एलईडी ड्राइवर उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी विरोधी वृद्धि महान गर्मी विसर्जन

उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
प्रकार एन अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट बिजली आपूर्ति, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, विद्युत ऊर्जा प्रणाली, आदि।
ताप लोपन महान ताप अपव्यय लाभ नई लेटरल वेरिएबल डोपिंग तकनीक, विशेष पावर एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
तकनीकी MOSFET एचवी मॉसफेट एप्लीकेशन एलईडी ड्राइवर, एडेप्टर, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, इनवर्टर आदि
प्रतिरोध कम प्रतिरोध रिसाव के कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है
प्रमुखता देना

एलईडी ड्राइवर उच्च वोल्टेज MOSFET

,

उच्च वोल्टेज MOSFET एंटी सर्ज

,

गर्मी विसर्जन एचवी मोस्फेट

आप अपनी ज़रूरत के उत्पादों को टिक कर सकते हैं और हमारे साथ संदेश बोर्ड में संचार कर सकते हैं।
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
उत्पाद विवरण

इन्वर्टर और अन्य अनुप्रयोगों के लिए कम प्रतिरोध वाले एचवी मोस्फेट

उत्पाद का वर्णन:

एक उच्च वोल्टेज MOSFET एक एम्बेडेड FRD उच्च वोल्टेज MOS-गेट ट्रांजिस्टर है जो विशेष रूप से उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह एक उन्नत तकनीक MOS-गेट ट्रांजिस्टर है,जो व्यापक रूप से विभिन्न उद्योगों में प्रयोग किया जाता है, जैसे स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम, आदि। यह हाई वोल्टेज एमओएसएफईटी महान गर्मी अपव्यय के साथ असाधारण प्रदर्शन प्रदान करता है,कम रिसाव, और एक उच्च वोल्टेज प्रकार N. यह कम रिसाव वर्तमान जो 1 μA से कम तक पहुँच सकते हैं के साथ विश्वसनीय संचालन प्रदान करने में सक्षम है.यह उच्च वोल्टेज MOSFET किसी भी उच्च वोल्टेज आवेदन के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प है, स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम आदि सहित। यह उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श समाधान है,महान गर्मी अपव्यय और कम रिसाव वर्तमान प्रदान करता है.

 

तकनीकी मापदंडः

विशेषताएं विनिर्देश
आवेदन एम्बेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटीः मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन, आदि।
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटीः स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम, आदि।
एचवी मोस्फेट: एलईडी ड्राइवर, एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर आदि।
प्रकार एन
प्रौद्योगिकी एमओएसएफईटी
प्रतिरोध कम प्रतिरोध
ताप विसर्जन बड़ी गर्मी विसर्जन
लाभ नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
वोल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS हाई वोल्टेज MOSFET ¥ मोटर सीरीज़, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन

REASUNOS हाई वोल्टेज MOSFET एक विशेष शक्ति MOS संरचना है जिसमें उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं हैं। इसमें एक नई पार्श्व चर डोपिंग तकनीक है और रिसाव 1 μ A से कम तक पहुंच सकता है.इसका व्यापक रूप से मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोगों आदि के लिए उपयोग किया जाता है।

REASUNOS हाई वोल्टेज MOSFET के कई फायदे हैं, जैसे कि कम रिसाव, नई पार्श्व चर डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति MOS संरचना, और उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।यह धूल के प्रतिरोधी के साथ पैक किया गया हैREASUNOS हाई वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि की जाती है।डिलीवरी का समय कुल मात्रा के आधार पर 2-30 दिन हैआपूर्ति की क्षमता 5KK/माह है और भुगतान की शर्तें 100% टी/टी अग्रिम (एक्सडब्ल्यू) हैं।

 

सहायता एवं सेवाएं:

उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा

XYZ में, हम अपने उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों के लिए व्यापक तकनीकी सहायता और सेवा प्रदान करते हैं। हमारे विशेषज्ञों की टीम स्थापना के बारे में आपके किसी भी प्रश्न का उत्तर देने के लिए 24/7 उपलब्ध है,परिचालन, कॉन्फ़िगरेशन और समस्या निवारण।

हमारे तकनीकी सहायता कर्मचारी अत्यधिक जानकार हैं, और आपको हमारे उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों का सर्वोत्तम उपयोग करने के बारे में विस्तृत निर्देश और सलाह प्रदान कर सकते हैं।

हम यह सुनिश्चित करने के लिए नियमित निरीक्षण और परीक्षण सहित रखरखाव सेवाओं की एक विस्तृत श्रृंखला भी प्रदान करते हैं कि आपके उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पाद ठीक से और सुरक्षित रूप से काम कर रहे हैं।

यदि आपको कभी भी अपने उच्च वोल्टेज MOSFET उत्पादों के साथ कोई समस्या का सामना करना पड़ता है, तो कृपया तुरंत हमसे संपर्क करें और हमारे विशेषज्ञों की टीम आपकी सहायता करने में प्रसन्न होगी।

 

पैकिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज MOSFET पैकेजिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज MOSFET को स्थिर रहित, नमी के सबूत वाले बक्से में पैक किया जाता है। बक्से पर भाग संख्या, निर्माता का नाम और शिपमेंट की तारीख के साथ लेबल किया जाना चाहिए।नमी या धूल के प्रवेश को सुनिश्चित करने के लिए बक्से को सावधानीपूर्वक सील किया जाना चाहिएसुरक्षित परिवहन सुनिश्चित करने के लिए पैलेट पर डिब्बों को भेज दिया जाना चाहिए।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

प्रश्न 1: उच्च वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?
A1: उच्च वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।
Q2: उच्च वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान कहाँ है?
A2: उच्च वोल्टेज MOSFET का मूल स्थान गुआंग्डोंग, CN है।
प्रश्न 3: उच्च वोल्टेज मोस्फेट की कीमत के बारे में क्या?
A3: उच्च वोल्टेज MOSFET की कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि की जाती है।
Q4: उच्च वोल्टेज MOSFET किस प्रकार के पैकेज में आता है?
A4: उच्च वोल्टेज MOSFET को धूल, पानी और एंटी-स्टेटिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
Q5: उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय कितना समय लेता है?
A5: हाई वोल्टेज MOSFET के लिए डिलीवरी का समय 2-30 दिन है (कुल मात्रा पर निर्भर करता है).
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