전기 공급용 산업용 고전압 MOSFET 다목적

원래 장소 광동, CN
브랜드 이름 REASUNOS
가격 Confirm price based on product
포장 세부 사항 방진, 방수, 정전기 방지 관형 포장으로 판지 상자 안에 포장되어 있습니다.
배달 시간 2-30일 (총 수량에 따라 다름)
지불 조건 사전에 100% T/T(EXW)
공급 능력 5KK/월

무료샘플과 쿠폰을 위해 나와 연락하세요.

왓츠앱:0086 18588475571

위챗: 0086 18588475571

스카이프: sales10@aixton.com

만약 당신이 어떠한 관심도 가지면, 우리가 24 시간 온라인 도움말을 제공합니다.

x
제품 상세 정보
저항 낮은 온 저항 장점 새로운 측면 가변 도핑 기술, 특수 Power MOS 구조, 고온 특성이 우수합니다.
제품 이름 고전압 MOSFET 임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지/풀 브리지 회로 애플리케이션 등
HV MOSFET 애플리케이션 LED 드라이버, 어댑터, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 인버터 등 Ultra-HV MOSFET 애플리케이션 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업용 스위칭 전원 공급 장치, 전력 시스템 등
전압 정격 고전압/초고압 누출 낮은 누설은 1 µ A 미만에 도달할 수 있습니다.
강조하다

산업용 고전압 MOSFET

,

고전압 MOSFET 다목적

,

전원 공급 HV 모스페트

필요한 제품을 선택하고 게시판에서 당사와 소통 할 수 있습니다.
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
1 RSF38N30F N 38 300 0.09 0.11 TO-220F 1000 80
2 RSF45N50W N 45 500 0.1 0.125 TO-247 600 95
3 RSF5N50D N 5 500 1.5 1.85 TO-252 2500 61
4 RSF7N50D N 7 500 1.1 1.5 TO-252 2500 100
5 RSF3N60D N 3 600 2.8 3.4 TO-252 2500 55
6 RSF4N60D N 4 600 2 2.4 TO-252 2500 60
7 RSF4N60F N 4 600 2 2.4 TO-220F 1000 60
8 RS2N65D N 2 650 3.8 4.5 TO-252 2500 --
9 RS2N65F N 2 650 3.8 4.5 TO-220F 1000 --
10 RS4N65D N 4 650 2 2.4 TO-252 2500 --
11 RS4N65MD N 4 650 2 2.4 TO-251 4000 --
12 RS4N65F N 4 650 2 2.4 TO-220F 1000 --
13 RS5N65D N 5 650 1.8 2.1 TO-252 2500 --
14 RS5N65F N 5 650 1.8 2.1 TO-220F 1000 --
15 RS6N65D N 6 650 1.65 1.9 TO-252 2500 --
16 RS6N60F N 6 600 1 1.15 TO-220F 1000 --
17 RS6N65F N 6 650 1.65 1.9 TO-220F 1000 --
18 RS7N65D N 7 650 1.1 1.4 TO-252 2500 --
19 RS7N65MD N 7 650 1.1 1.4 TO-251 4000 --
20 RS7N65F N 7 650 1.1 1.4 TO-220F 1000 --
21 RS8N60F N 8 600 0.75 0.9 TO-220F 1000 --
22 RS8N65F N 8 650 0.95 1.15 TO-220F 1000 --
23 RS10N65D N 10 650 0.93 1.05 TO-252 2500 --
24 RS10N65F N 10 650 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
25 RS10N60F N 10 600 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
26 RS12N65F N 12 650 0.6 0.72 TO-220F 1000 --
27 RS12N60F N 12 600 0.5 0.62 TO-220F 1000 --
28 RS13N65F N 13 650 0.52 0.65 TO-220F 1000 --
29 RS16N65F N 16 650 0.45 0.55 TO-220F 1000 --
30 RS20N65F N 20 650 0.35 0.45 TO-220F 1000 --
31 RS5N50D N 5 500 1.25 1.45 TO-252 2500 --
32 RS6N50D N 6 500 1.2 1.5 TO-252 2500 --
33 RS9N50D N 9 500 0.65 0.8 TO-252 2500 --
34 RS9N50F N 9 500 0.65 0.8 TO-220F 1000 --
35 RS10N50F N 10 500 0.66 0.8 TO-220F 1000 --
36 RS11N50F N 11 500 0.48 0.6 TO-220F 1000 --
37 RS13N50F N 13 500 0.39 0.46 TO-220F 1000 --
38 RS15N50F N 15 500 0.35 0.42 TO-220F 1000 --
39 RS18N50F N 18 500 0.28 0.34 TO-220F 1000 --
40 RS20N50F N 20 500 0.21 0.27 TO-220F 1000 --
41 RS20N50W N 20 500 0.21 0.27 TO-247-3 600 --
42 RS25N50F N 25 500 0.18 0.24 TO-220F 1000 --
43 RS25N50W N 25 500 0.18 0.24 TO-247-3 600 --
44 RS28N50W N 28 500 0.14 0.18 TO-247-3 600 --
45 RS30N50W N 30 500 0.085 0.12 TO-247-3 600 --
46 RS4N80F N 4 800 3.2 3.8 TO-220F 1000 --
47 RS8N80F N 8 800 1.35 1.6 TO-220F 1000 --
48 RS10N80F N 10 800 1 1.2 TO-220F 1000 --
49 RS3N90MD N 3 900 4 4.8 TO-251 4000 --
50 RS4N90D N 4 900 3 3.5 TO-252 2500 --
51 RS4N90F N 4 900 3 3.5 TO-220F 1000 --
52 RS6N90F N 6 900 1.7 2.05 TO-220F 1000 --
53 RS9N90F N 9 900 1.2 1.55 TO-220F 1000 --
54 RS9N90PF N 9 900 1.2 1.55 TO-3PF 300 --
55 RS2N100D N 2 1000 6 7.2 TO-252 2500 --
56 RSE3N100F N 3 1000 4.6 5.5 TO-220F 1000 --
57 RS6N100F N 6 1000 1.2 1.5 TO-220F 1000 --
58 RS2N120D N 2 1200 10.5 12.5 TO-252 2500 --
59 RS3N120D N 3 1200 7.3 8.5 TO-252 2500 --
60 RS6N120T N 6 1200 2.1 2.5 TO-220 1000 --
61 RS3N150F N 3 1500 5.5 6.5 TO-220F 1000 --
62 RS3N150PF N 3 1500 5.5 6.5 TO-3PF 300 --
63 RS3N150W N 3 1500 5.5 6.5 TO247-3 600 --
메시지를 남겨주세요
No. Part No. Type ID(A) VDSS(V) RDS(ON) Typ(mΩ) RDS(ON) Max(mΩ) Package MOQ(pcs) Diode Trr(nS)
제품 설명

