Стабильный преобразователь Сик Повер Мосфет, Силиконовый карбид Сик Повер Полупроводники
Место происхождения | Гуандун, CN |
---|---|
Фирменное наименование | REASUNOS |
Количество мин заказа | 600 |
Цена | Confirm price based on product |
Упаковывая детали | Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в ка |
Время доставки | 2-30 дней (зависит от общего количества) |
Условия оплаты | 100% T/T заранее ((EXW) |
Поставка способности | 5кк/месяц |

Свяжитесь я бесплатно образцы и талоны.
WhatsApp:0086 18588475571
Вичат: 0086 18588475571
Скайп: sales10@aixton.com
Если вы имеете любую заботу, то мы предусматриваем 24-часовую интерактивную справку.
xТип прибора | MOSFET | Материал | Силиконовый карбид |
---|---|---|---|
Тип | N | Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока в постоянный, драйвер двигателя, |
Преимущества | Основанный на производственной линии национального военного стандарта, процесс стабилен, а качество | Сопротивление | Низкое сопротивление |
эффективность | Высокая эффективность | Наименование продукта | МОП-транзистор из карбида кремния |
Выделить | Стабильный Сик Мосфет,Преобразователь Sic Power Mosfet,ISO Силиконовый карбид Sic Сильные полупроводники |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Описание продукта:
Кремниевые карбидные MOSFET (SiC-металлооксид-полупроводниковый полевой транзистор) - это высокомощные и высокоэффективные устройства с высокой частотой и низким сопротивлением.Они основаны на национальной военной производственной линии.Силиконовый карбид MOSFET состоит из силиконового карбида и металлического оксида полупроводникового полевого эффекта транзистора.Они предназначены для высокомощных приложений, с высокой эффективностью, низким сопротивлением и высокой частотой. Кремниевые карбиды MOSFET обеспечивают широкий спектр преимуществ по сравнению с обычными полупроводниковыми устройствами, такими как низкое потребление энергии,работа при высоких температурахКроме того, эти устройства очень надежны и обладают отличными тепловыми и электрическими свойствами.что делает их идеальными для различных применений.
Технические параметры:
Параметры | Ценности |
---|---|
Сила | Высокая власть |
Тип устройства | MOSFET |
Эффективность | Высокая эффективность |
Сопротивление | Низкое сопротивление |
Применение | Солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, драйвер двигателя, подача электроэнергии UPS, переключатель питания, зарядная куча и т.д. |
Преимущества | На основе национальной военной стандартной производственной линии, процесс стабилен и качество надежно |
Материал | Силиконовый карбид |
Частота | Высокая частота |
Тип | N |
Наименование продукта | Силиконокарбидный МОСФЕТ |
Применение:
REASUNOS предлагает Кремниевый карбид полевого эффекта транзистора (MOSFET) устройства, которые предназначены для удовлетворения самых высоких требований к мощности и частоты.эти MOSFET очень долговечны и надежны в таких приложениях, как солнечный инвертор, высоковольтный преобразователь постоянного тока / постоянного тока, драйвер двигателя, источник питания UPS, переключатель питания и зарядный стол.
Каждое устройство тщательно упаковано в пылестойкую, водонепроницаемую и антистатическую трубчатую упаковку.помещенные в картонную коробку в картонных коробках. Время доставки для заказа составляет 2-30 дней в зависимости от общего количества. Условия оплаты 100% T / T заранее (EXW). Максимальная мощность поставок составляет 5KK / месяц.
Поддержка и услуги:
Наша команда технической поддержки доступна 24 часа в сутки, чтобы ответить на любые вопросы клиентов о наших продуктах.Мы также предлагаем широкий спектр учебных курсов для клиентов, чтобы помочь им получить максимальную отдачу от своих продуктовКроме того, наша команда обслуживания клиентов готова оказать помощь в любых заказах или вопросах, которые могут возникнуть у клиентов.
Упаковка и перевозка:
Опаковка и транспортировка MOSFET из карбида кремния:
Опаковка: Кремниевые карбидные MOSFET упакованы в материалы, соответствующие требованиям ESD (электростатического разряда).
Отправка: MOSFET из карбида кремния отправляются в соответствии с мировыми стандартами доставки, чтобы обеспечить безопасную доставку.
Часто задаваемые вопросы
- Вопрос 1: Какое торговое название КАРБИДОГРУБНОГО МОСФЕТА?
- Ответ: причины.
- Вопрос 2: Где производится Кремниевой карбидный MOSFET?
- А2: Гуандун, Китай.
- Q3: Каково минимальное количество заказа для КАРБИДОВОГО КАРБИДА MOSFET?
- А3: 600.
- Q4: Как упаковывается КАРБИД КРМ?
- A4: Прочная, водонепроницаемая и антистатическая трубчатая упаковка, помещенная в картонную коробку в картонные коробки.
- Q5: Сколько времени потребуется для получения заказа на КАРБИД СИЛИЦОН МОСФЕТ?
- A5: 2-30 дней (зависит от общего количества).