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High Frequency High Current MOSFET Advanced Technology for Power Control Systems
| Type: | N |
|---|---|
| Frequency: | High Frequency |
| Product name: | High Power MOSFET |
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Transistor industriali Sic 1200V, ad alta tensione stabile, canale N Mosfet
| Vantaggi: | Basato sulla linea di produzione dello standard militare nazionale, il processo è stabile e la quali |
|---|---|
| Applicazione: | Invertitore solare, convertitore CC/CC ad alta tensione, driver del motore, alimentatore UPS, alimen |
| Potenza: | Alto potere |
Trasistor ad alta tensione pratico, multiuso N-Channel Power Mosfet
| Resistenza: | Su resistenza bassa |
|---|---|
| Valutazione di tensione: | Tensione ad alta tensione/ultraelevata |
| dissipazione di calore: | Grande dissipazione di calore |
Mosfet di potenza ad alta tensione stabile, transistor di dissipazione del calore N-canale Mosfet
| Perdita: | La perdita bassa può raggiungere meno di 1 µ A |
|---|---|
| Nome del prodotto: | MOSFET ad alta tensione |
| Resistenza: | Su resistenza bassa |
Invertitore Alta tensione Fet, alimentazione N canale Mosfet Transistor
| Applicazione del MOSFET Ultra-alta tensione: | Metro astuto, alimentazione elettrica del Governo, alimentazione elettrica di commutazione industria |
|---|---|
| Tipo: | N |
| dissipazione di calore: | Grande dissipazione di calore |
Tensione elevata Sic Mosfet, transistor Fet multiuso.
| Applicazione inclusa del MOSFET di alta tensione di FRD: | Serie del motore, invertitore, mezzo ponte/applicazioni complete del ponte, ecc. |
|---|---|
| dissipazione di calore: | Grande dissipazione di calore |
| Tecnologia: | MOSFET |
MOSFET a super giunzione industriale N-canale processo a più strati
| Resistenza interna: | Resistenza interna ultra piccola |
|---|---|
| Applicazione: | Driver del LED, circuito di PFC, alimentazione elettrica di commutazione, UPS dell'impianto di alime |
| Vantaggi: | È fatto tramite il processo a più strati di epitassia. Rispetto al processo della fossa, ha anti EMI |
Immagazzinamento dell'energia MOSFET a bassa tensione pratico canale N Alta capacità EAS
| Funzionalità EAS: | Elevata capacità EAS |
|---|---|
| Vantaggi del processo di trincea: | RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili |
| Processo di struttura: | Trincea/SGT |
MOSFET pratico a bassa tensione
| Processo di struttura: | Trincea/SGT |
|---|---|
| efficienza: | Alta efficienza e affidabilità |
| Vantaggi trattati di SGT: | Ottimizzazione di innovazione FOM, riguardante più applicazione. |
Durabile industriale ad alta potenza N canale Mosfet, dissipazione del calore Mosfet ossido metallico
| Tipo: | N |
|---|---|
| Potenza: | Alto potere |
| Nome del prodotto: | MOSFET di alto potere |