Tất cả sản phẩm
Kewords [ converter high power mosfet ] trận đấu 96 các sản phẩm.
N Type 1200V Sic Power Mosfet, Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor
| Tên sản phẩm: | MOSFET silicon cacbua |
|---|---|
| hiệu quả: | Hiệu quả cao |
| Sức chống cự: | Mức kháng cự thấp |
Các Transistor Mosfet năng lượng thấp thực tế 20V 60V để sạc không dây
| Quá trình đào rãnh Ưu điểm: | RSP nhỏ hơn, cả cấu hình nối tiếp và song song có thể được kết hợp và sử dụng tự do. |
|---|---|
| Quy trình SGT Ưu điểm: | Tối ưu hóa FOM đột phá, bao phủ nhiều ứng dụng hơn. |
| Khả năng EAS: | Khả năng EAS cao |
Multiscene Low Power Mosfet Transistors SGT ổn định với điện áp ngưỡng thấp
| Sự tiêu thụ năng lượng: | Mất điện thấp |
|---|---|
| Tên sản phẩm: | MOSFET điện áp thấp |
| Ứng dụng quá trình đào rãnh: | Sạc không dây, Sạc nhanh, Trình điều khiển động cơ, Bộ chuyển đổi DC/DC, Công tắc tần số cao, Chỉnh |
Chuyển đổi ổn định điện áp cao MOSFET Transistor Multi Function
| đánh giá điện áp: | Điện áp cao/Điện áp cực cao |
|---|---|
| Ứng dụng MOSFET FRD HV nhúng: | Dòng động cơ, Biến tần, Ứng dụng mạch nửa cầu/toàn cầu, v.v. |
| Tên sản phẩm: | MOSFET điện áp cao |
SGT Công nghiệp điện áp thấp Mosfet, ổn định Mosfet Điện áp ngưỡng cửa thấp
| Quá trình kết cấu: | Rãnh/SGT |
|---|---|
| Quá trình đào rãnh Ưu điểm: | RSP nhỏ hơn, cả cấu hình nối tiếp và song song có thể được kết hợp và sử dụng tự do. |
| Sức chống cự: | Đường thấp (BẬT) |
Nhiều mục đích Mosfets năng lượng thấp, N kênh Mosfet áp suất ngưỡng thấp
| Khả năng EAS: | Khả năng EAS cao |
|---|---|
| Quá trình kết cấu: | Rãnh/SGT |
| Ứng dụng quá trình đào rãnh: | Sạc không dây, Sạc nhanh, Trình điều khiển động cơ, Bộ chuyển đổi DC/DC, Công tắc tần số cao, Chỉnh |
Thiết bị bán dẫn điện năng cao ô tô
| RDS(bật): | Đường thấp (BẬT) |
|---|---|
| Chịu nhiệt độ: | Chịu nhiệt độ cao |
| Tên sản phẩm: | Chất bán dẫn công suất cao |
650V Silicon Carbide Power Mosfet đa chức năng bền N Channel
| Ứng dụng: | Biến tần năng lượng mặt trời, Bộ chuyển đổi DC/DC điện áp cao, Trình điều khiển động cơ, Bộ nguồn UP |
|---|---|
| Sức chống cự: | Mức kháng cự thấp |
| hiệu quả: | Hiệu quả cao |
MOSFET điện áp thấp quá trình rãnh trình trình điều khiển động cơ hiệu quả cao cho trạm cơ sở 5G
| Efficiency: | High Efficiency And Reliable |
|---|---|
| Power consumption: | Low Power Loss |
| Trench process Advantages: | Smaller RSP, Both Series And Parallel Configurations Can Be Freely Combined And Utilized. |
MOSFET Silicon Carbide loại N thực tế 650V nhiệt độ cao
| hiệu quả: | Hiệu quả cao |
|---|---|
| Sức mạnh: | Năng lượng cao |
| Sức chống cự: | Mức kháng cự thấp |