하위 전압 MOSFET 반 브릿지 / 전체 브릿지 회로 응용 프로그램 낮은 누출 1 Μ A

제품 설명:

고전압 MOSFET는 고전압 및 초고전압 애플리케이션을 전환 및 제어하도록 설계된 트랜지스터의 일종이다.그것은 낮은 누출 전류를 특징으로 하는 고전압 모스페트 트랜지스터이며 1 μ A 이하에 도달 할 수 있습니다.이 유형의 트랜지스터는 새로운 변동 변동 도핑 기술과 특별한 전력 MOS 구조를 활용하여 고온에서 우수한 특성을 제공합니다. LED 드라이버에 이상적입니다.어댑터, 산업용 스위치 전원 공급 장치, 인버터 등. 그것은 낮은 전원 저항을 가지고 있으며 광범위한 온도 범위에서 신뢰할 수있는 성능을 제공할 수 있습니다.

 

기술 매개 변수:

매개 변수 설명
제품 이름 고전압 MOSFET
종류 N
저항력 낮은 전원 저항
전압 등급 고전압/극대고전압
누출 낮은 누출은 1μA 이하로 도달 할 수 있습니다.
장점 새로운 변동성 도핑 기술, 특수 전력 MOS 구조, 높은 온도에서 우수한 특성.
기술 MOSFET
열 분산 큰 열 분산
초고압 MOSFET 적용 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급, 산업 스위칭 전력 공급, 전기 전력 시스템, 등
임베디드 FRD HV MOSFET 애플리케이션 모터 시리즈, 인버터, 하프 브리지 / 풀 브리지 회로 응용 프로그램, 등
 

응용 프로그램:

REASUNOS 내장 FRD 고전압 MOSFET

Reasunos 임베디드 FRD 고전압 MOSFET는 스마트 미터, 캐비닛 전원 공급 장치, 산업 스위치 전원 공급 장치 및 전기 전력 시스템에 설계되었습니다.그것은 초고 전압과 훌륭한 열 분비를 제공합니다이 제품은 중국 광둥에서 제조되며 먼지, 방수 및 반 정적 포장으로 제공됩니다.가격과 배송 시간은 전체 양에 따라 결정되며 주문 후 확인 할 수 있습니다.지불 조건은 100% T/T 사전입니다. 공급 능력은 5KK / 달입니다.

 

지원 및 서비스:

고전압 MOSFET 기술 지원 및 서비스
  • 24/7 고객 지원
  • 제품 선택에 대한 기술 지원
  • 제품 문서에 대한 접근
  • 소프트웨어 및 펌웨어 업데이트
  • 제품 수리 및 반품 서비스
  • 현장 기술 지원
  • 하드웨어 유지보수 서비스
 

포장 및 운송:

고전압 MOSFET 의 포장 및 운송

고전압 MOSFET는 밀폐 된 항 정적 가방에 배송됩니다. 가방은 운송 중에 제품이 손상되지 않도록 보호 스펀 패딩이있는 상자에 배치됩니다.

상자에는 제품 이름, 사양 및 적절한 배송 주소가 표시되어 있습니다.또한 상자에는 목적지에 안전하게 도착할 때까지 제품을 열지 말라는 경고가 있습니다..

상자는 평판이 좋은 운송사를 통해 추적 및 서명 확인과 함께 배송됩니다. 고객은 운송을 추적 할 수 있는 추적 번호를 제공받을 것입니다.

 

FAQ:

  • Q: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 무엇입니까?
    A: 고전압 MOSFET의 브랜드 이름은 REASUNOS입니다.
  • Q: 고전압 MOSFET의 원산지는 어디인가요?
    A: 고전압 MOSFET의 원산지는 중국 광둥입니다.
  • Q: 고전압 MOSFET 비용은 얼마입니까?
    A: 고전압 MOSFET의 가격은 제품에 따라 확인됩니다.
  • Q: 고전압 MOSFET는 어떻게 포장됩니까?
    A: 고전압 MOSFET는 먼지, 방수 및 반 정적 튜버형 포장지로 포장되어 있으며, 카튼 상자 안에 배치됩니다.
  • Q: 고전압 MOSFET를 공급하는 데 얼마나 걸리나요?
    A: 전체 수량에 따라 고전압 MOSFET를 배달하는 데 2-30일이 걸립니다.