औद्योगिक उच्च वोल्टेज MOSFET बहुउद्देश्यीय बिजली आपूर्ति के लिए

उत्पत्ति के प्लेस गुआंग्डोंग, सीएन
ब्रांड नाम REASUNOS
मूल्य Confirm price based on product
पैकेजिंग विवरण डस्टप्रूफ, वॉटरप्रूफ और एंटी-स्टैटिक ट्यूबलर पैकेजिंग, डिब्बों में कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर रखी गई ह
प्रसव के समय 2-30 दिन (कुल मात्रा पर निर्भर करता है)
भुगतान शर्तें अग्रिम में 100% टी/टी (EXW)
आपूर्ति की क्षमता 5KK/माह

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उत्पाद विवरण
प्रतिरोध कम प्रतिरोध लाभ नई लेटरल वेरिएबल डोपिंग तकनीक, विशेष पावर एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET एंबेडेड एफआरडी एचवी एमओएसएफईटी एप्लीकेशन मोटर सीरीज, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट अनुप्रयोग, आदि।
एचवी मॉसफेट एप्लीकेशन एलईडी ड्राइवर, एडेप्टर, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, इनवर्टर आदि अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट बिजली आपूर्ति, औद्योगिक स्विचिंग बिजली आपूर्ति, विद्युत ऊर्जा प्रणाली, आदि।
वेल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज रिसाव के कम रिसाव 1 μA से कम तक पहुंच सकता है
प्रमुखता देना

औद्योगिक उच्च वोल्टेज MOSFET

,

बहुउद्देश्यीय उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी

,

बिजली की आपूर्ति एचवी मोस्फेट

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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
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No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
उत्पाद विवरण

अर्ध ब्रिज/पूर्ण ब्रिज सर्किट अनुप्रयोगों के लिए उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी कम रिसाव 1 एमए

उत्पाद का वर्णन:

उच्च वोल्टेज MOSFET एक प्रकार का ट्रांजिस्टर है जिसे उच्च वोल्टेज और अल्ट्रा-उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों को स्विच करने और नियंत्रित करने के लिए डिज़ाइन किया गया है।यह एक उच्च वोल्टेज मोस्फेट ट्रांजिस्टर है जिसमें कम रिसाव वाला करंट है और यह 1 μ A से कम तक पहुंच सकता हैइस प्रकार के ट्रांजिस्टर उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताओं को प्रदान करने के लिए नई पार्श्व चर डोपिंग तकनीक और विशेष शक्ति एमओएस संरचना का उपयोग करते हैं। यह एलईडी ड्राइवर के लिए आदर्श है,एडाप्टर, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्वर्टर आदि। इसमें कम ऑन प्रतिरोध होता है और यह व्यापक तापमान सीमा में विश्वसनीय प्रदर्शन प्रदान कर सकता है।

 

तकनीकी मापदंडः

पैरामीटर विवरण
उत्पाद का नाम उच्च वोल्टेज MOSFET
प्रकार एन
प्रतिरोध कम प्रतिरोध
वोल्टेज रेटिंग उच्च वोल्टेज/अति उच्च वोल्टेज
रिसाव कम रिसाव 1 माइक्रोन ए से कम तक पहुंच सकता है
लाभ नई पार्श्व परिवर्तनीय डोपिंग तकनीक, विशेष शक्ति एमओएस संरचना, उच्च तापमान में उत्कृष्ट विशेषताएं।
प्रौद्योगिकी एमओएसएफईटी
ताप विसर्जन बड़ी गर्मी विसर्जन
अल्ट्रा-एचवी एमओएसएफईटी अनुप्रयोग स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, इंडस्ट्रियल स्विचिंग पावर सप्लाई, इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम आदि।
एम्बेडेड FRD HV MOSFET अनुप्रयोग मोटर श्रृंखला, इन्वर्टर, हाफ ब्रिज/फुल ब्रिज सर्किट एप्लिकेशन, आदि।
 

अनुप्रयोग:

REASUNOS एम्बेडेड FRD हाई वोल्टेज MOSFET

Reasunos एम्बेडेड FRD हाई वोल्टेज MOSFET को स्मार्ट मीटर, कैबिनेट पावर सप्लाई, औद्योगिक स्विचिंग पावर सप्लाई और इलेक्ट्रिकल पावर सिस्टम के लिए डिज़ाइन किया गया है।यह अति-उच्च वोल्टेज और महान गर्मी अपव्यय प्रदान करता हैयह उत्पाद गुआंग्डोंग, चीन में निर्मित है और धूल, जलरोधक और विरोधी स्थैतिक पैकेजिंग में उपलब्ध है।मूल्य और वितरण समय कुल मात्रा पर निर्भर करता है और आदेश के बाद पुष्टि की जा सकती हैभुगतान की शर्तें 100% टी/टी अग्रिम हैं। आपूर्ति क्षमता 5KK/माह है।

 

सहायता एवं सेवाएं:

उच्च वोल्टेज MOSFET तकनीकी सहायता और सेवा
  • 24/7 ग्राहक सहायता
  • उत्पाद चयन के लिए तकनीकी सहायता
  • उत्पाद प्रलेखन तक पहुंच
  • सॉफ्टवेयर और फर्मवेयर अद्यतन
  • उत्पाद की मरम्मत और वापसी सेवा
  • साइट पर तकनीकी सहायता
  • हार्डवेयर रखरखाव सेवाएं
 

पैकिंग और शिपिंगः

उच्च वोल्टेज MOSFET के लिए पैकेजिंग और शिपिंग

उच्च वोल्टेज MOSFET को एक सील एंटीस्टेटिक बैग में भेज दिया जाता है। बैग को एक बॉक्स के अंदर रखा जाता है जिसमें सुरक्षात्मक फोम पैडिंग होती है ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि परिवहन के दौरान उत्पाद क्षतिग्रस्त न हो।

बॉक्स पर उत्पाद का नाम, विनिर्देश और उचित शिपिंग पता लिखा है।बॉक्स पर यह चेतावनी भी दी गई है कि जब तक यह सुरक्षित रूप से अपने गंतव्य पर नहीं पहुंच जाता तब तक उत्पाद को नहीं खोला जाना चाहिए.

बॉक्स को ट्रैक करने और हस्ताक्षर की पुष्टि के साथ एक सम्मानित वाहक के माध्यम से भेज दिया जाता है। ग्राहक को शिपमेंट का पालन करने के लिए एक ट्रैकिंग नंबर प्रदान किया जाएगा।

 

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न:

  • प्रश्न: उच्च वोल्टेज मोस्फेट का ब्रांड नाम क्या है?
    उत्तर: उच्च वोल्टेज MOSFET का ब्रांड नाम REASUNOS है।
  • प्रश्न: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी का मूल स्थान कहाँ है?
    उत्तर: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी का मूल स्थान गुआंग्डोंग, चीन है।
  • प्रश्न: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी की लागत कितनी है?
    उत्तर: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी की कीमत उत्पाद के आधार पर पुष्टि की जाएगी।
  • प्रश्न: उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी कैसे पैक किया जाता है?
    A: उच्च वोल्टेज MOSFET को धूल, जल, और विरोधी स्थैतिक ट्यूबलर पैकेजिंग में पैक किया जाता है, जो एक कार्डबोर्ड बॉक्स के अंदर कार्टन में रखा जाता है।
  • प्रश्न: उच्च वोल्टेज मोस्फेट को वितरित करने में कितना समय लगता है?
    उत्तर: कुल मात्रा के आधार पर उच्च वोल्टेज एमओएसएफईटी देने में 2-30 दिन लगते हैं।
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