Industrial SiC Carbide Mosfet Frequência de comutação resistente ao calor durável
Lugar de origem | Guangdong, NC |
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Marca | REASUNOS |
Quantidade de ordem mínima | 600 |
Preço | Confirm price based on product |
Detalhes da embalagem | Embalagem tubular à prova de pó, à prova de água e antiestática, colocada dentro de uma caixa de pap |
Tempo de entrega | 2-30 dias (depende da quantidade total) |
Termos de pagamento | 100% T/T adiantado (EXW) |
Habilidade da fonte | 5KK/mês |

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xeficiência | Eficiência elevada | Materiais | Carbono de silício |
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Tipo de dispositivo | MOSFET | Resistência | Baixa resistência |
Potência | Poder superior | Tipo | N |
Nome do produto | MOSFET de carboneto de silício | Aplicação | Inversor solar, conversor DC/DC de alta tensão, driver de motor, fonte de alimentação UPS, fonte de |
Destacar | Mosfet de carburo de sílica industrial,Si Carbide Mosfet Durável,Frequência de comutação Sic Mosfet à prova de calor |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
Dispositivo MOSFET de carburo de silício de alta frequência para aplicações industriais
Descrição do produto:
Silicon Carbide (SiC) Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are advanced power semiconductors which provide high power and high frequency capabilities for a variety of applications, incluindo inversores solares, conversores DC/DC de alta tensão, condutores de motor, fontes de alimentação UPS, fontes de alimentação de comutação e pilhas de carregamento.baixas perdas de mudança, baixa carga de portão, baixa resistência no estado de funcionamento e características térmicas e de frequência superiores quando comparadas aos MOSFETs tradicionais à base de silício.
Os MOSFETs SiC são fabricados com base na linha de produção padrão militar nacional, garantindo a estabilidade do processo e qualidade confiável.Estes semicondutores de potência são capazes de suportar altas tensões, proporcionando excelente desempenho e confiabilidadeAlém disso, os MOSFETs SiC oferecem um melhor desempenho térmico e uma operação de maior frequência quando comparados com dispositivos de silício convencionais.
Os MOSFETs SiC são capazes de operar em altas frequências e altas temperaturas, tornando-os adequados para uma ampla gama de aplicações.como eles oferecem eficiência superior de energia, baixas perdas de comutação e baixa resistência no estado.Os MOSFETs SiC são capazes de suportar altas tensões e são altamente confiáveis devido ao seu processo de produção baseado no padrão militar nacional.
Parâmetros técnicos:
Imóveis | Descrição |
---|---|
Nome do produto | MOSFET de carburo de silício |
Vantagens | Com base na linha de produção padrão militar nacional, o processo é estável e a qualidade é confiável |
Tipo | N |
Aplicação | Inversor solar, conversor de alta tensão DC/DC, condutor do motor, fonte de alimentação UPS, fonte de alimentação de comutação, pilha de carga, etc. |
Potência | Alto Poder |
Resistência | Baixa resistência |
Eficiência | Eficiência elevada |
Tipo de dispositivo | MOSFET (metal-óxido-semicondutor de efeito de campo transistor) |
Frequência | Frequência elevada |
Materiais | Carbono de silício |
Aplicações:
O MOSFET de carburo de silício da REASUNOS é um transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico baseado em carburo de silício, com alta potência, baixa resistência e ampla gama de aplicações.Este Transistor de Efeito de Campo de Carbono de Silício oferece uma combinação perfeita de alta eficiência, alta frequência de comutação e baixa resistência de ligação para várias aplicações, tais como inversor solar, conversor DC/DC de alta tensão, controlador de motor, fonte de alimentação UPS, fonte de alimentação de comutação,pilha de carregamento e outras aplicaçõesTem uma quantidade mínima de encomenda de 600, e o preço é confirmado com base no produto.que é colocado dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão. O tempo de entrega é geralmente dentro de 2-30 dias dependendo da quantidade total. Os termos de pagamento são 100% T / T antecipadamente (EXW). Este MOSFET de Carbono de Silício tem uma capacidade de fornecimento de 5KK / mês.
Apoio e Serviços:
Os produtos MOSFET de Carbide de Silício vêm com um conjunto completo de suporte técnico e serviços, incluindo:
- Assistência técnica
- Assistência na selecção de produtos
- Ensaios e qualificação dos componentes
- Apoio à concepção e aplicação
- Atualizações de Software
- Atualizações de firmware
- Serviço de campo
- Formação
- Resolução de problemas
- RMA/Serviços de devolução
Embalagem e transporte:
O MOSFET de Carbono de Silício é embalado em uma bolsa segura para ESD e enviado em uma caixa antiestática.e data de compraA caixa contém também um rótulo de aviso que indica que o produto deve ser manuseado com cuidado.
Perguntas frequentes:
A1: O MOSFET de Carbono de Silício REASUNOS é um transistor que usa carburo de silício como material semicondutor.É usado em aplicações de energia eletrônica e automotiva devido à sua alta frequência de comutação, baixa resistência e excelente desempenho térmico.
R2: A quantidade mínima de encomenda para o REASUNOS Silicon Carbide MOSFET é de 600.
A3: O preço do MOSFET de Carbono de Silício REASUNOS varia de acordo com o produto.
R4: O prazo de entrega do MOSFET de carburo de silício REASUNOS é de 2 a 30 dias, dependendo da quantidade total.
A5: Os termos de pagamento para o REASUNOS Silicon Carbide MOSFET são 100% T/T antecipadamente (EXW).