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LEDドライバ 高電圧 MOSFET 抗急上昇 大熱分散

  • LED Driver High Voltage MOSFET Anti Surge Great Heat Dissipation
起源の場所 広東省、CN
ブランド名 REASUNOS
価格 Confirm price based on product
パッケージの詳細 防塵,防水,防静的管状の包装,紙箱の中に詰め込まれる
受渡し時間 2~30日 (総量によって異なります)
支払条件 100%T/T 前払い (EXW)
供給の能力 5KK/月

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商品の詳細
タイプ N 超HV MOSFETの塗布 スマートなメートル、キャビネットの電源、産業転換の電源、電力システム、等。
熱放散 大きい熱放散 利点 新しい側面可変的な添加の技術、特別な力MOSの構造、高温の優秀な特徴。
テクノロジー MOSFET HV Mosfetの塗布 LEDの運転者、アダプター、産業転換の電源、インバーター等
抵抗 低いオン抵抗 漏れ 低い漏出は1つ以下のµ Aに達することができる
ハイライト

LED ドライバー 高電圧 MOSFET

,

高電圧MOSFET アンチ・サーージ

,

熱消耗 HV モスフェット
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
メッセージ
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
製品の説明

インバーターおよび他のアプリケーションのための低抵抗HVモスフェット

製品説明:

高電圧MOSFETは,高電圧アプリケーションのために特別に設計された組み込みFRD高電圧MOSゲートトランジスタである.様々な産業で広く使用されているスマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチ電源,電源システムなどです この高圧MOSFETは,優れた熱消耗で例外的な性能を提供します.漏れが少ない低流出電流で1μA未満に達する.高電圧能力により,この高電圧MOSFETは,すべての高電圧アプリケーションのための優れた選択ですスマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチ電源,電気電力システムなど高い熱消耗率と低流出電流.

 

技術パラメータ:

特徴 仕様
適用する 組み込み FRD HV MOSFET:モーターシリーズ,インバーター,ハーフブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーションなど
超高周波MOSFET:スマートメーター,キャビネット電源,産業用スイッチング電源,電気電力システムなど
HV モスフェット:LEDドライバー,アダプター,産業用スイッチング電源,インバーターなど
タイプ N
テクノロジー MOSFET
抵抗力 低オン抵抗
熱散 熱 の 散らばる 大量
利点 新しい横変形ドーピング技術 特殊パワーMOS構造 高温での優れた特性
定位電圧 高電圧/超高電圧
製品名 高電圧MOSFET
 

応用:

REASUNOS 高電圧MOSFET モーターシリーズ,インバーター,半橋/フルブリッジ回路アプリケーション

REASUNOS 高電圧MOSFETは,高温で優れた特性を持つ特別なパワーMOS構造です.新しい横向変数ドーピング技術があり,漏れは1μA未満に達することができます..これはモーターシリーズ,インバーター,半ブリッジ/フルブリッジ回路アプリケーションなどに広く使用されています. REASUNOS 高圧MOSFETの電圧評価は高圧/超高圧です.

REASUNOS 高電圧MOSFETは,低漏れ,新しい横向変数ドーピング技術,特別なパワーMOS構造,高温での優れた特性など多くの利点があります.防塵用で包装されていますREASUNOS 高電圧モスフェットの価格は,製品によって確認されます.配達時間は2~30日 総量によって異なります供給能力は5KK/月で 支払条件は100%T/T (EXW) です

 

サポートとサービス

高電圧MOSFETの技術サポートとサービス

XYZでは,高電圧MOSFET製品に包括的な技術サポートとサービスを提供しています. 私たちの専門家のチームは,設置に関する質問に答えるために24/7利用可能です.操作設定とトラブルシューティング

高電圧MOSFET製品の最善の使用方法について詳細な指示とアドバイスを提供することができます.

高電圧MOSFET製品が正しく安全で機能していることを確認するための定期的な検査とテストを含む 幅広いメンテナンスサービスを提供しています

高電圧MOSFET製品に 問題を抱える場合は すぐにお問い合わせください 専門家のチームが喜んでお手伝いします

 

梱包と輸送:

高電圧MOSFETの梱包と輸送:

高電圧MOSFETは,静止性のない,湿度防止の箱に詰め込まれます.箱には部品番号,製造者の名前,出荷日記が記載されなければなりません.箱は水分や塵が入らないように注意深く密閉する必要があります.箱は安全な輸送を保証するためにパレットで送られるべきです.

 

FAQ:

Q1: 高電圧MOSFETのブランド名は何ですか?
A1: 高電圧MOSFETのブランド名は REASUNOSです
Q2: 高電圧MOSFETの原産地は?
A2: 高電圧MOSFETの原産地は CNの広東です.
Q3: 高電圧MOSFETの価格はどうですか?
A3: 高電圧MOSFETの価格は製品によって確認されます.
Q4: 高電圧MOSFETはどんなパッケージで作られますか?
A4: 高電圧MOSFETは,防塵,防水,反静的管状のパッケージで梱包され,紙箱に詰められています.
Q5: 高電圧MOSFETの配送時間はどのくらいですか?
A5: 高電圧MOSFETの配送時間は 2~30日 (総量によって異なります).
札:

安定した高電圧電源モスフェット

耐熱 高電圧 シック モスフェット

工業用超高電圧トランジスタ