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Convertitore stabile Sic Power Mosfet, ISO Silicon Carbide Sic Power Semiconductors

  • Stable Converter SiC Power Mosfet , ISO Silicon Carbide SiC Power Semiconductors
  • Stable Converter SiC Power Mosfet , ISO Silicon Carbide SiC Power Semiconductors
Luogo di origine Guangdong, CN
Marca REASUNOS
Quantità di ordine minimo 600
Prezzo Confirm price based on product
Imballaggi particolari Imballaggio tubolare antirughe, antirughe e antistatiche, collocato in una scatola di cartone in car
Tempi di consegna 2-30 giorni (a seconda della quantità totale)
Termini di pagamento 100% T/T in anticipo (EXW)
Capacità di alimentazione 5KK/mese

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Dettagli
Tipo di dispositivo MOSFET Materiale Carburo di silicio
Tipo N Applicazione Invertitore solare, convertitore CC/CC ad alta tensione, driver del motore, alimentatore UPS, alimen
Vantaggi Basato sulla linea di produzione dello standard militare nazionale, il processo è stabile e la quali Resistenza Bassa resistenza
efficienza Alta efficienza Nome del prodotto MOSFET al carburo di silicio
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Stabile Sic Potenza Mosfet

,

Convertitore Sic Power Mosfet

,

Semiconduttori di potenza ISO Silicon Carbide Sic
Puoi spuntare i prodotti di cui hai bisogno e comunicare con noi nella bacheca.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs)
1 RSM065030W N 55 650 30 50 TO247-3 600
2 RSM065030Z N 55 650 30 50 TO247-4 600
3 RSM065060W N 29 650 60 79 TO247-3 600
4 RSM065060Z N 29 650 60 79 TO247-4 600
5 RSM120018Z N 105 1200 18 26 TO247-4 600
6 RSM120025W N 90 1200 25 34 TO247-3 600
7 RSM120025Z N 90 1200 25 34 TO247-4 600
8 RSM120040W N 68 1200 40 55 TO247-3 600
9 RSM120040Z N 68 1200 40 55 TO247-4 600
10 RSM120075W N 33 1200 75 95 TO247-3 600
11 RSM120075Z N 33 1200 75 95 TO247-4 600
12 RSM120080W N 36 1200 80 98 TO247-3 600
13 RSM120080Z N 36 1200 80 98 TO247-4 600
14 RSM120160W N 18 1200 160 196 TO247-3 600
15 RSM120160Z N 18 1200 160 196 TO247-4 600
16 RSM1701K0W N 5 1700 1000 1300 TO247-3 600
17 RSM1701K0Z N 5 1700 1000 1300 TO247-4 600
18 RSM170045W N 72 1700 45 70 TO247-3 600
19 RSM170045Z N 72 1700 45 70 TO247-4 600
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Descrizione di prodotto

Descrizione del prodotto:

I MOSFET a carburo di silicio (SiC Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) sono dispositivi ad alta potenza e alta efficienza con alta frequenza e bassa resistenza.Sono basati sulla linea di produzione standard militare nazionale.I MOSFET a carburo di silicio sono composti da un transistor a effetto campo a carburo di silicio e ossido di metallo.Sono progettati per le applicazioni ad alta potenzaI MOSFET in carburo di silicio offrono una vasta gamma di vantaggi rispetto ai dispositivi semiconduttori convenzionali, come il basso consumo di energia,funzionamento ad alta temperaturaInoltre, questi dispositivi sono altamente affidabili e offrono eccellenti proprietà termiche ed elettriche.rendendoli ideali per una varietà di applicazioni.

 

Parametri tecnici:

Parametri Valori
Potenza Potere elevato
Tipo di dispositivo MOSFET
Efficienza Alta efficienza
Resistenza Basso livello di resistenza
Applicazione Invertitore solare, convertitore DC/DC ad alta tensione, driver motore, alimentatore UPS, alimentatore di commutazione, pila di ricarica, ecc.
Vantaggi Sulla base della linea di produzione standard militare nazionale, il processo è stabile e la qualità è affidabile
Materiale Carburo di silicio
Frequenza Alta frequenza
Tipo N
Nome del prodotto MOSFET a carburo di silicio
 

Applicazioni:

MOSFET al carburo di silicio High Power e High Frequency Devices di REASUNOS

REASUNOS offre dispositivi MOSFET (Silicium Carbide Field Effect Transistor) progettati per soddisfare i più alti requisiti di potenza e frequenza.questi MOSFET sono altamente durevoli e affidabili in applicazioni come l'inverter solare, convertitore DC/DC ad alta tensione, driver motore, alimentatore UPS, alimentatore di commutazione e pila di ricarica.

Questi MOSFET sono venduti con una quantità minima di 600 e il prezzo è basato sul prodotto.contenenti, in peso, 0,25% o più, ma non più di 0,25% di acido acido. Il tempo di consegna per l'ordine è di 2-30 giorni a seconda della quantità totale. I termini di pagamento sono 100% T / T in anticipo (EXW). La capacità massima di fornitura è di 5KK / mese.

 

Supporto e servizi:

Il nostro team di supporto tecnico è disponibile 24 ore su 24, 7 giorni su 7 per rispondere a qualsiasi domanda che i clienti possano avere sui nostri prodotti.Offriamo anche una gamma completa di corsi di formazione per i clienti per aiutarli a ottenere il massimo dai loro prodottiInoltre, il nostro team di assistenza clienti è disponibile per fornire assistenza con qualsiasi ordine o problema che i clienti possano avere.

 

Imballaggio e trasporto:

Imballaggio e spedizione del MOSFET al carburo di silicio:

Imballaggio: i MOSFET in carburo di silicio sono confezionati in materiali conformi all'ESD (discarica elettrostatica).

Spedizione: i MOSFET a carburo di silicio vengono spediti in conformità con gli standard di spedizione globali per garantire una consegna sicura e protetta.

 

FAQ:

Q1: Qual è il marchio di Silicon Carbide MOSFET?
A1: RASUNOS.
D2: Dove viene prodotto il MOSFET a carburo di silicio?
A2: Guangdong, Cina.
Q3: Qual è la quantità minima di ordine per il MOSFET al carburo di silicio?
A3: 600.
Q4: Come viene confezionato il MOSFET a carburo di silicio?
A4: imballaggio tubulare antirughe, antirughe e antistatico, collocato in una scatola di cartone in cartone.
Q5: Quanto tempo ci vorrà per ricevere un ordine di MOSFET al carburo di silicio?
A5: 2-30 giorni (dipende dalla quantità totale).
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MOSFET a carburo di silicio per l'automotive