স্থিতিশীল রূপান্তরকারী সিক পাওয়ার মোসফেট, আইএসও সিলিকন কার্বাইড সিক পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর
উৎপত্তি স্থল | গুয়াংডং, সিএন |
---|---|
পরিচিতিমুলক নাম | REASUNOS |
ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ | 600 |
মূল্য | Confirm price based on product |
প্যাকেজিং বিবরণ | ডাস্টপ্রুফ, ওয়াটারপ্রুফ, এবং অ্যান্টি-স্ট্যাটিক টিউবুলার প্যাকেজিং, একটি কার্ডবোর্ডের বাক্সের ভিতরে |
ডেলিভারি সময় | 2-30 দিন (মোট পরিমাণের উপর নির্ভর করে) |
পরিশোধের শর্ত | 100% T/T অগ্রিম (EXW) |
যোগানের ক্ষমতা | 5KK/মাস |

বিনামূল্যে নমুনা এবং কুপন জন্য আমার সাথে যোগাযোগ করুন.
হোয়াটসঅ্যাপ:0086 18588475571
wechat: 0086 18588475571
স্কাইপ: sales10@aixton.com
আপনার কোন উদ্বেগ থাকলে, আমরা 24-ঘন্টা অনলাইন সহায়তা প্রদান করি।
xডিভাইসের ধরন | MOSFET | উপাদান | সিলিকন কারবাইড |
---|---|---|---|
প্রকার | এন | প্রয়োগ | সোলার ইনভার্টার, হাই-ভোল্টেজ ডিসি/ডিসি কনভার্টার, মোটর ড্রাইভার, ইউপিএস পাওয়ার সাপ্লাই, সুইচিং পাওয |
সুবিধাদি | ন্যাশনাল মিলিটারি স্ট্যান্ডার্ড প্রোডাকশন লাইনের উপর ভিত্তি করে, প্রক্রিয়াটি স্থিতিশীল এবং গুণমান ন | প্রতিরোধ | কম প্রতিরোধ ক্ষমতা |
কার্যকারিতা | উচ্চ দক্ষতা | পণ্যের নাম | সিলিকন কার্বাইড MOSFET |
বিশেষভাবে তুলে ধরা | স্থিতিশীল সিক পাওয়ার মোসফেট,কনভার্টার সিক পাওয়ার মোসফেট,আইএসও সিলিকন কার্বাইড সিক পাওয়ার সেমিকন্ডাক্টর |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
পণ্যের বর্ণনাঃ
সিলিকন কার্বাইড MOSFETs (SiC ধাতু-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর) একটি উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং কম প্রতিরোধের সঙ্গে উচ্চ ক্ষমতা এবং উচ্চ দক্ষতা ডিভাইস।তারা জাতীয় সামরিক স্ট্যান্ডার্ড উৎপাদন লাইন উপর ভিত্তি করেসিলিকন কার্বাইড MOSFETs একটি সিলিকন কার্বাইড এবং ধাতু অক্সাইড সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর গঠিত হয়।তারা উচ্চ ক্ষমতা অ্যাপ্লিকেশন হ্যান্ডেল করার জন্য ডিজাইন করা হয়, উচ্চ দক্ষতা, কম প্রতিরোধ এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি সহ। সিলিকন কার্বাইড MOSFETs প্রচলিত অর্ধপরিবাহী ডিভাইসের তুলনায় ব্যাপক সুবিধা প্রদান করে, যেমন কম শক্তি খরচ,উচ্চ তাপমাত্রা অপারেশন, উচ্চ বিরতি ভোল্টেজ, এবং নিম্ন গেট ড্রাইভিং ভোল্টেজ। উপরন্তু, এই ডিভাইসগুলি অত্যন্ত নির্ভরযোগ্য এবং চমৎকার তাপ এবং বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য প্রদান করে,বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনের জন্য তাদের আদর্শ করে তোলে.
