Chuyển đổi Silicon Carbide MOSFET bền đa chức năng thấp trên kháng
Nguồn gốc | Quảng Đông, CN |
---|---|
Hàng hiệu | REASUNOS |
Số lượng đặt hàng tối thiểu | 600 |
Giá bán | Confirm price based on product |
chi tiết đóng gói | Bao bì dạng ống chống bụi, chống thấm nước và chống tĩnh điện, được đặt bên trong hộp bìa cứng dạng |
Thời gian giao hàng | 2-30 ngày (Phụ thuộc vào Tổng số lượng) |
Điều khoản thanh toán | Trả trước 100% T / T (EXW) |
Khả năng cung cấp | 5KK/tháng |

Liên hệ với tôi để lấy mẫu miễn phí và phiếu giảm giá.
WhatsApp:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
Ứng dụng trò chuyện: sales10@aixton.com
Nếu bạn có bất kỳ mối quan tâm nào, chúng tôi cung cấp trợ giúp trực tuyến 24 giờ.
xSức chống cự | Mức kháng cự thấp | Loại thiết bị | MOSFET |
---|---|---|---|
Thuận lợi | Dựa trên dây chuyền sản xuất tiêu chuẩn quân sự quốc gia, quy trình ổn định và chất lượng đáng tin c | Loại | N |
Sức mạnh | Năng lượng cao | Vật liệu | cacbua silic |
Ứng dụng | Biến tần năng lượng mặt trời, Bộ chuyển đổi DC/DC điện áp cao, Trình điều khiển động cơ, Bộ nguồn UP | hiệu quả | Hiệu quả cao |
Làm nổi bật | Chuyển đổi Silicon Carbide MOSFET,Silicon Carbide MOSFET bền,Máy móc Sic đa chức năng |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Thiết bị MOSFET Silicon Carbide có điện trở thấp cho các ứng dụng khác
Mô tả sản phẩm:
Silicon Carbide MOSFET là một siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu siêu cao.Loại MOSFET này cung cấp kháng cự thấp và hiệu quả caoNó được sản xuất dựa trên dây chuyền sản xuất tiêu chuẩn quân sự quốc gia, đảm bảo quá trình ổn định và chất lượng đáng tin cậy.
MOSFET này dựa trên vật liệu silicon carbide, một chất bán dẫn hợp chất.làm cho nó một sự lựa chọn tuyệt vời cho một loạt các ứng dụngNó cũng cung cấp tính dẫn nhiệt tuyệt vời, cho phép nó được sử dụng trong các ứng dụng công suất cao.
Silicon Carbide MOSFET rất đáng tin cậy và cung cấp kháng cự thấp, hiệu quả cao và độ dẫn nhiệt cao. Nó được sản xuất dựa trên dây chuyền sản xuất tiêu chuẩn quân sự quốc gia,đảm bảo quá trình ổn định và chất lượng đáng tin cậyĐiều này làm cho nó một sự lựa chọn lý tưởng cho nhiều ứng dụng.
Các thông số kỹ thuật:
Parameter | Mô tả |
---|---|
Sức mạnh | Quyền lực cao |
Vật liệu | Silicon Carbide |
Loại | N |
Loại thiết bị | MOSFET |
Hiệu quả | Hiệu quả cao |
Tần số | Tần số cao |
Kháng chiến | Không có nhiều người chống lại |
Ưu điểm | Dựa trên dây chuyền sản xuất tiêu chuẩn quân sự quốc gia, quy trình ổn định và chất lượng đáng tin cậy |
Ứng dụng | Inverter năng lượng mặt trời, Chuyển đổi DC / DC điện áp cao, Máy điều khiển động cơ, Cung cấp điện UPS, Cung cấp điện chuyển đổi, Đồ sạc, Vv |
Tên sản phẩm | Silicon Carbide MOSFET |
Ứng dụng:
REASUNOS Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (SiC MOSFET) được làm bằng vật liệu silicon carbide, được thiết kế để cung cấp hiệu quả và hiệu suất cao.Nó được sản xuất ở Quảng Đông., Trung Quốc, với số lượng đặt hàng tối thiểu là 600. Nó được đóng gói với bao bì ống chống bụi, chống nước và chống tĩnh, được đặt trong một hộp bìa trong hộp.Thời gian giao hàng từ 2-30 ngày, tùy thuộc vào tổng số lượng. 100% T / T trước (EXW) được yêu cầu cho các điều khoản thanh toán. Khả năng cung cấp lên đến 5KK / tháng. Loại thiết bị là MOSFET,và nó phù hợp với các ứng dụng hiệu quả cao như Mặt trời Inverter, Chuyển đổi DC / DC điện áp cao, trình điều khiển động cơ, nguồn cung cấp điện UPS, nguồn cung cấp điện chuyển đổi, đống sạc, vv
Hỗ trợ và Dịch vụ:
Hỗ trợ kỹ thuật và dịch vụ MOSFET Silicon Carbide
Chúng tôi cung cấp cho khách hàng của chúng tôi hỗ trợ kỹ thuật toàn diện và dịch vụ cho sản phẩm Silicon Carbide MOSFET của chúng tôi.Nhóm chuyên gia của chúng tôi sẵn sàng giúp trả lời bất kỳ câu hỏi nào bạn có thể có và cung cấp hướng dẫn về việc sử dụng đúng sản phẩmChúng tôi cũng cung cấp nhiều dịch vụ bao gồm:
- Tư vấn và hỗ trợ kỹ thuật
- Cài đặt sản phẩm và khắc phục sự cố
- Cải tiến và sửa chữa
- Bảo trì tại chỗ
- Đào tạo kỹ thuật
Để biết thêm thông tin về các sản phẩm và dịch vụ Silicon Carbide MOSFET của chúng tôi, vui lòng truy cập trang web của chúng tôi hoặc liên hệ trực tiếp với chúng tôi.
Bao bì và vận chuyển:
Silicon Carbide MOSFET được đóng gói và vận chuyển trong các hộp bìa đóng kín với túi chống tĩnh bên trong. Các hộp được dán nhãn với thông tin sản phẩm, chẳng hạn như tên sản phẩm, số lượng,và địa chỉ đíchNhiệt độ, độ ẩm và vật liệu đóng gói chống va chạm được sử dụng để đảm bảo rằng sản phẩm không bị hư hại trong quá trình vận chuyển.Sau đó, các hộp được đặt trên pallet và đóng gói để vận chuyển.
FAQ:
- Q: Tên thương hiệu của Silicon Carbide MOSFET là gì?
- A: Tên thương hiệu của Silicon Carbide MOSFET là REASUNOS.
- Q: Silicon Carbide MOSFET được sản xuất ở đâu?
- A: Silicon Carbide MOSFET được sản xuất tại Quảng Đông, Trung Quốc.
- Q: Số lượng đặt hàng tối thiểu là bao nhiêu?
- A: Số lượng đặt hàng tối thiểu là 600.
- Q: Bao bì của Silicon Carbide MOSFET là gì?
- A: Bao bì cho Silicon Carbide MOSFET là bao bì ống chống bụi, chống nước và chống tĩnh, được đặt bên trong một hộp bìa trong hộp hộp.
- Q: Thời gian giao hàng cho Silicon Carbide MOSFET là bao lâu?
- A: Thời gian giao hàng cho Silicon Carbide MOSFET là 2-30 ngày, tùy thuộc vào tổng số lượng.