Todos os Produtos
Carregamento rápido MOSFET de baixa tensão N-Channel Multipurpose para motorista
Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
---|---|
Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
processo de estrutura: | Trincheira/SGT |
MOSFET de baixa voltagem prático para retificação síncrona
Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
---|---|
processo de estrutura: | Trincheira/SGT |
eficiência: | Alta eficiência e confiável |
Trench SGT MOSFET de baixa tensão de baixa resistência 30V 40V
Aplicação do processo de SGT: | Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre |
---|---|
Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
MOSFET de baixa tensão de canal N EAS alto estável para conversor de CC DC
Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
---|---|
Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
Nome do produto: | MOSFET de baixa tensão |
Pequeno RSP MOSFET de baixa tensão Multi Scene N Channel Low Threshold
Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
---|---|
Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
Aplicação do processo de SGT: | Motorista do motor, 5G estação base, armazenamento de energia, interruptor de alta frequência, corre |
Transistores Mosfet de baixa potência práticos 20V 60V para carregamento sem fio
Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
---|---|
Vantagens do processo de SGT: | Otimização da descoberta FOM, cobrindo mais aplicação. |
Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
MOSFET de baixa tensão industrial multifuncional para estação base 5G
Consumo de energia: | Perda de baixa potência |
---|---|
Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
Carregamento rápido Baixa potência Feto estável Multifuntcional Baixo limiar
eficiência: | Alta eficiência e confiável |
---|---|
Nome do produto: | MOSFET de baixa tensão |
Capacidade EAS: | Alta capacidade de EAS |
Motorista Baixa Portão Voltagem Mosfet, Multiscene Baixo Vgs N Canal Mosfet
Vantagens do processo de vala: | RSP menor, configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas. |
---|---|
Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
FET de baixa tensão multifuncional, Mosfet de baixo consumo durável N Channel
Resistência: | Baixo RDS (SOBRE) |
---|---|
Aplicação de processo de vala: | Carregamento sem fio, carregamento rápido, driver de motor, conversor DC/DC, interruptor de alta fre |
processo de estrutura: | Trincheira/SGT |