστος |
|---|---|
| Διαρροή: | Χαμηλή διαρροή |
| Χαρακτηριστικά: | Χαμηλή προώθηση Χαμηλή πτώση τάσης, χαμηλή απώλεια, εξαιρετικά σύντομο χρόνο ανάκτησης αντίστροφης τ |
Υψηλή ικανότητα EAS χαμηλής τάσης MOSFET για ασύρματη φόρτιση
| EAS capability: | High EAS Capability |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |
Χαμηλής τάσης MOSFET Τρύπης διαδικασίας υψηλής απόδοσης κινητήρα για σταθμό βάσης 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Power consumption: | Low Power Loss |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
Πολλαπλές σκηνές Καρβιδίου Σιλικόνης SBD Αντίσταση υψηλής θερμοκρασίας για κυκλώματα PFC
| Πλεονεκτήματα: | Με βάση την εθνική στρατιωτική γραμμή παραγωγής, η διαδικασία είναι σταθερή και η ποιότητα είναι αξι |
|---|---|
| Ονομασία προϊόντος: | Καρβιδιοπυριτικό SBD/Sic SBD |
| Τύπος συσκευών: | Ιδιαίτερες συσκευές δύναμης |
Υψηλή απόδοση χαμηλή απώλεια ισχύος χαμηλής τάσης MOSFET Trench/SGT διαδικασία
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Product name: | Low Voltage MOSFET |
| EAS capability: | High EAS Capability |
Υψηλή ικανότητα EAS Χαμηλή Rds ((ON) Διαδικασία τάφρου MOSFET Σύγχρονη διόρθωση
| Trench process Application: | Wireless Charging, Fast Charging, Motor Driver, DC/DC Converter, High-frequency Switch, Synchronous Rectification. |
|---|---|
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
| SGT process Advantages: | Breakthrough FOM Optimization, Covering More Application. |