Semua produk
Fast Charging Low Voltage MOSFET N Channel Multipurpose Untuk Pengemudi Motor
Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
---|---|
kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
Proses struktur: | Parit/SGT |
HF Switch MOSFET Tegangan Rendah Praktis Untuk Rektifisasi Sinkron
Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
---|---|
Proses struktur: | Parit/SGT |
efisiensi: | Efisiensi Tinggi Dan Andal |
Trench SGT MOSFET Tegangan Rendah 30V 40V
Aplikasi proses SGT: | Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron. |
---|---|
Keuntungan proses SGT: | Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. |
Aplikasi proses parit: | Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif |
N Channel Low Voltage MOSFET Stabil High EAS Untuk DC DC Converter
Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
---|---|
Keuntungan proses parit: | RSP Lebih Kecil, Konfigurasi Seri Maupun Paralel Dapat Dikombinasikan Dan Dimanfaatkan Secara Bebas. |
Nama produk: | MOSFET Tegangan Rendah |
RSP kecil tegangan rendah MOSFET Multi Scene N Channel Low Threshold
kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
---|---|
Keuntungan proses SGT: | Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. |
Aplikasi proses SGT: | Pengemudi Motor, Pemancar 5G, Penyimpanan Energi, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektifikasi Sinkron. |
Transistor Mosfet 20V 60V untuk pengisian nirkabel
Keuntungan proses parit: | RSP Lebih Kecil, Konfigurasi Seri Maupun Paralel Dapat Dikombinasikan Dan Dimanfaatkan Secara Bebas. |
---|---|
Keuntungan proses SGT: | Terobosan Optimasi FOM, Mencakup Lebih Banyak Aplikasi. |
kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
MOSFET Tegangan Rendah Industri Multifungsi Untuk Stasiun Basis 5G
Konsumsi daya: | Kehilangan Daya Rendah |
---|---|
kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
Perlawanan: | Rds Rendah (AKTIF) |
Fast Charging Low Power Fet Stabil Multifungsi Ambang Rendah
efisiensi: | Efisiensi Tinggi Dan Andal |
---|---|
Nama produk: | MOSFET Tegangan Rendah |
kemampuan EAS: | Kemampuan EAS Tinggi |
Pengemudi Motor Low Gate Voltage Mosfet, Multiscene Low Vgs N Channel Mosfet
Keuntungan proses parit: | RSP Lebih Kecil, Konfigurasi Seri Maupun Paralel Dapat Dikombinasikan Dan Dimanfaatkan Secara Bebas. |
---|---|
Perlawanan: | Rds Rendah (AKTIF) |
Aplikasi proses parit: | Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif |
FET Tegangan Rendah Multipurpose, daya rendah tahan N Channel Mosfet
Perlawanan: | Rds Rendah (AKTIF) |
---|---|
Aplikasi proses parit: | Pengisian Nirkabel, Pengisian Cepat, Driver Motor, Konverter DC/DC, Sakelar Frekuensi Tinggi, Rektif |
Proses struktur: | Parit/SGT |