টেকনিক্যাল প্যারামিটারঃ
পরামিতি | মূল্যবোধ |
---|---|
শক্তি | উচ্চ ক্ষমতা |
ডিভাইসের ধরন | MOSFET |
কার্যকারিতা | উচ্চ দক্ষতা |
প্রতিরোধ | কম প্রতিরোধ |
প্রয়োগ | সোলার ইনভার্টার, হাই-ভোল্টেজ ডিসি/ডিসি কনভার্টার, মোটর ড্রাইভার, ইউপিএস পাওয়ার সাপ্লাই, সুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, চার্জিং পিল ইত্যাদি। |
সুবিধা | ন্যাশনাল মিলিটারি স্ট্যান্ডার্ড প্রোডাকশন লাইনের উপর ভিত্তি করে, প্রক্রিয়া স্থিতিশীল এবং গুণমান নির্ভরযোগ্য |
উপাদান | সিলিকন কার্বাইড |
ঘনত্ব | উচ্চ ঘন ঘন |
প্রকার | এন |
পণ্যের নাম | সিলিকন কার্বাইড MOSFET |
অ্যাপ্লিকেশনঃ
REASUNOS সিলিকন কার্বাইড ফিল্ড এফেক্ট ট্রানজিস্টর (MOSFET) ডিভাইসগুলি সরবরাহ করে যা শক্তি এবং ফ্রিকোয়েন্সির সর্বোচ্চ প্রয়োজনীয়তা পূরণের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। সিলিকন কার্বাইড উপাদান দিয়ে তৈরি,এই MOSFETs অত্যন্ত টেকসই এবং নির্ভরযোগ্য অ্যাপ্লিকেশন যেমন সৌর ইনভার্টার, উচ্চ ভোল্টেজ ডিসি/ডিসি কনভার্টার, মোটর ড্রাইভার, ইউপিএস পাওয়ার সাপ্লাই, স্যুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই এবং চার্জিং পিল।
এই এমওএসএফইটিগুলি ন্যূনতম অর্ডার পরিমাণ 600 এর সাথে আসে এবং দাম পণ্যের উপর ভিত্তি করে। প্রতিটি ডিভাইস সাবধানে ধুলোরোধী, জলরোধী এবং অ্যান্টিস্ট্যাটিক টিউবুলার প্যাকেজিংয়ে প্যাক করা হয়,কার্ডবোর্ড বাক্সের ভিতরে বক্সের মধ্যে রাখা. অর্ডারের জন্য ডেলিভারি সময় মোট পরিমাণের উপর নির্ভর করে 2-30 দিন। পেমেন্ট শর্তাবলী 100% টি / টি অগ্রিম (এক্সডাব্লু) । সর্বাধিক সরবরাহ ক্ষমতা 5KK / মাস।
সহায়তা ও সেবা:
সিলিকন কার্বাইড MOSFET চমৎকার প্রযুক্তিগত সহায়তা এবং সেবা আছে। আমাদের প্রযুক্তিগত সহায়তা দল আমাদের পণ্য সম্পর্কে গ্রাহকদের কোন প্রশ্নের উত্তর দিতে 24/7 উপলব্ধ।আমরা গ্রাহকদের জন্য প্রশিক্ষণ কোর্সের একটি বিস্তৃত পরিসীমাও অফার করি যাতে তাদের পণ্যগুলি থেকে সর্বাধিক সুবিধা পেতে সহায়তা করা যায়এছাড়াও, আমাদের গ্রাহক সেবা দল গ্রাহকদের যেকোনো অর্ডার বা সমস্যার ক্ষেত্রে সহায়তা প্রদানের জন্য উপলব্ধ।
প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ
সিলিকন কার্বাইড MOSFET প্যাকেজিং এবং শিপিংঃ
প্যাকেজিংঃ সিলিকন কার্বাইড MOSFETs ESD (ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক ডিসচার্জ) সামঞ্জস্যপূর্ণ উপকরণ প্যাকেজ করা হয়।
শিপিংঃ সিলিকন কার্বাইড MOSFETs নিরাপদ এবং সুরক্ষিত ডেলিভারি নিশ্চিত করার জন্য বিশ্বব্যাপী শিপিং মান অনুযায়ী শিপিং করা হয়।
প্রায়শই জিজ্ঞাসিত প্রশ্নঃ
- প্রশ্ন 1: সিলিকন কার্বাইড MOSFET এর ব্র্যান্ড নাম কি?
- উত্তর: কারণ।
- প্রশ্ন ২: সিলিকন কার্বাইড MOSFET কোথায় তৈরি করা হয়?
- উত্তরঃ গুয়াংডং, চীন।
- Q3: সিলিকন কার্বাইড MOSFET এর জন্য সর্বনিম্ন অর্ডার পরিমাণ কত?
- এ৩ঃ ৬০০।
- প্রশ্ন 4: সিলিকন কার্বাইড MOSFET কিভাবে প্যাকেজ করা হয়?
- A4: ধুলো, জলরোধী এবং অ্যান্টি-স্ট্যাটিক টিউবুলার প্যাকেজিং, কার্টন বাক্সের ভিতরে কার্টনে রাখা।
- প্রশ্ন ৫: সিলিকন কার্বাইড MOSFET এর অর্ডার পেতে কত সময় লাগবে?
- A5: 2-30 দিন (মোট পরিমাণ উপর নির্ভর করে) ।