工業用シシカルビッドモスフェット 交換周波数 耐久性 耐熱性

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x効率性 | 高性能 | 材料 | シリコンカービッド |
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装置タイプ | MOSFET | 抵抗 | 低いオン抵抗 |
パワー | 高い発電 | タイプ | N |
製品名 | 炭化ケイ素MOSFET | 適用する | ソーラーインバータ、高圧DC/DCコンバータ、モータドライバ、UPS電源、スイッチング電源、充電パイルなど |
ハイライト | 工業用シカルビッドモスフェット,耐久性のあるシカルビドモスフェット,耐熱シックモスフェット 切り替え周波数 |
No. | Part No. | Type | ID(A) | VDSS(V) | RDS(ON) Typ(mΩ) | RDS(ON) Max(mΩ) | Package | MOQ(pcs) | |
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1 | RSM065030W | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-3 | 600 | |
2 | RSM065030Z | N | 55 | 650 | 30 | 50 | TO247-4 | 600 | |
3 | RSM065060W | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-3 | 600 | |
4 | RSM065060Z | N | 29 | 650 | 60 | 79 | TO247-4 | 600 | |
5 | RSM120018Z | N | 105 | 1200 | 18 | 26 | TO247-4 | 600 | |
6 | RSM120025W | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-3 | 600 | |
7 | RSM120025Z | N | 90 | 1200 | 25 | 34 | TO247-4 | 600 | |
8 | RSM120040W | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-3 | 600 | |
9 | RSM120040Z | N | 68 | 1200 | 40 | 55 | TO247-4 | 600 | |
10 | RSM120075W | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-3 | 600 | |
11 | RSM120075Z | N | 33 | 1200 | 75 | 95 | TO247-4 | 600 | |
12 | RSM120080W | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-3 | 600 | |
13 | RSM120080Z | N | 36 | 1200 | 80 | 98 | TO247-4 | 600 | |
14 | RSM120160W | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-3 | 600 | |
15 | RSM120160Z | N | 18 | 1200 | 160 | 196 | TO247-4 | 600 | |
16 | RSM1701K0W | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-3 | 600 | |
17 | RSM1701K0Z | N | 5 | 1700 | 1000 | 1300 | TO247-4 | 600 | |
18 | RSM170045W | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-3 | 600 | |
19 | RSM170045Z | N | 72 | 1700 | 45 | 70 | TO247-4 | 600 |
工業用高周波シリコンカービッドMOSFET装置
製品説明:
Silicon Carbide (SiC) Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFETs) are advanced power semiconductors which provide high power and high frequency capabilities for a variety of applicationsソーラーインバーター,高電圧DC/DCコンバーター,モータードライバ,UPS電源,スイッチ電源,充電パイルを含む.低転用損失低ゲート電荷,低オン状態抵抗,従来のシリコンベースのMOSFETと比較すると優れた熱および周波数特性.
SiC MOSFETは,国家軍事標準生産ラインに基づいて製造され,プロセスの安定性と信頼性の高い品質を保証します.これらの電源半導体は,優れた性能と信頼性を提供しながら,高電圧に耐えることができるさらに,SiC MOSFETは,従来のシリコン装置と比較して,より優れた熱性能とより高い周波数操作を提供します.
SiC MOSFET は,高周波および高温で動作することが可能で,幅広い用途に適しています.優れた電力効率を提供しているため低スイッチ損失,低オン状態抵抗. さらに,SiC MOSFET は,国家軍事標準に基づく製造プロセスにより高電圧に耐える能力があり,非常に信頼性があります..
技術パラメータ:
資産 | 記述 |
---|---|
製品名 | シリコンカービッドモスフェット |
利点 | 国軍標準生産ラインに基づいて,プロセスは安定し,品質は信頼性があります |
タイプ | N |
適用する | ソーラーインバーター,高電圧DC/DCコンバーター,モータードライバー,UPS電源,スイッチング電源,充電台など |
パワー | 高い力 |
抵抗力 | 抵抗 が 少なく |
効率性 | 高効率性 |
装置の種類 | MOSFET (金属酸化半導体場効果トランジスタ) |
頻度 | 高頻度 |
材料 | シリコンカービッド |
応用:
REASUNOSのシリコンカービッドMOSFETは,シリコンカービッドベースの金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタで,高電力,低抵抗,幅広いアプリケーションを備えています.このシリコン・カービッド・フィールド・エフェクト・トランジスタは 高効率の完璧な組み合わせを提供します,高スイッチ周波数,低電電阻など様々な用途用 太陽光インバーター,高電圧DC/DC変換器,モータードライバ,UPS電源,スイッチ電源,充電堆と他の用途オーダー数も最低600個で 価格は製品によって決まる 防塵・防水・防静電型チューブルパッケージでカートン箱の中に入れる配送時間は通常,総量に応じて2-30日以内です. 支払条件は100%T/T事前 (EXW) です. このシリコンカービッドMOSFETは,月5KKの供給能力を持っています.
サポートとサービス
シリコンカービッドMOSFET製品には,以下の技術サポートとサービスが備わっています.
- 技術支援
- 製品選択支援
- 部品の試験と資格
- 設計とアプリケーションサポート
- ソフトウェア更新
- ファームウェア更新
- フィールド 奉仕
- 訓練
- トラブルシューティング
- RMA/リターンサービス
梱包と輸送:
シリコンカービッドMOSFETは,ESD安全な袋に梱包され,反静的箱に送られます.箱には,製品名,注文番号,購入日箱には,注意して扱わなければならない警告ラベルも含まれます.箱は,密封されたシールで密封されます.
FAQ:
A1: REASUNOS シリコンカービッド MOSFETは半導体材料としてシリコンカービッドを使用するトランジスタです電力電子機器と自動車アプリケーションで使用される高スイッチ周波数低電圧抵抗と優れた熱性能
A2: REASUNOS シリコンカービッド MOSFETの最小注文量は 600 です.
A3: REASUNOS シリコンカービッド MOSFET の価格は,製品によって異なります.要約のためにご連絡ください.
A4: REASUNOS シリコンカービッド MOSFET の配達期間は,総量に応じて 2~30 日です.
A5: REASUNOS シリコンカービッド MOSFET の支払い条件は 100% T/T 提前 (EXW) です.